一张图就能真正明白工艺管道知识！5种管子，4类管件，法兰、垫片及螺栓，其实，就是这么简单！

管子分类方法很多，按材质分类可分为金属管、非金属管和钢衬非金属复合管。

非金属管主要有橡胶管、塑料管、石棉水泥管、石墨管、玻璃钢管等，非金属管的使用同金属管相比所占比例较小，而金属管在大多数石油化工装置中要占到全部工艺管道安装工程的百分之八十五以上。

今天，给大家重点介绍金属管材。

焊接钢管，也称有缝钢管，一般由钢板或钢带卷焊而成。

按管材的表面处理形式：

分为镀锌和不镀锌两种。表面镀锌的发白色，又称为白铁管或镀锌钢管；表面不镀锌的即普通焊接钢管，也称为黑铁管。

镀锌焊接钢管，常用于输送介质要求比较洁净的管道，如生活用水、净化空气、仪表空气等；不镀锌的焊接钢管，可用于输送蒸汽、煤气、压缩空气和冷凝水等。

根据用户要求，焊接钢管在出厂时可分两种：

一种是管端带螺纹的，另一种是管端不带螺纹的。管端带螺纹的焊接钢管，每根管材长度为4～9m，不带螺纹的焊接钢管，每根管材长度为4～12m。

焊接钢管按管壁厚度不同：

分为薄壁钢管、加厚钢管和普通钢管。工艺管道上用量最多的是普通钢管，其试验压力为2.0MPa。加厚钢管的试验压力为3.0MPa。

焊接钢管的联接方法较多：

有螺纹联接、法兰联接和焊接。法兰联接中又分螺纹法兰联接和焊接法兰联接，焊接方法中又分为气焊和电弧焊。

常用焊接钢管的规格范围：

无缝钢管，是工业管道中用量最大，品种规格最多的管材。

碳素无缝钢管、铬钼无缝钢管和不锈、耐酸无缝钢管。

工艺管道常用的是流体输送用无缝钢管。

常用的制造材质为10号、20号、16Mn钢。

其规格范围为：热轧外径φ32～630mm，冷拔外径φ6～200mm，单根管长度4～12m，容许操作温度为-40～450℃。

广泛用于输送各种对钢无腐蚀性的介质，如输送蒸汽、氧气、压缩空气、油品和油气等。

系指含一定比例合金元素的合金钢管。

一种是含有锰元素的低合金钢管，称为普通低合金钢管，如16Mn、15MnV等；另一种是含有铬、钼等元素的低合金钢管，称铬钼钢管。

低合金无缝钢管，多用于输送各种温度较高的油品、油气和腐蚀性不强的盐水、低浓度有机酸等。

这些钢号中用量最多的是1Cr18Ni9Ti，在施工图上常用简化材质代号18-8来表示，适用温度范围为-196～700℃。

在化工生产中用来输送各种腐蚀性较强的介质，如硝酸、醋酸和尿素等。

其制造材质与上述无缝钢管基本相同，只是管壁比中低压无缝钢管厚，最厚的管壁达40mm。

如化肥设备用高压无缝钢管规格为φ14×4(mm)～273×40(mm)，单根管长度4～12m，适用压力范围10～32MPa，工作温度-40～400℃。

在石油化工装置中用以上高压无缝钢管输送原料气、氢氮气、合成气、水蒸气、高压冷凝水等介质。

在引进工程项目的冷区用量较多，其材料牌号为STPL-39、STPL-46，工作温度可达-105℃。

低温钢管分为无缝钢管和有缝钢管两种，无缝低温钢管公称直径为15～400mm，壁厚同碳钢管；有缝低温钢管公称直径为400～1100mm，壁厚为6～10mm，单根管标准长度6m。

适用于输送各种无腐蚀性低温介质管道，目前国内还没有批量生产与这种标准相应的钢管。

钢板卷板管，是由钢板卷制焊接而成，分为直缝卷焊钢管和螺旋缝卷焊钢管两种。

多数在施工现场制造或委托加工厂制造，专业钢管厂不生产。

钢板材料有Q235A、10号、20号、16Mn、20g等，其规格范围为公称直径200～3000mm，最大的有4000mm，壁厚一般为4～16mm。

适用工作温度：Q235A为-15～300℃，10号、20号、16Mn、20g为-40～450℃，均适用于低压范围。

由钢管制造厂生产，材质有Q235A，16Mn。

其规格范围为公称直径200～700mm，壁厚7～10mm，单根管长度8～18m。

直缝卷焊钢管和螺旋缝卷焊钢管，多用于输送常温低压腐蚀性不强的介质，如低压蒸汽、地下循环水、煤气和油气等。螺旋缝卷焊钢管单根管较长，特别适用于长距离输送管道。

根据工程所需，还有直缝不锈钢板卷焊管，都是在施工现场卷制，制造厂不生产。所用材质多为1Cr18Ni9Ti钢板。其规格范围公称直径为200～1000mm，公称直径200～400mm的壁厚为4mm，公称直径700～1000mm的壁厚为6～8mm，单根管长度为4.5m。适用温度和输送的介质范围同低压不锈钢管。

铜管分紫铜管和黄铜管两种：

制造紫铜管所用的材料牌号有T2、T3、T4和TUP等，含铜量较高，占99.7%以上；

黄铜管的制造材料牌号有H62，H68等，都是锌和铜的合金，如H62黄铜管，其材料成份铜为60.5%～63.5%，锌为39.6%，其他杂质小于0.5%。

铜管的制造方法分为拉制和挤制两种：

拉制铜管外径为φ3～φ200mm，挤制铜管外径为φ32～φ280mm，壁厚1.5～5mm；

铜板卷焊铜管的规格范围为外径φ155～φ505mm，供货方式有单根的和成盘的两种。

铜管的适用工作温度在250℃以下，多用于油管道、保温伴管和空分氧气管道。

钛管是近年来新出现的一种管材，由于它具有重量轻、强度高、耐腐蚀性强和耐低温等特点，常被用于其他管材无法胜任的工艺部位。

钛管是用TA1、TA2工业纯钛制造，适用温度范围为-140～250℃，当温度超过250℃时，其机械性能下降。

常用钛管的规格范围为公称直径20～400mm。适用于低中压，低压管壁厚2.8～12.7mm，中压管壁厚3.7～21.4mm。

钛管虽然具有很多优点，但因价格昂贵，焊接难度较大，尚未被广泛采用。

常用的管件有弯头、三通、异径管、管接头、管帽等。

弯头是用来改变管道的走向。

常用弯头的弯曲角度为90°、45°和180°，180°弯头也称为U型弯管，也有特殊角度的弯头，但为数极少。

玛钢弯头，也称可锻铸铁弯头，是最常见的螺纹弯头。

玛钢弯头的规格比较小，常用的规格范围为1/2～4英寸，按其不同的表面处理分镀锌和不镀锌两种。

这种玛钢管件，主要用于采暖，上下水管道和煤气管道上。在工艺过程中，除需要经常拆卸的低压管道外，其他物料管道上很少使用。

压制弯头，也称冲压弯头或无缝弯头，是用优质碳素钢、不锈耐酸钢和低合金钢无缝管等，在特制的模具内压制成型的。

其弯曲半径为公称直径的一倍半（R=1.5DN），在特殊场合下也可采用弯曲半径等于公称直径的弯头（R=1DN）。

其规格范围在DN20～600mm以内。

其壁厚范围与无缝钢管的表号一致。

压制弯头一般由专业制造厂或加工厂用标准无缝钢管冲压加工而成，出厂时弯头两端应加工好坡口。

冲压焊接弯头，是采用板材经模具冲压成半块环形弯头，然后将两块半环弯头进行组对焊接成型。

其弯曲半径同无缝管弯头，规格范围为公称直径200mm以上。

焊接弯头，也称虾米腰或虾体弯头。

一种是在加工厂用钢板下料，切割后卷制焊接成型，多数用于钢板卷管的配套。

另一种是用管材下料，经组对焊接成型，其规格一般在200mm以上。使用温度不能大于200℃，一般可在施工现场制作。

高压弯头，是采用优质碳素钢或低合金钢锻造而成。

根据管道连接形式，弯头两端加工成螺纹或坡口，加工的精密度很高，要求管口螺纹与法兰口螺纹能紧密配套自由拧入并不得松动。

适用于压力22.0、32.0MPa的石油化工管道，常用规格范围为DN6～200mm。

三通是主管道与分支管道相连接的管件，根据制造材质和用途的不同，划分为很多种。

可分为同径三通和异径三通，同径三通也称为等径三通；

同径三通是指分支接管的管径与主管的管径相同

异径三通是指分支接管的管径小于主管的管径，所以也称为不等径三通，异径三通用量要多一些

玛钢三通的制造材质和规格范围，与玛钢弯头相同，在石油化工工艺管道中用量不多，主要用于室内采暖、上下水和煤气管道。

20世纪七十年代以前，我国工业生产技术发展的速度比较缓慢，工艺管道方面的工程技术也比较落后。

在各种中低压钢管的设计中，管道需要使用三通管件时，一般都是采用挖眼接管的办法来解决，即在需要接支管的主管上，按支管的直径先挖出一个孔，再将支管焊上。这种办法有很多缺点，焊接质量不易保证，焊接后管道容易变形，主管内容易进入杂质。

七十年代后期，随着冶金、石油化工等大型现代化生产装置的引进，促进了工艺管道工程技术的发展，目前，我国已能生产中低压管道钢制定型三通，已形成系列产品，无缝三通规格为DN20～600mm，钢板焊制三通规格为DN150～1500mm。

定型三通的制作，是以优质管材为原料，经过下料、挖眼，加热后用模具拔制而成，再经机加工，成为定型成品三通。中低压钢制成品三通，在现场安装时都是采用焊接。钢板卷管所用的三通，有两种情况，一种是在加工厂用钢板下料，经过卷制焊接而成；另一种是在安装现场挖眼接管。

高压三通，常用的有两种，一种是焊制高压三通，一种是整体锻造高压三通。

焊制高压三通，选用优质高压钢管为材料，制造方法类似挖眼接管，主管上所开的孔，要与相接的支管管径相一致。焊接质量要求严格，通常要求焊前进行预热，焊后进行热处理。其规格范围为DN16～200mm，压力22MPa、32MPa。

异径管的作用是使管道变径，从流体运动方向来看，多数是由大变小，也有的由小变大，如蒸汽回水管道和下水管道的异径管就是由小变大。异径管俗称大小头。

玛钢异径管，大体上分两种，一种是内螺纹异径管也称外接头；另一种是内螺纹和外螺纹结合的管件，称作补芯，它虽然不叫做异径管，但起到异径管的作用。

钢制异径管，分为无缝和有缝两种，无缝异径管用无缝钢管压制，有缝异径管用钢板下料，经卷制焊接而成，也称为焊制异径管。

这两种异径管都有同心和偏心两种规格。偏心异径管的底部有一个直边，使用时能使管底成一个水平面，便于停产检修时排放管中物料。

无缝异径管的规格范围为DN25～600mm，有缝焊接异径管的规格范围为DN200～1500mm。

管径变化不大的在管端加热直接摔制而成。抽条焊接制作异径管，花费人工多，焊缝多，焊接质量不易保证，目前，焊接质量要求很高的工艺管道已禁止采用此种办法。

封头，是用于管端起封闭作用的堵头。常用的封头有椭圆形和平盖形两种。

椭圆形封头也称为管帽，其规格范围为DN25～600mm，多用于中低压管道上。

平盖封头，按其安装位置分为两种，一种是平盖封头略大于管外径，在管外焊接。

另一种是平盖封头略小于管内径，把封头板放入管内焊接。常用的规格范围为DN15～200mm，这种封头多用于压力较低的管道上。

凸台，也称管嘴，是自控仪表专业在工艺管道上的一次部件，是由工艺管道专业来安装，所以把凸台也列为管件。

工艺管道用的单面管接头也属这一种，都是一端焊在主管上，另一端或者是安装其它部件，或者是另外再接管，其规格范围为DN15～200mm，高中低压管道都使用。

盲板，其作用是把管道内介质切断，根据使用压力和法兰密封面的形式分以下几种：

光滑面盲板，与光滑密封面法兰配合使用，其适用压力范围为1.0～2.5MPa。

凸面盲板，其本身一面带凸面，另一面带凹面，与凹凸密封面法兰配合使用。使用压力4.0MPa，规格范围为DN25～400mm。

梯形槽面盲板，与梯形槽密封面法兰配合使用，使用压力范围为6.4～16.0MPa。规格范围为DN25～300mm。

“8”字盲板，也分为光滑面，凹凸面和梯形槽面三种，使用压力与以上三种盲板相同，“8”字盲板所不同的是，它把两种用途结合在一个部件上，即把盲板和垫圈相连接固定在一起。法兰内垫入盲板时，外面露出的垫圈作为管道是否切断的直观标志。

“8”字盲板的制造材料有多种，根据输送的介质温度和压力来选择。一般低压管道，温度不超过450℃时，所用的材质有Q235A、20号钢和25号钢；温度在450～550℃时，所用的材料有15CrMo、1Cr5Mo。当压力在4.0～16.0MPa，温度大于550℃时，要用不锈钢。

法 兰、垫 片 及 螺 栓

法兰是工艺管道上起连接作用的一种部件。这种连接形式的应用范围非常广泛，如管道与工艺设备连接，管道上法兰阀门及附件的连接。采用法兰连接既有安装拆卸的灵活性，又有可靠的密封性。

工艺管道所输送的介质，种类繁多，温度和压力也不同，因此对法兰的强度和密封，提出了不同的要求。为了满足工艺管道安装工程的需要，出现了很多种结构和压力不同的法兰。

以下对各种法兰作简要介绍：

平焊钢法兰，是中低压工艺管道最常用的一种。

这种法兰与管子的固定形式，是将法兰套在管端，焊接法兰里口和外口，使法兰固定，适用公称压力不超过2.5MPa。

用于碳素钢管道连接的平焊法兰，一般用Q235A和20号钢板制造；

用于不锈耐酸钢管道上的平焊法兰，应用与管子材质相同的不锈耐酸钢板制造。

平焊钢法兰密封面，一般都为光滑式，密封面上加工有浅沟槽。通常称为水线，如图：

平焊钢法兰的规格范围如下：

对焊钢法兰，也称高颈法兰或大尾巴法兰。它的强度大不易变形、密封性能较好，有多种形式的密封面，适用的压力范围很广。

凹凸密封面对焊法兰，由于凹凸密封面严密性强，承受的压力大。每付法兰的密封面，必须一个是凹面、另一个是凸面。常用公称压力范围为PN1.6～4.0MPa，规格范围为DN10～600mm，如图：

▲凹凸密封面对焊钢法兰图

梯形槽密封面对焊法兰，这种法兰在石油工业管道比较常用，承受压力大，常用公称压力为PN6.4、10.0MPa，规格范围为DN10～400mm；PN16MPa，规格范围为DN10～300mm。如图：

▲梯形槽面对焊钢法兰图

上述各种对焊法兰，只是按其密封面的形式不同而加以区别。

从安装的角度来看，不论是那种形式的对焊法兰，其连接方法是相同的，因而所耗用的人工，材料和机械台班，基本上也是一致的。但由于密封面形式不同，法兰的加工制造成本相差悬殊，因此，在编制概(预)算时要特别注意法兰本身的价格。

这种法兰与管子不直接焊在一起，而是以管口翻边或焊环为密封接触面，松套法兰起紧固作用，多用于铜、铝和铅等有色金属及不锈耐酸钢管道上。

其最大的优点：是由于法兰可以自由活动，法兰穿螺栓时非常方便。

▲焊环松套钢制管法兰图

螺纹法兰，是用带螺纹的法兰与管端螺纹相连接的法兰，有高压和低压两种。

低压螺纹法兰，包括钢制和铸铁制造两种，这种法兰，在建国初期，焊接技术很差的情况下、曾被广泛应用。

随着工业的发展、低压螺纹法兰已被平焊法兰所代替，除特殊情况外，基本不采用。

高压螺纹法兰，被广泛应用于现代工业管道的连接。密封由管端与透镜垫圈形成，对螺纹和管端垫圈接触面的精密度加工要求很高。

这种法兰的特点是法兰与管内介质不接触，安装也比较方便。适用压力PN22.0、PN32.0MPa，其规格范围为DN6～250mm。

▲高压管线法兰连接结构型式图

法兰盖是与法兰配套使用的部件，它和封头一样在管端起封闭作用。密封面有光滑式和凸凹式，其规格和适用压力范围与配套法兰一致。

泄漏是管法兰失效的主要形式，它与密封结构型式、被连接件的刚度、密封件的性能、操作和安装等许多因素有关。

垫片是法兰连接的主要密封件，因而正确选用垫片也是保证法兰连接不泄漏的关键。

法兰垫片根据管道所输送介质的腐蚀性、温度、压力及法兰密封面的形式选用种类很多。管法兰垫片有非金属垫片，半金属垫片和金属垫片。

橡胶石棉垫是法兰连接用量最多的垫片、能适用于很多介质，如蒸汽、煤气、空气、盐水、酸和碱等。橡胶石棉垫的厚度，各专业还不统一，通常用3mm厚。公称直径小于100mm的法兰，其垫片厚度不超过2.5mm。

垫片的使用压力：用于光滑密封面法兰连接时，不超过2.5MPa。

炼油工业常用的橡胶石棉垫有两种：

一种是耐油橡胶石棉垫，适用于温度在200℃以下，公称压力在2.5MPa以下，输送一般油品、液化烃、丙烷和丙酮等介质。高温耐油橡胶石棉垫，使用温度可达350～380℃。

另一种是中压橡胶石棉垫，可使用于200℃，PN2.5MPa以下的蒸汽、凝结水、水、空气等介质。

橡胶垫，是用橡胶板制作的垫片，它有一定的耐腐蚀性，常用于温度在60℃以下，压力不超过1.0MPa，输送低压水，酸和碱等介质的管道法兰连接。

这种垫片的特点是利用橡胶的弹性，达到较好的密封效果，因此也常用于铸铁法兰阀门的安装上。

缠绕式垫片简称为缠绕垫，是用金属钢带及非金属填料带缠绕而成。

优点：这种垫片具有制造简单、价格低廉、材料能被充分利用、密封性能较好的优点，在石油化工工艺管道上被广泛应用。

适用参数：适用的公称压力为4.0MPa以下，适用温度范围，08号钢温度可达450℃，0Cr13钢带制成的缠绕垫，使用温度可达540℃。垫片的厚度一般为4.5mm，直径大于1000mm时，垫片厚度为6～7mm。定位环的厚度为3mm左右。

这种垫片多数用于光滑面法兰连接，其密封面不用车水线。有的缠绕垫，还带有定位环，是为了防止垫片偏离法兰中心。

金属钢带材质有08号钢、0Cr13钢和1Cr18Ni9Ti钢等；非金属带材质有特性石棉、柔性石墨、聚四氟乙烯等。

齿形垫是用各种金属制造，材质有普通碳素钢、低合金钢和不锈耐酸钢等，其厚度为3～5mm。

它是利用同心圆的齿形密纹与法兰密封面相接触、构成多道密封，因此密封性能较好，常用于凹凸式密封面法兰的连接。

适用参数：最高公称压力可达16.0MPa，适用于工作温度较高的部位，如0Cr13材质的齿形垫，其适用温度可达530℃。

金属垫圈的种类很多，按形状划分有金属平垫圈，截面积为椭圆形、八角形金属垫圈和透镜式垫圈。按制造材质分有低碳钢、不锈耐酸钢、紫铜、铝和铅等。

金属平垫圈，多用于光滑面平焊法兰，承受的温度和压力较低。

椭圆形及八角形金属垫圈，多用于梯形槽对焊法兰，公称压力范围为6.4～22.0MPa。这种垫圈虽然密封性好，但制造复杂，要求精度高。

透镜垫，因其截面形状似透镜而得名，密封性能好、在石油化工生产中，各种高温高压管道的法兰连接，广泛使用此种垫圈，常用公称压力范围为16.0～32.0MPa。

金属垫圈的使用有条原则，即垫圈表面的硬度必须低于法兰密封面的硬度。

垫片的选用应根据管道所输送介质的温度、压力、腐蚀性和连接法兰的密封形式来确定。专业性较强的垫片，如透镜垫，适用于高压法兰连接。

用于连接法兰的螺栓，有单头螺栓和双头螺栓两种，其螺纹一般都是三角形公制粗螺纹。

单头螺栓也称六角头螺栓。单头螺栓又分为半精制和精制两种，在中低压工艺管道上，使用最多的是半精制单头螺栓。

制造单头螺栓常用的材质有Q235A、35号钢和25Cr2MoVA等。常用于公称压力为2.5MPa以下的法兰连接。

适用温度根据螺栓材质而定，如35号钢制造的螺栓适用温度可达350℃；25Cr2MoVA钢制造的螺栓、适用温度可达570℃。

工艺管道上所用的双头螺栓，多数采用等长双头精制螺栓。适用于温度和压力较高的法兰连接。

螺母，统称为六角螺母。分半精制和精制两种。按螺母结构形式还可分为A型和B型两种。

半精制单头螺栓多采用A型螺母；精制双头螺栓多采用B型螺母。螺母与螺栓要配套使用，但螺母制造材质的硬度不能超过螺栓材质的硬度。

led)显示技术是一种先进显示技术，具有高亮度，高色域，低功耗，广视角，高对比度，高色彩饱和度，高响应速率等优点。巨量转移技术是微型发光二极管显示阵列制备过程中的一个重要工艺，也是微型发光二极管商业化的一个重要瓶颈。在目前的，基于led芯片的巨量转移方法中背板的制造工艺通常存在工艺复杂，导致制造所得背板通常存在led芯片与背板电极之间连接不稳定，存在导电可靠性差，接触电阻大的问题。

3.本技术的目的在于提供一种led芯片的键合方法，旨在解决传统的led背板的制造工艺复杂，并且led芯片与背板电极之间连接不稳定的问题。
4.本技术实施例的提出了一种led芯片的键合方法，包括：
5.通过溶液法将led芯片转移到背板上，其中，所述溶液混有助焊剂或光刻胶；
6.加热以蒸发所述溶液，使所述led芯片置于所述背板上，得到键合后的led芯片。
7.在其中一个实施例中，所述通过溶液法将led芯片转移到背板上，包括：
8.向所述背板的基板放入混有led芯片的溶液，其中，所述基板上设有若干电极单元，所述电极单元包括若干基板电极，所述led芯片包括芯片主体以及间隔设置在所述芯片主体上的两个芯片电极，所述led芯片的两个芯片电极之间的间距大于任两个相邻的所述基板电极之间的最小距离。
9.在其中一个实施例中，所述led芯片的两个芯片电极分别包裹于所述芯片主体的两端。
10.在其中一个实施例中，所述溶液混有光刻胶时，键合后的led芯片包裹有一层光刻胶。
11.在其中一个实施例中，所述光刻胶与所述溶液的质量比在0.05～0.25之间，所述加热以蒸发所述溶液的加热温度为100℃～140℃。
12.在其中一个实施例中，在加热以蒸发所述溶液之后，所述键合方法还包括：
13.通过曝光的方式去除包裹在所述led芯片的两个芯片电极以及相邻的所述led芯片之间的光刻胶；
14.通过金属沉积的方式在所述led芯片及所述基板上形成金属层；
15.去除沉积在所述led芯片上表面的光刻胶，所述led芯片的两个芯片电极与对应的所述基板电极之间形成金属连接。
16.在其中一个实施例中，所述背板上还覆盖有焊接材料，所述溶液混有助焊剂时，所
述加热以蒸发所述溶液包括：
17.对所述溶液进行预蒸发，以蒸发部分溶液；
18.对所述背板进行加热，使所述led芯片的两个芯片电极、所述基板电极与所述焊接材料融合；
19.蒸干剩余的溶液。
20.在其中一个实施例中，所述助焊剂与溶液的重量比在0.1到0.3之间，对所述背板进行加热的加热温度为150℃～300℃，时间为2分钟～30分钟。
21.在其中一个实施例中，所述基板设有若干区域，每一区域对应一个所述电极单元，所述通过溶液法将led芯片转移到背板上，包括：
22.分别向每个所述区域放入所述溶液。
23.在其中一个实施例中，所述溶液混有光刻胶时，所述分别向每个所述区域放入所述溶液之前还包括：
24.向所述区域打印光转换材料；
25.所述加热以蒸发所述溶液，包括：
26.加热以蒸发所述溶液，置于所述背板的led芯片的外表面包裹有光刻胶及所述光转换材料。
27.在其中一个实施例中，所述区域包括r电极区域、g电极区域及b电极区域；
28.所述向所述区域打印光转换材料，包括：
29.分别向所述r电极区域及g电极区域打印所述光转换材料；
30.所述加热以蒸发所述溶液，包括：
31.加热以蒸发所述溶液，置于所述r电极区域及g电极区域的led芯片外表面包裹有所述光刻胶及所述光转换材料，置于所述b电极区域的led芯片外表面包裹有所述光刻胶。
32.在其中一个实施例中，所述加热以蒸发所述溶液之后，还包括：
33.通过曝光的方式去除包裹在所述led芯片的两个芯片电极以及相邻的所述led芯片之间的光刻胶；
34.通过金属沉积的方式在所述led芯片的两个芯片电极与所在电极区域的基板电极之间形成金属层。
35.在其中一个实施例中，所述溶液包括第一溶液、第二溶液及第三溶液，所述第一溶液还混有第一光转换材料、光刻胶、金属离子，所述第二溶液混有第二光转换材料、光刻胶、金属离子，所述第三溶液还混有光刻胶、金属离子，所述区域包括r电极区域、g电极区域及b电极区域，所述分别向每个所述区域放入所述溶液，包括：
36.向所述r电极区域放入所述第一溶液；
37.向所述g电极区域放入所述第二溶液；
38.向所述b电极区域放入所述第三溶液。
39.在其中一个实施例中，所述加热以蒸发所述溶液，包括：
40.对放入所述基板的溶液进行第一阶段蒸发；
41.通过电镀使所述led芯片的两个芯片电极和所述基板电极覆盖有金属层；
42.加热蒸发剩余的溶液。
43.在其中一个实施例中，所述若干基板电极包括第一基板电极和第二基板电极，所
述基板上的所述第一基板电极和所述第二基板电极沿纵向交错排布，所述基板上的所述第一基板电极和所述第二基板电极沿横向交错排布。
44.在其中一个实施例中，所述第一基板电极及所述第二基板电极的横截面形状为正三角形，所述第一基板电极与所述第二基板电极之间的最小距离与所述正三角形的边长的比例范围为：0.005～0.05，所述正三角形的边长与所述led芯片的两个芯片电极之间的间距的比例范围为：0.1～1。
45.在其中一个实施例中，所述第一基板电极及所述第二基板电极的横截面形状为正方形，所述第一基板电极与所述第二基板电极之间的最小距离与所述正方形的边长的比例范围为：0.01～0.1，所述正方形的边长与所述led芯片的两个芯片电极之间的间距的比例范围为：0.2～1.4。
46.在其中一个实施例中，所述led芯片的两个芯片电极之间的间距小于所述正方形的边长和所述第一基板电极与所述第二基板电极之间的最小距离之和。
47.在其中一个实施例中，相邻的电极单元之间的最小间距等于所述电极单元之间的第一基板电极与第二基板电极之间的最小距离。
48.在其中一个实施例中，所述若干基板电极还包括第三基板电极，所述基板上的所述第一基板电极、第二基板电极及第三基板电极中的任一个基板电极分别与另外两个基板电极相邻。。
49.在其中一个实施例中，所述第一基板电极、所述第二基板电极及所述第三基板电极的横截面形状为圆形，所述第一基板电极与所述第二基板电极之间的最小距离与所述圆形的直径的比例范围为：0.01～0.1，所述圆形的直径与所述led芯片的两个芯片电极之间的间距的比例范围为：0.6～2。
50.在其中一个实施例中，所述第一基板电极、所述第二基板电极及所述第三基板电极的横截面形状为正六边形，所述第一基板电极与所述第二基板电极之间的最小距离与所述正六边形的边长的比例范围为：0.05～0.2，所述正六边形的边长与所述led芯片的两个芯片电极之间的间距的比例范围为：0.2～2。
51.在其中一个实施例中，所述电极单元中的第一基板电极、第二基板电极及第三基板电极之间的最小距离一致。
52.在其中一个实施例中，在两个所述基板电极中，从其中一个电极的中部向另一个电极的中部方向开设有限位槽对。
53.在其中一个实施例中，所述限位槽对的长度及对应的相邻的两个所述基板电极之间的间距之和为所述led芯片的两个芯片电极之间的距离的1.05倍～1.3倍。
54.在其中一个实施例中，所述通过溶液法将led芯片转移到背板上包括：
55.向背板上放入混有led芯片的溶液，所述背板上包括有若干电极对，所述电极对包括第一基板电极及第二基板电极；
56.向所述背板的电极施加电源，以使所述若干个led芯片自动整列以与所述背板的第一基板电极及第二基板电极连接，所述led芯片的两个电极之间的间距大于或等于所述第一基板电极与第二基板电极之间的最小距离，且小于或等于所述第一基板电极与第二基板电极之间的最大距离。
57.在其中一个实施例中，所述溶液包括去离子水、甲苯、二甲苯、甲醇、乙醇以及异丙
58.上述的led芯片的键合方法，通过溶液法将led芯片转到背板上，溶液在基板上自由流动，带动led芯片随机运动，当溶液蒸发后，led芯片被随机沉淀在背板上与电极电接触，工艺简单；并且溶液中混有用于加强固定的助焊剂或光刻胶，当溶液蒸发后，固定胶将在led芯片与背板的电极之间形成固定电学及机械连接，从而加强led芯片与背板电极之间电学接触和机械保护，同时整个制作工艺过程简单，成本低。
59.图1为本技术实施例中的一种led芯片的结构示意图；
60.图2为本技术实施例中的另一种led芯片的结构示意图；
61.图3a为本技术实施例中具有正方形电极的基板的结构示意图；
62.图3b为本技术实施例中led芯片转移到具有正方形电极的基板的结构示意图；
63.图4a为本技术实施例中具有正三角形电极的基板的结构示意图；
64.图4b为本技术实施例中led芯片转移到具有正三角形电极的基板的结构示意图；
65.图5a为本技术实施例中具有正六边形电极的基板的结构示意图；
66.图5b为本技术实施例中led芯片转移到具有正六边形电极的基板的结构示意图；
67.图6a为本技术实施例中具有圆形电极的基板的结构示意图；
68.图6b为本技术实施例中led芯片转移到具有圆形电极的基板的结构示意图；
69.图7为本技术实施例中具有两类电极的像素结构的截面结构示意图；
70.图8为本技术实施例中具有三类电极的像素结构的截面结构示意图；
71.图9为图7示出的像素结构中驱动电路的电路图；
72.图10为图8示出的像素结构中驱动电路的电路图；
73.图11为本技术实施例中具有两类多电极的像素结构的截面结构示意图；
74.图12为本技术实施例中具有三类多电极的像素结构的截面结构示意图；
75.图13a为图11示出的像素结构中电极层的俯视结构示意图；
76.图13b为图11示出的像素结构中电极线层的仰视结构示意图；
77.图14a为图12示出的像素结构中电极层的俯视结构示意图；
78.图14b为图12示出的像素结构中电极线层的仰视结构示意图；
79.图15为本技术实施例中的像素结构的一种分离式布局结构示意图；
80.图16为本技术实施例中的像素结构的一种堆叠式布局结构示意图；
81.图17为图9示出的驱动电路的电源线的电流时序图；
82.图18为图10示出的驱动电路的电源线的电流时序图；
83.图19为本技术实施例中的led芯片的转移方法的流程图；
84.图20为本技术实施例中的基板上电极的横截面结构示意图；
85.图21a为本技术实施例中的具有限位槽的两类电极的结构示意图；
86.图21b为本技术实施例中的具有限位槽的三类电极的结构示意图；
87.图22为本技术实施例中的led芯片的转移方法的流程图；
88.图23为本技术实施例中的led芯片的转移方法选择性放入溶液的工序示意图；
89.图24为本技术实施例中的led芯片的转移方法无差异地放入溶液的工序示意图；
90.图25为本技术实施例中加强电极和led芯片连接强度的第一、二种方案的蒸发溶液工序示意图；
91.图26为本技术实施例中加强电极和led芯片连接强度的第二种方案的光刻工序示意图；
92.图27为本技术实施例中加强电极和led芯片连接强度的第二种方案的去除部分光刻胶工序示意图；
93.图28为本技术实施例中加强电极和led芯片连接强度的第二种方案的金属沉积工序示意图；
94.图29为本技术实施例中加强电极和led芯片连接强度的第二种方案的去除全部光刻胶工序示意图；
95.图30为本技术实施例中加强电极和led芯片连接强度的第二种方案的去除全部光刻胶工序示意图；
96.图31为本技术实施例中加强电极和led芯片连接强度的第三种方案的第一阶段蒸发溶液工序示意图；
97.图32为本技术实施例中加强电极和led芯片连接强度的第三种方案的焊接工序示意图；
98.图33为本技术实施例中加强电极和led芯片连接强度的第四种方案的电镀工序示意图；
99.图34为本技术实施例中发光颜色转换的第一种方案的蒸发溶液工序示意图；
100.图35为本技术实施例中发光颜色转换的第一种方案的光刻工序示意图；
101.图36为本技术实施例中发光颜色转换的第一种方案的去除光刻胶工序示意图；
102.图37为本技术实施例中发光颜色转换的第一种方案的金属沉积工序示意图；
103.图38为本技术实施例中发光颜色转换的第一种方案的金属沉积工序示意图；
104.图39为本技术实施例中发光颜色转换的第二种方案的第二阶段蒸发工序示意图；
105.图40为本技术实施例中发光颜色转换的第二种方案的配置光转换材料工序示意图；
106.图41为本技术实施例中发光颜色转换的第三种方案的工序示意图。
107.为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
108.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
109.需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
110.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，“/”的含义是或，“若干个”的含义是一个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
111.在本实施例中，led芯片为纳米级芯片，其包括芯片主体及间隔设置在芯片主体上的两个芯片电极，该两个芯片电极可以设置于芯片主体长度方向的任一位置，可选地，该两个芯片电极分别包裹于芯片主体的两端，即电极围绕芯片主体的外侧壁，且位于芯片主体的两个端部。
112.在本实施例中，基板上设置有若干电极单元，该电极单元包括若干基板电极(可以为两个或者三个电极)，若干电极单元间隔设置，电极单元的若干基板电极也间隔设置。该电极单元包括两个基板电极时(可以分类为第一基板电极及第二基板电极)在本实施例的一个优选方案中，该led芯片的两个芯片电极之间的间距大于该两个相邻基板电极之间的最小距离，该led芯片的两个芯片电极之间的间距指的是该两个芯片电极之间的最小距离。
113.请参阅图1，图1示出的是可用于本技术的一类led芯片(下文称a型led芯片)20。该类led芯片20的芯片主体是一个柱状结构，图1中的横向是led芯片20的高度方向(即长度方向)，纵向是它的宽度方向。一般地，其长度应当大于宽度，它的形状可以是圆柱体(即沿着纵向方向的横截面为圆形)，长方体，或者其他合适的形状。如图1所示，沿着芯片主体的长度方向，依次为第一芯片电极1，第一半导体导电层2，有源区3，第二型半导体导电层4，第二芯片电极5，其中第一半导体导电层2和第二型半导体导电层4中的一个为n型半导体导电层，另一个为p型半导体导电层，第一芯片电极1和第二芯片电极5其中一个为正极，另一个为负极。第一芯片电极1和第二芯片电极5分别连接到电源的正(负)极和负(正)极的时候，在接上适合的电压时，驱动led芯片20发光。绝缘层6是包覆在led柱体的侧面，其作用是防止led芯片20与外部短路，并且可以钝化有源层侧壁，提升量子效率。此时，该led芯片的两个芯片电极1、5之间的最小距离指的是第一芯片电极1的右侧壁与第二芯片电极5的左侧壁之间的距离。
114.请参阅图2，图1示出的是可用于本技术的另有一类led芯片(下文称b型led芯片)20，附图标记1～5所表示的部件都与a型led芯片相同，区别在于包覆层7是特殊材料，除了具有绝缘和钝化的作用外，还具有颜色转换的功能(例如光转换材料)，该特殊材料为具有特定禁带宽度的半导体组成，在led芯片制作工艺中制备形成。
115.一般地，柱状结构的led芯片20的两个芯片电极之间的部位是完全被绝缘层6包覆的，第一半导体导电层2，有源区3，第二型半导体导电层4及绝缘层6构成芯片主体，第一芯片电极1和第二芯片电极5间隔地包裹在芯片主体长度方向的周缘，典型的第一芯片电极1和第二芯片电极5在led芯片20宽度方向的长度大于等于芯片主体的宽度，使得led芯片20横置在一平面时，第一芯片电极1和第二芯片电极5能够与平面接触。可选地，第一芯片电极1和第二芯片电极5分别包裹于芯片主体的两端。
116.在一个实施例中，芯片主体为圆柱体，两个芯片电极1、5间隔设置于圆柱体的侧面。一般地，两个芯片电极1、5的结构一致，芯片电极1、5为圆环形结构，外表面为圆环状，环绕设置在芯片主体的侧面，芯片电极1、5的外径与芯片主体的半径之间的差值大于0且小于3mm，即定义芯片电极外表面的半径为r，芯片主体的半径为r，0《r-r《3mm，需要说明的是，
3mm只是一个优选例子，此处对此不作限制。
117.在一实施例中，两个芯片电极1、5之间的间距是指在芯片主体的侧面上，两个芯片电极1、5之间的最小距离；当两个芯片电极1、5都平行于芯片主体的底面设置时，两个芯片电极1、5之间的间距为两个芯片电极1、5横截面的距离，或者是两个芯片电极1、5的中心点之间的距离。在一实施例中，两个芯片电极1、5分别设置在芯片主体的两端，每个芯片电极1、5包覆芯片主体的一个底面以及与底面连接的一部分侧面。
118.在一实施例中，两个芯片电极1、5之间的间距等于芯片主体的两个端部距离与两个芯片电极1、5之间的宽度(该宽度指的是led芯片20长度方向上的尺寸)的差值。
119.在一实施例中，芯片主体为柱体时，两个芯片电极1、5间隔设置于柱体的两个端部，芯片电极1、5的间距等于柱体的两个端部之间的距离。
120.在一实施例中，芯片主体为圆柱体，两个芯片电极1、5分别包覆圆柱体的端部。在其他实施例中，两个芯片电极1、5还可以分别包覆圆柱体的端部之外的中间部位。
121.在一实施例中，芯片主体为棱柱体，两个芯片电极1、5间隔设置在棱柱体的侧面，每个芯片电极1、5都包括多个芯片子电极(图中未示)，芯片子电极的数量与棱柱体的侧棱的数量相等，每一芯片子电极凸设于芯片主体的一个侧面上，一所述芯片电极1或5可以形成对应的环形阵列。可以理解的是，棱柱体的任一侧面的宽度应小于两个相邻基板电极之间的最小距离(该侧面的宽度可以认为是所述棱柱体的横截面与所述侧面之间的交汇边的边长)。例如，所述棱柱体可以是三棱柱、四棱柱、五棱柱、六棱柱，此处对此不作限制。在一个优选实施例中，所述棱柱体可以为正三棱柱、正四棱柱、正五棱柱或正六棱柱之一。
122.在另一个优选方案中，该多个芯片子电极的外形结构及尺寸均一致，但在其他实施例中，该多个芯片子电极的外形结构可以一致或者不一致，且尺寸可以一致或不一致，此处对此不作限定。
123.在一实施例中，芯片主体为棱柱体，两个芯片电极1、5之间的间距可以是指所形成的环形阵列横截面之间的距离。在一实施例中，环形阵列的芯片电极1、5分别包覆芯片主体的一个底面(端面)。
124.本技术方案所提供的led芯片转移方法，使用溶液法(或称流体自组装法)进行led芯片转移，将led芯片均匀放置在溶液中，溶液在背板的基板上自由流动，带动led芯片随机运动，当溶液蒸发后，柱状结构的led芯片被横置地随机沉淀在基板上，两个芯片电极可以与基板上的基板电极发生接触，完成转移过程。因此，基板电极的设计，应当使led芯片在随机分布的情况下，有最大的概率led芯片的两个芯片电极落在不同的基板电极上。
125.在一个实施例中，请参阅图3a～6b，下面给出4种可行的背板的电极形状设计，基板10的第一表面上间隔设置若干电极单元，电极单元包括结构一致且间隔设置的两类基板电极11、12，或结构一致且间隔设置的三类基板电极11、12、13，且各个基板电极之间的间距(即最小距离)应有限制，各个基板电极之间的间距指的是正对的边缘的距离，如图3a中的第一排第一列的白色方框的右边与第一排第二列的斜线方框的左边之间的距离为相邻两个芯片电极之间的最小距离。需要说明的是，此处所述的结构一致可以是指基板电极的外形一致，如在一个实施例中，基板电极11、12为正方形，另一个实施例中，基板电极11、12、13的横截面为圆形。进一步优选地，该基板电极的尺寸还可以一致，例如，基板电极11、12、13的横截面均为圆形，且基板电极11、12、13所对应的圆形的半径一致，但在实际应用中，基板
电极的尺寸是可以有差异的，此处对此不作限制。
126.请参阅图3a～5b，在一个实施例中，基板电极可包括两类，包括间隔设置的第一基板电极11和第二基板电极12，第一基板电极11与第二基板电极12的形状和结构基本一致，在不影响性能的情况下可以允许有细微偏差，而基板10上的第一基板电极11和第二基板电极12沿纵向相交错排布，基板10上的第一基板电极11和第二基板电极12沿横向也相交错排布，即与第一基板电极11相邻的都是第二基板电极12，同理，与第二基板电极12相邻的都是第一基板电极11。又例如，在相邻的两个第一基板电极11之间，设置有一个第二基板电极12，在相邻的两个第二基板电极12之间，设置有一个第一基板电极11。如图3a、3b、4a、4b所示。
127.在一个实施例中，第一基板电极11与第二基板电极12间隔设置，任两个第一基板电极11之间的最小距离大于任两个第一基板电极11与第二基板电极12之间的最小距离。
128.在整个基板10的第一表面上看，其中一类基板电极的多个将另外一类基板电极的一个包围在内，任两个同类基板电极之间的最小距离大于任两个不同类基板电极之间的最小距离。
129.请参阅图5a～6b，在一个实施例中，基板电极包括三类，包括结构一致的第一基板电极11、第二基板电极12和第三基板电极13，基板上的第一基板电极11、第二基板电极12和第三基板电极13中的任一个基板电极分别与另外两个基板电极相邻，使得第一基板电极11均与第二基板电极12及第三基板电极13相邻，且与相邻的电极单元中的第二基板电极12及第三基板电极13相邻，即与第一基板电极11相邻的都是第二基板电极12及第三基板电极13；同理，与第二基板电极12相邻的都是第一基板电极11及第三基板电极13，与第三基板电极13相邻的都是第一基板电极11及第二基板电极12。在整个基板10的第一表面上看，其中两类基板电极的多个将另一种基板电极的一个包围在内。例如，任两个相邻的第一基板电极11之间设置有第二基板电极12和/或第三基板电极13，任两个相邻的第二基板电极12之间设置有第一基板电极11和/或第三基板电极13，任两个相邻的第三基板电极13之间设置有第二基板电极12和/或第三基板电极13，如图5a、5b、6a、6b所示。
130.基板10上的同类基板电极之间通过基板10上的电极线互相短路，不同类基板电极(如第一基板电极11与第二基板电极12)之间可以施加不同的电压而形成电势差。如果led芯片20的两个芯片电极与不同类型的基板电极接触并电连接时，该led芯片的两个芯片电极由于具有电势差而被点亮。否则如果led芯片20的两个芯片电极落在相同的基板电极上，那么它两端的电势差是0，不会被点亮，因此应当尽量避免这类情况的发生。由于led芯片20方向随机，为了实现对led芯片20的有效驱动，还应当配合适当的驱动电路和驱动信号时序，这些内容将在后面描述。另外需要注意，图3a～6b所描述的情况是基板电极重复数量很多的情况，实际基板电极重复数量应当参考像素面积进行设计，使得整个基板电极所占据的区域与像素面积符合。需要说明的是，不同类基板电极可以是不同时通入同一电压的基板电极，即不同类基板电极不同时接入一个电压，或者，不同类基板电极在不同时间接入同一电压。
131.请参阅图3a和图3b，公开的是第一种基板电极结构设计，有两类基板电极，分别为图案填充的第一基板电极11和无填充的第二基板电极12，每个基板电极11、12的横截面形状是正方形。正方形的基板电极11、12是以矩阵形式在空间密排的，并且在基板电极11、12
之间留下间距，在一个实施例中，第一基板电极11与第二基板电极12之间的间距(如相邻的第一基板电极11与第二基板电极12的相对的两条边之间的距离)是一致的。图3b展示了随机放置led芯片20后的情况，无填充的led芯片20表示转移失败的例子，有图案填充的led芯片20是转移成功的例子。
132.根据实验，这类基板电极设计下，正方形边长与led芯片长度的比值，所对应的成功转移的led芯片20比例参见下表一：
由此可见，正方形的边长与led芯片20的两个芯片电极之间的间距的比例范围为：0.6～1.2时，成功转移的led芯片比例都超过50％。另外，这类基板电极设计下，在相邻的基板电极之间的最小间距与正方形电极的边长的0.01倍～0.1倍时，可以进一步提高成功转移的led芯片的比例，需要注意的是，若led芯片20的两个芯片电极之间的间距应小于该正方形的边长和第一基板电极11与第二基板电极12之间的最小距离之和，可以避免一个led芯片20的将两个相邻的相同的基板电极11/12短接。而为了最大化转移成功率，led芯片长度设置成和正方形边长基本相等有更好的转移成功率，可以获得64％的转移成功率。
请参阅图4a和图4b，公开的是第二种基板电极结构设计，有两类基板电极，分别为图案填充的第一基板电极11和无填充的第二基板电极12，每个基板电极11、12的横截面形状是等边三角形的。且相邻的第一基板电极11、第二基板电极12之间的间距一致，同样地，三角形的基板电极11、12是空间密排的，并且在基板电极11、12之间留下间距。图4b展示了进行led芯片转移后的转移情况。空白填充的led芯片20表示转移失败的例子，图案填充的led芯片20是转移成功的例子，其中，成功是指led芯片20的两个芯片电极分别连接基板上的两个不同类基板电极，否则称为失败的例子。
根据实验，这种基板电极设计下，等边三角形边长与led芯片长度的比值，所对应的成功转移的led芯片比例参见下表二：
如图4a及4b所示，在同一行电极中，同一类基板电极的底边(此时以正三角形的平行于水平方向的一边作为底边)位于同一直线上，如同一行第一基板电极11的底边处于同一水平线，同一行第二基板电极12的底边处于同一水平线上。优选地，电极单元中的第一基板电极11对应的正三角形的一条边与第二基板电极12对应的正三角形的一条边相对且平行，优选地，相邻的正三角形的第一基板电极11和第二基板电极12相靠近的两条边应正相对。若正三角形的边长与led芯片20的两个芯片电极之间的间距的比例范围为：0.4～0.7时，成功转移的led芯片比例都超过50％。另外，这类基板电极设计下，相邻的第一基板电极11与所述第二基板电极12之间的最小距离(相邻的两个正三角形之间的正对平行的两条边之间的距离)与正三角形的边长的比例范围为：0.005～0.05，可以进一步提高成功转移的led芯片20的比例。而为了最大化转移成功率，三角形边长设置成led芯片20的两个芯片电极之间的间距的0.55倍左右有更好的转移成功率，有61％左右的led芯片20成功转移至背板上，需要说明的是，成功指的是该led芯片20的两个芯片电极分别连接至不同类的基板电极上。
请参阅图5a和图5b，公开的是第三种基板电极结构设计，有三类基板电极，分别为两种不同的图案填充的第一基板电极11、第二基板电极12和无填充的第三基板电极13，每个基板电极11、12、13的横截面形状是正六边形。正六边形的电极11、12、13是空间密排的，并且在基板电极11、12、13之间留下间距，相邻的基板电极11、12、13之间的间距相等，该间距指的是相邻两个基板电极之间的最小距离，如图5a，相邻的第一基板电极11与第二基板电极12的相对且平行的两条边之间的距离为相邻基板电极之间的最小距离。图5b展示了随机放置led芯片20后的情况空白填充的led芯片20表示转移失败的例子，图案填充的led芯片20是转移成功的例子。根据实验，这种基板电极设计下，正六边形的内切圆直径与led芯片长度的比值，所对应的成功转移的led芯片20比例参见下表三：
由此可见，任一电极单元中，第一基板电极11对应的正六边形的一条边与第二基板电极12对应的正六边形的一条边相对且平行，第一基板电极11对应的正六边形的另一条边与第三基板电极13对应的正六边形的一条边相对且平行，优选为正相对且相互平行。正六边形的内切圆直径与led芯片20的两个芯片电极之间的间距的比例范围为：0.2～1.8时，成功转移的led芯片比例都超过60％。另外，这类基板电极设计下，相邻的基板电极之间的最小间距与的正六边形电极的边长的比例范围为：0.05～0.2时，可以进一步提高成功转移的led芯片20的比例。而为了最大化转移成功率，led芯片20的两个芯片电极之间的间距的最优值为正六边形边长的1.732倍，或led芯片20的两个芯片电极之间和正六边形的内切圆直径的基本相等时，有更好的转移成功率，这时候98％的芯片可以转移成功。
请参阅图6a和图6b，公开的是第四种基板电极设计，有三类基板电极，分别为两种不同的图案填充的第一基板电极11、第二基板电极12和无填充的第三基板电极13，每个基板电极11、12、13的横截面形状是圆形。圆形的电极11、12、13是空间密排的，并且在电极11、12、13之间留下间距，相邻的基板电极之间的间距相等，该间距指的是相邻的两个基板电极所对应的圆形的圆心之间的距离与两个圆形的半径之间的差值(如相邻的第一基板电极11与第二基板电极12所在圆心之间的距离，分别减去两个圆的半径，所得差值即为间距)，即两个相邻基板电极之间的最小距离。图6b展示了随机放置led芯片20后的情况空白填充的led芯片20表示转移失败的例子，图案填充的led芯片20是转移成功的例子。根据实验，这种基板电极设计下，圆形直径与led芯片长度的比值，所对应的成功转移的led芯片20比例参见下表四：
由此可见，圆形的直径与led芯片20的两个芯片电极之间的间距的比例范围为：0.6～1.8时，成功转移的led芯片比例都超过50％。另外，这类基板基板电极设计下，相邻的基板电极之间的最小间距与圆形电极的直径的比例范围为：0.01～0.1，可以进一步提高成功转移的led芯片的比例。而为了最大化转移成功率，led芯片20的两个芯片电极之间设置成和圆形电极的直径的基本相等时有更好的转移成功率，这时候75％的芯片可以转移成功。
基于上述任一种方式的电极图形，在将led芯片20转移到基板10上后，并与基板10上的基板电极电接触，从而构成led显示装置的背板中各个像素结构。
请参阅图7，在一些实施例中，像素结构包括基板10、若干电极单元、若干led芯片20，电极单元间隔设置于基板10的第一表面上，led芯片20的两个芯片电极之间的间距大于任意两个相邻的第一基板电极11与第二基板电极12之间的最小距离，其中，一led芯片20的两个芯片电极分别连接一电极单元的第一基板电极11、第二基板电极12，或者一led芯片20的一个芯片电极连接一电极单元的第一基板电极11，led芯片20的另一个芯片电极连接与该电极单元相邻的另一个电极单元的第二基板电极12。
一般地，相邻的电极单元之间的最小间距基本等于电极单元之间的第一基板电极11与第二基板电极12之间的最小距离，在不影响性能的情况下可以允许有细微偏差。使得整个像素结构上的基板电极排布紧凑，整齐，有利于提高led芯片的转移效率。
上述的像素结构在基板10上间隔设置两种基板电极11、12，有利于均匀有效转移的led芯片20，那么制作的灯板、显示装置则也能发光均匀；另外，两种基板电极11、12不用区分正负极，led芯片20随机连接到两种基板电极11、12上后，只需要在两种基板电极11、12上设定适当时序的驱动电源，则可以使得两种基板电极11、12上存在电势差，随机连接在两种基板电极11、12上的led芯片20都能被点亮，提高了转移成功比例；同时led芯片20是被分时序点亮的，如此，可以提高其寿命，降低损耗。
请参阅图8，在另一个实施例中，电极单元还包括至少一个第三基板电极13，第一基板电极11、第二基板电极12、第三基板电极13相互间隔布置，且第三基板电极13具有与第一基板电极11结构基本一致，在不影响性能的情况下可以允许有细微偏差。如此，电极单元具有三类基板电极时，led芯片20的两个芯片电极分别连接至第一基板电极11、第二基板电极12以及第三基板电极13中的任意两种。
一般地，电极单元中的第一基板电极11、第二基板电极12及第三基板电极13之间的最小距离基本一致，在不影响性能的情况下可以允许有细微偏差；相邻的电极单元之间
的最小间距基板等于电极单元之间的第一基板电极11与第二基板电极12之间的最小距离，在不影响性能的情况下可以允许有细微偏差。使得整个像素结构上的基板电极排布紧凑，整齐，有利于提供基板10的利用率，提高led芯片的转移成功率。
上述的像素结构在基板10上间隔设置三类基板电极11、12、13，有利于进一步均匀有效转移的led芯片20，那么制作的灯板、显示装置则也能发光均匀；另外，三类基板电极11、12、13不用区分正负极，led芯片20随机连接到任意两种基板电极(11、12)/(12、13)/(13、11)上后，只需要在两种基板电极(11、12)/(12、13)/(13、11)上设定适当时序的驱动电源，则可以使得两种基板电极(11、12)/(12、13)/(13、11)上存在电势差，随机连接在两种基板电极(11、12)/(12、13)/(13、11)上的led芯片20都能被点亮，进一步提高了转移成功比例；同时led芯片20是被分三组分时序点亮的，如此进一步，可以提高其寿命，降低损耗。
请参阅图7，基板10可以是玻璃、晶体、蓝宝石底、塑料或可弯曲柔性聚合物膜等材料，但本公开不限于此。根据实施例的基板10的面积可以根据布置在基板10的第一表面中基板电极的面积以及随后将描述的布置在各个基板电极之间的led芯片20的尺寸和数量而变化。
可以在基板10上制作用于驱动led芯片20的驱动电路30，在具有两类基板电极的像素结构中，驱动电路30与第一基板电极11和第二基板电极12电连接；请参阅图8，在具有三类基板电极的像素结构中，驱动电路30与第一基板电极11、第二基板电极12及第三基板电极13电连接。
一般地，驱动电路30包括一系列的元器件，比如薄膜晶体管(thin film transistor，tft)、电容器等，驱动电路30也包含了元器件之间的金属连线，驱动电路30上方有一层中间绝缘层102，特定的位置通过金属过孔50与上方的电极单元相连。
在一个实施例中，请参阅图7和图8，在相邻的基板电极11、12之间覆盖上上绝缘层101，使得整个基板10的上表面呈现一个平面状态，没有高度差，以有利于提高led芯片20的转移成功率。可以理解的是，基板10的上表面呈现一个平面状态，可以使得圆柱体的led芯片20，以及侧面(当芯片主体为棱柱体时)的宽度(指的是led芯片宽度方向上的尺寸)小于两个相邻基板电极(11、12)/(12、13)/(13、11)之间的最小距离的led芯片20，的芯片电极落在两个相邻基板电极(11、12)/(12、13)/(13、11)之间的缝隙上时，也不会导致两个相邻基板电极(11、12)/(12、13)/(13、11)短接。
在一个实施例中，led芯片20被放置到基板10上时，横置在像素结构的最上表面，图7和展示了放置了led芯片20之后的像素结构的截面图，由于基板10的上表面是平面，led芯片20的位置比较规律，不会出现led芯片20翘起等情况，比较规整。
请参阅图9，在其中一个实施例中，适用于具有两类基板电极的像素结构，驱动电路30包括：第一驱动晶体管m1-1、第二驱动晶体管m1-2、第三驱动晶体管m2-1、第四驱动晶体管m2-2、第一电容c1、第二电容c2、用于接电源的电源线p1、p2、用于接入数据信号的数据线data以及用于接入扫描信号的扫描线scan。
本实施例中，第一驱动晶体管m1-1的第一极电连接至第一电源线p1，第一驱动晶体管m1-1的第二极电连接至至少一个第一基板电极11；第二驱动晶体管m1-2的第一极电连接至第二电源线p2，第二驱动晶体管m1-2的第二极电连接至至少一个第二基板电极12；第三驱动晶体管m2-1的第一极电连接至第一驱动晶体管m1-1的控制极，第三驱动晶体管m2-1
的第二极电连接至数据线data，第三驱动晶体管m2-1的控制极电连接至扫描线scan；第四驱动晶体管m2-2的第一极电连接至第二驱动晶体管m1-2的控制极，第四驱动晶体管m2-2的第二极电连接至数据线data，第四驱动晶体管m2-2的控制极电连接至扫描线scan。
请参阅图10，在另一个实施例中，适用于具有三类基板电极的像素结构，驱动电路30包括第一驱动晶体管m1-1、第二驱动晶体管m1-2、第三驱动晶体管m1-3、第四驱动晶体管m2-1、第五驱动晶体管m2-2、第六驱动晶体管m2-3、第一电容c1、第二电容c2、第三电容c3、用于接电源的电源线p1、p2、p3、用于接入数据信号的数据线data以及用于接入扫描信号的扫描线scan。
第一驱动晶体管m1-1的第一极电连接至第一电源线p1，第一驱动晶体管m1-1的第二极电连接至至少一个第一基板电极11；第二驱动晶体管m1-2的第一极电连接至第二电源线p2，第二驱动晶体管m1-2的第二极电连接至至少一个第二基板电极12；第三驱动晶体管m1-3的第一极电连接至第三电源线p3，第三驱动晶体管m1-3的第二极电连接至至少一个第三基板电极13；第四驱动晶体管m2-1的第一极电连接至第一驱动晶体管m1-1的控制极，第四驱动晶体管m2-1的第二极电连接至数据线data，第四驱动晶体管m2-1的控制极电连接至扫描线scan；第五驱动晶体管m2-2的第一极电连接至第二驱动晶体管m1-2的控制极，第五驱动晶体管m2-2的第二极电连接至数据线data，第五驱动晶体管m2-2的控制极电连接至扫描线scan；第六驱动晶体管m2-3的第一极电连接至第三驱动晶体管m1-3的控制极，第六驱动晶体管m2-3的第二极电连接至数据线data，第六驱动晶体管m2-3的控制极电连接至扫描线scan；第一电容c1、第二电容c2、第三电容c3分别连接在第一驱动晶体管m1-1的控制极和第一极之间、第二驱动晶体管m1-2的控制极和第一极之间、第三驱动晶体管m1-3的控制极和第一极之间。
上述两个驱动电路30的实施例中，第一电容c1、第二电容c2、第三电容c3是用于充放电以驱动所连接的驱动晶体管的开闭；晶体管的第一极、第二极、控制极分别为晶体管的源极、漏极、栅极。晶体管一般采用tft器件，比如n型mos管、p型mos管或绝缘栅双极晶体管等。
请参阅图3a～4b、图11以及图13b，在其中一些实施例中，具有两类基板电极的像素结构包括多个第一基板电极11、多个第二基板电极12、第一基板电极线41以及第二基板电极线42，第一基板电极线41通过金属过孔50将多个第一基板电极11彼此连接；第二基板电极线42通过金属过孔50将多个第二基板电极12彼此连接；其中，金属过孔50贯穿中间绝缘层102，由于多个第一基板电极11、多个第二基板电极12中，其中一种基板电极的多个将另外一种基板电极的一个包围在内，以使得使led芯片20在随机分布的情况下，有最大的概率led芯片20的两个芯片电极分别与不同的第一基板电极11、第二基板电极12电接触。
请参阅图5a～6b、图12以及图14b，在其中一些实施例中，具有三类基板电极的像素结构包括多个第一基板电极11、多个第二基板电极12、多个第三基板电极13、第一基板电极线41、第二基板电极线42以及第三基板电极线43，第一基板电极线41通过金属过孔50将多个第一基板电极11彼此连接；第二基板电极线42通过金属过孔50将多个第二基板电极12彼此连接；第三基板电极线43通过金属过孔50将多个第三基板电极13彼此连接；其中，金属过孔50贯穿中间绝缘层102，由于多个第一基板电极11、多个第二基板电极12以及多个第三基板电极13中，其中两种基板电极的多个将另一种基板电极的一个包围在内，使led芯片20
在随机分布的情况下，有最大的概率led芯片20的两个芯片电极与不同的第一基板电极11、第二基板电极12、第三基板电极13电接触。
请参阅图12，基板10的上表面的结构可以认为有上中下三层，上层是电极区域(电极单元)的电极层，第一基板电极11、第二基板电极12及第三基板电极13之间以上绝缘层101电气隔离；下层是设置金手指，第一基板电极线41、第二基板电极线42以及第三基板电极线43的电极线层，金手指第一基板电极线41、第二基板电极线42以及第三基板电极线43之间以下绝缘层(即第二绝缘层)103电气隔离；中间层是设置分别电连接电极单元和电极线的金属过孔50的过孔层，各个金属过孔50之间以中间绝缘层(第一绝缘层)102电气隔离。led芯片20的芯片电极是通过基板电极11、12、13，金属过孔50，电极线41、42、42一一对应依次连接到驱动电路30上的。
对像素结构的上下两层结构举例说明；例如，在具有两类正方形电极的像素结构中，图13a示出了结构的上层(电极层)表面，图13b示出了结构下层(电极线层)底面，图中画黑色圆圈表示金属过孔50。在图13a、13b中，所示出的图形在实体结构中是上下相对应的，在图13a图中，每一个基板电极11、12都至少与一个金属过孔50相连；在图13b中，第一基板电极11、第二基板电极12分别被第一基板电极线41、第二基板电极线42通过金属过孔50连接到一起，形成短路，并且引出到驱动电路30。
例如，在具有三类正六边形电极的像素结构中，图14a示出了结构的上层(电极层)表面，图14b示出了结构下层(电极线层)底面，图中画黑色圆圈表示金属过孔50。在图14a、14b中，所示出的图形在实体结构中是上下相对应的，在图14a图中，每一个基板电极11、12、13都至少与一个金属过孔50相连。在图14b中，第一基板电极11、第二基板电极12及第三基板电极13分别被第一基板电极线41、第二基板电极线42、第三基板电极线43通过金属过孔50连接到一起，形成短路，并且引出到驱动电路30。
另外，图13a～14b中，由于各个图示出的区域是各类基板电极所设置的位置，led芯片20的转移也主要发生在这个区域，因此这个区域可以被定义为电极区域。一般地，以一个电极区域对应一个电极单元说明相关实施例。
在一个实施例中，在实际的像素结构中，设置驱动电路30的区域(或称tft区域)与电极单元可以是分开并排设置的。如图15所示，为一个rgb(红绿蓝)像素点的像素结构，该像素点包含三个分别能发出不同颜色(rgb)的电极单元1、2、3。在这种像素结构中，驱动电路30可以是单层设计，要么是金属要么是半导体器件，因此，在基板10的上表面的一个像素点所在区域中，三个电极单元1、2、3及三个驱动电路30分别位于三个对应的电极区域1、2、3，设置驱动电路30的区域可以被置于电极单元1、2、3所没有占据的部分，使得驱动电路30位于电极单元1、2、3的一侧。
在另一个实施例中，设置驱动电路30的区域与电极单元也可以是堆叠的形式。如图11、12所示，驱动电路30位于电极层(图16中的电极单元1、2、3)下方，而电极线层位于驱动电路30上方和电极层之间与驱动电路30接触。这种堆叠结构的俯视图如图16所示，为一个像素点所在区域，该三个电极区域1、2、3分别包含三个分别能发出不同颜色(rgb)的电极单元1、2、3。由于驱动电路30的区域(层)与电极区域(层)在垂直于基板10方向上的投影可以重合，因此这种像素结构构成的背板可以在单位面积内放置更多发光区域，实现更高的像素密度。与图15所示的分开设计相比，堆叠结构可以节省空间，实现更高的器件密度，在
相同面积的显示装置背板上中也可以转移更多数量的芯片。
另外，堆叠式的像素结构，如图11、12所示，需要驱动电路30与第一基板电极11、第二基板电极12及第三基板电极13之间需要电连接，为此，它们之间需要制作特殊的上绝缘层101、中间绝缘层102和下绝缘层103，该上绝缘层101、中间绝缘层102和下绝缘层103生长速率可以是传统绝缘层的50％，生长温度比传统绝缘层高30℃。并且，上绝缘层101、中间绝缘层102和下绝缘层103总体厚度不小于100nm，而优选地不大于2000nm，因为考虑到上绝缘层101、中间绝缘层102和下绝缘层103的厚度太薄会导致绝缘效果不好，容易漏电，上绝缘层101、中间绝缘层102和下绝缘层103厚度太厚会另金属过孔50的沉积制造困难。堆叠式的像素结构中，驱动电路30层具有若干tft器件结构，它们的高度与非tft器件部分有差异，上绝缘层101、中间绝缘层102和下绝缘层103的厚度应当补偿它们之间的高度差，使得上层电极金属处于同一平面。
在一些实施例中，两个相邻的基板电极(11、12)/(12、13)/(13、11)之间的间距的宽度为其形状的边长(比如正方形、正三角形)或直径(比如正六边形电极的内切圆、圆形)的0.005倍～0.2倍。另外，在像素结构的各个基板电极的形状及其相关尺寸请参照上述各个实施例，这里不再赘述。
请参阅图9，在一些实施例中，本技术还提供了一种像素结构驱动方法，包括：
步骤一，分别向电极单元输入扫描信号和数据信号以进行寻址。
步骤二，向若干电极单元提供电流源，其中，依次向第一基板电极11、第二基板电极12中的一个提供正电流，向另外一个提供负电流，以依次点亮连接至第一基板电极11、第二基板电极12之间的led芯片20。
可以理解的是，该实施例中，适用具有两类基板电极的像素结构，扫描线scan和数据线data分别输入扫描信号和数据信号，第一电源线p1、第二电源线p2分别连接两个电流源。晶体管m1-1/2，m2-1/2和电容c1/2构成三个2t(晶体管)1c(电容)的驱动电路30。第一基板电极11、第二基板电极12之间led芯片20随机排布，不同基板电极之间均存在不同极性的led芯片20。
假设第一基板电极11、第二基板电极12之间的led芯片20包括d1，d2。请参阅图17，为第一电源线p1、第二电源线p2的电流时序图。在这个例子中，每一个周期分为三个阶段。第一个阶段是寻址，这时候第一电源线p1、第二电源线p2都没有电流，以便扫描线scan和数据线data执行寻址动作。后面两个阶段，第一电源线p1、第二电源线p2轮流充当电流流出端，同时另外一个充当电流流入端，把电流流出端设置为恒流输出，那么led芯片20工作的总电流也是确定，总电流会在各个并联的led芯片20之间均匀分布。由于电流与亮度成正比，在总电流得到控制时，总亮度也就得到了控制，显示的灰阶也能得到控制。
例如，在第二个阶段，第一电源线p1是电流流出端，第二电源线p2是电流流入端，此时正极接在第一电源线p1的led芯片d1有电流通过，总电流的大小控制了led芯片d1的总亮度。
请参阅图10在另一些实施例中，还提供了一种像素结构驱动方法，包括：
步骤一，分别向电极单元输入扫描信号和数据信号以进行寻址。
步骤二，向所述若干电极单元提供电流源，其中，依次向第一基板电极11、第二基板电极12、第三基板电极13中的一个提供正电流，向另外两个提供负电流，以依次点亮连接
至第一基板电极11、第二基板电极12之间的led芯片20，第一基板电极11、第三基板电极132之间的led芯片20，第二基板电极12、第三基板电极13之间的led芯片20。
可以理解的是，该实施例中，适用具有三类基板电极的像素结构，扫描线scan和数据线data分别输入扫描信号和数据信号。第一电源线p1、第二电源线p2、第三电源线p3分别连接三个电流源。晶体管m1-1/2/3，m2-1/2/3和电容c1/2/3构成三个2t1c的驱动电路30。第一基板电极11、第二基板电极12及第三基板电极13之间led芯片20随机排布，led芯片20的两个芯片电极分别连接不同类的基板电极。
请参阅图10，假设第一基板电极11、第二基板电极12、第三基板电极13之间的led芯片20包括d1，d2，d3，d4，d5，d6。请参阅图18，为第一电源线p1、第二电源线p2、第三电源线p3的电流时序图。在这个例子中，每一个周期分为四个阶段。第一个阶段是寻址，这时候第一电源线p1、第二电源线p2、第三电源线p3都没有电流，以便扫描线scan和数据线data执行寻址动作。后面三个阶段，第一电源线p1、第二电源线p2、第三电源线p3轮流充当电流流出端，同时另外两个充当电流流入端，把电流流出端设置为恒流输出，那么led芯片20工作的总电流也是确定，总电流会在各个并联的led芯片20之间均匀分布。由于电流与亮度成正比，在总电流得到控制时，总亮度也就得到了控制，显示的灰阶也能得到控制。
例如，在第二个阶段，第一电源线p1是电流流出端，第二电源线p2、第三电源线p3是电流流入端，此时正极接在第一电源线p1的led芯片d1和d3有电流通过，总电流的大小控制了led芯片d1和d3的总亮度。
需要说明的是数据线data上的高(电平)电压应当高于电源线p1、p2、p3的峰值电压，扫描线scan上的高(电平)电压应当高于数据线data上的高(电平)电压，才能保证电路正常工作。
上述像素结构的驱动方法，其像素结构包含两或三类基板电极，并且无固定的正负极之分，使得led芯片20随机连接到两种基板电极上后，只需要在两种/三种基板电极依次提供正电流，则可以使得两种基板电极上存在电势差，随机连接在两种基板电极上的led芯片20都能被点亮，大大提高了转移到基板10上的led芯片20有效利用率，即提高了转移成功的比例；同时led芯片20是被分时序点亮的，如此，可以提高其寿命，降低损耗。
本技术还提供了一种灯板和一种显示装置，该灯板包括上述的像素结构；该显示装置包括该灯板。
另外，本技术还提供了led芯片的转移方法。需要说明的是，led芯片的转移方法中的各实施例是以电极单元包括三类基板电极为例说明，而电极单元包括两类基板电极其实与包括三类基板电极的实施方式类同，因此不再赘述。
请参阅图19，并结合图1至图18，实施例一：led芯片20的转移方法包括：
步骤s110，向基板放入混有led芯片的溶液，所述基板上设有若干电极单元，所述电极单元包括若干基板电极，led芯片包括芯片主体以及间隔设置在芯片主体上的两个芯片电极，led芯片的两个芯片电极之间的间距大于任两个相邻的基板电极之间的最小距离。
步骤s130，加热以蒸发所述溶液，使led芯片置于基板上。
该led芯片20的转移方法适用于向上述具有两类基板电极的基板10进行led芯片20的转移，请参阅图3a～4b；也适用于向上述三类基板电极的基板10的转移，请参阅图5a～6b。
其中，溶液可以是去离子水，甲苯，二甲苯，甲醇，乙醇，异丙醇等之一或至少之一。可理解的是，通过设置将混有led芯片20的溶液放入到设有间隔排布基板电极的基板10上，溶液在基板10上自由流动，带动led芯片20随机运动，当溶液蒸发后，led芯片20沉淀在基板10上，且基板10上的基板电极的结构、间距一致，可以使得led芯片能够在基本上接近均匀分布，并且有最大的概率led芯片20的两个芯片电极落在不同的基板电极上并且电接触，完成转移过程，整个制作工艺过程简单，成本低。
请参阅图20，在一些实施例中，可以在相邻的基板电极中，第一基板电极11和第二基板电极12之间，第二基板电极12和第三基板电极13之间，第三基板电极13和第一基板电极11之间，从其中一个基板电极的中部向另一个基板电极的中部方向开设有限位槽对60；具体地，限位槽对60是成对的开设在相邻的两个基板电极上，限位槽对60连通后，是自其中一个基板电极的表面向另一基板电极表面延伸。可以理解的是，基板电极的中部指的是除基板电极的边缘之外的其他位置(如图20所示的第一基板电极11的上表面的以一条边为基础边，与所述基础边连接的两条侧边所围成的区域之内作为中部，上表面指的是所述第一基板电极11的与所述led芯片20接触的一面)。限位槽对60贯通基板电极之间的填充层，即上绝缘层101。由于这些限位槽对60构成了势能低点，使得led芯片20有更大的概率落在这些限位槽对60内，在限位槽对60的牵引下，增加led芯片20转移过程的成功率。
请参阅图21a、21b的两个例子，分别对应了横截面为正方形的电极和横截面为正六边形电极的情况。可以理解的是，限位槽对60是分别开设在相邻两个基板电极上的开槽连通构成的；每一对开槽的方向应当对齐；每一对开槽中，两个开槽长度比值在0.5到2之间(如开槽对包括第一开槽及对应的第二开槽，第一开槽的长度与第二开槽的长度之比可以是0.5～2)；并且，每个开槽的宽度与led芯片20的宽度适配，比如一致；限位槽对60的长度及对应相邻两个基板电极之间的间距之和，应当为led芯片20的长度的1.05到1.3倍。另外，每一个开槽的位置与相邻的基板电极边之间的距离不小于led芯片20宽度的2倍。
在另外一个实施例中，可以在相邻的两个基板电极分别开设有槽，两个槽的方向相同，槽口正对，该两个槽组成限位槽，该限位槽的结构可以与上述的开槽对的结构一致，此处不再赘述。
请参阅图22，在一些实施例中，转移方法，在执行步骤s110的工序之前或同时，还包括步骤s120：扰动溶液的工序，以使至少一个led芯片20与一个电极单元中的两种基板电极连接。可以理解的是，扰动溶液可以使得led芯片20在基板10的表面更加均匀分布；进一步地，led芯片20也可以有更大的概率落在这些限位槽对60内。步骤s120中，比如扰动持续时间10s～600s。
具体地，扰动溶液的方式包括：晃动溶液、对溶液施加磁场(利用磁力带动led芯片20移动)、对溶液施加冲击波(比如声波)、以及搅动溶液中的一种或多种。
请参阅图23，在一些实施例中，基板10设有若干区域，每一区域对应一个电极单元，步骤s110中向基板放入混有若干led芯片的溶液则包括分别向每个区域分别放入溶液。当然，每一区域可以对应两个或三个电极单元，以直接对一个rgb像素点的区域进行分别放入溶液。
如此，溶液可以被有选择性地放入到基板10上，比如溶液用打印的方式放入到基板10上有基板电极的区域。因为其他区域不需要led芯片20，这样有选择性地放置溶液，可
以节约led芯片20的数量。如果采用这种方式，可以在基板10上电极区域附近设置一些约束溶液流动的结构，比如沿每个电极区域的周缘设有用于约束溶液流动的凸边，这样溶液就不容易流动到不需要的地方，以辅助转移。
请参阅图24，在另一些实施例中，步骤s110中向基板放入混有若干led芯片的溶液包括：多个电极单元位于同一个区域，向区域放入溶液。如此，溶液也可以被无差异地放入到基板10上，溶液充满了基板10所在区域，基板10完全浸泡在溶液中，这样的优势是不需要打印工艺，可以比较简单地实现转移。该实施例中，基板10上电极区域附近也可以设置一些约束溶液流动的结构，比如沿每个电极区域的周缘设有用于约束溶液流动的凸边，这样溶液中的led芯片20就不容易流动到电极区域之外的位置，以辅助转移。
当led芯片20转移过程完成后，溶液被蒸干。这时候led芯片20与第一、二、三基板电极11、12、13之间只有较弱的连接，接触电阻具有随机性，部分led芯片20的接触电阻可能较大，会导致整个显示不均匀。同时，由于led芯片20与基板10之间只存在较弱的连接，此时如果移动基板10，可能导致led芯片20位置偏移，破坏转移效果，降低转移良率。因此，为解决该问题，下面将提出集中加强led芯片20与基板10上的基板电极的连接强度的键合方法，如此，能够得到键合的led芯片。
需要说明的是，led芯片的键合方法中的各实施例是以电极单元包括三类基板电极为例说明，而电极单元包括两类基板电极其实与包括三类基板电极的实施方式类同，因此不再赘述。
请参阅图25，第一种解决方案：在步骤s110向基板10放入混有若干led芯片的溶液中，其溶液中混合入光刻胶，当溶液蒸发干之后，置于基板10上的键合后的led芯片20包裹有一层光刻胶(即光刻胶层)104。由于光刻胶层104的存在，led芯片20的位置得以固定，不会由于基板10的移动而偏移，能够形成有效的电学接触和机械保护。
光刻胶可以是正胶，也可以是负胶。光刻胶的浓度不能太高，否则溶液流动性变差，无法实现转移。光刻胶浓度不能太低，否则不足以固定芯片和为后续制程提供支持。一般地，光刻胶与溶液的质量比在0.05～0.25之间。
在转移过程中，led芯片20充分移动之后，对溶液进行加热。加热过程中，同时实现蒸发溶剂和固化光刻胶的效果。光刻胶加热的温度优选为100℃～140℃，应当选取沸点低于这一温度的溶剂，比如乙醇。烘烤时间优选为30秒到10分钟。
第二种解决方案：为了进一步加强led芯片20与基板10之间的电学连接，可以在led芯片20的两个芯片电极与第一、二、三基板电极11、12、13之间再覆盖一层金属层105。在金属层105的沉积过程中，光刻胶是必要的工艺，因此预先覆盖光刻胶也可以节省光刻过程的一道工序。另外，相比于旋涂等放置光刻胶的常用工艺，通过上述的第一种解决方案放置上去的光刻胶比较均匀。
具体地，在第一种解决方案的基础上，步骤130加热以蒸发溶液之后，转移方法还包括：
请参阅图26和图27，通过曝光的方式去除包裹在led芯片20的两个芯片电极上的光刻胶，以及相邻led芯片20之间的光刻胶，保留led芯片20的上表面的光刻胶，使得led芯片20的两个芯片电极和基板电极11、12、13裸露。
具体地，该工序中是对光刻胶层104进行选择性曝光，曝光的区域与第一、二、三基
板电极11、12、13所在的区域重合。接下来，去除被曝光的区域。效果如图27所示。
请参阅图28，通过金属沉积的方式在led芯片20及背板的第一表面上形成金属层105。具体地，该工序中沉积的金属层105厚度比光刻胶层104的厚度薄一些。沉积金属的方式除了电镀的方式，还可以是蒸镀或者溅射的方式。
请参阅图29，去除沉积在led芯片20上的光刻胶，led芯片20的两个芯片电极与基板10的对应的基板电极之间形成金属连接。效果如图29所示，由于光刻胶层104被去除，光刻胶层104上方的金属层105也被移除。这样就使led芯片20与第一、二、三基板电极11、12、13之间形成了金属连接。这些金属有效降低了led芯片20与基板10之间的接触电阻，并且也给led芯片20与基板电极之间提供了一个较强的固定力量。图29所示的情况下，沉积金属层105的厚度超过led芯片20的宽度。
可以理解的是，沉积金属层105的厚度也可以小于led芯片20的宽度，如图30所示，由于led芯片20两端原本就存在芯片电极，在金属层105沉积的过程中，新沉积上去的金属会与led芯片20的两个芯片电极融合，形成一个整体。因此即使金属层105的厚度小于led芯片20的宽度，也能够形成有效的电学接触和机械保护。
上述问题的第三种解决方案：在步骤s110向基板放入混有led芯片20的溶液中，其溶液中没有混入光刻胶，而是混入一些作为固定胶的助焊剂，助焊剂可以是松香，也可以是树脂、含卤化物的活性剂、添加剂和有机溶剂组成的松香树脂系助焊剂，同时，设置基板电极的时候，在基板电极的上面，先覆盖一层焊接材料106，比如锡(sn)或者铟(in)。助焊剂与溶液的重量比的范围在0.1到0.3之间。根据焊接材料106不同，工艺温度也不同。
在步骤s130加热以蒸发溶液包括：
请参阅图31，对所述溶液进行预蒸发，以蒸发部分溶液。
该加热溶液预蒸发是以对溶液进行第一阶段蒸发处理，对溶液进行第一阶段蒸发处理后，使得溶液的体积减少为原先的0.1倍～0.5倍，即蒸发后的溶液体积是蒸发前的溶液体积的0.1倍～0.5倍。
请参阅图32，对溶液进行第一阶段蒸发处理之后，对基板10进行加热升温以进入焊接工序，使led芯片20的两个芯片电极、基板10上的第一、二、三基板电极11、12、13分别与焊接材料106融合；其后对溶液进行第二阶段蒸发处理以蒸发干剩余溶液。如此，led芯片20转移完成的时候，led芯片20的两个芯片电极搭在两个基板电极的焊接材料106上，led芯片20的两个芯片电极是直接与焊接材料106互相接触的，如此也能够形成有效的电学接触和机械保护。
led芯片20的两个芯片电极与焊接材料发生融合，实现电学接触，高温保持一定时间，完成焊接之后，降低回室温，焊接完成。
在上述及其他另外一些的实施例中，属于本方案的同一个构思下，实施步骤可以有灵活变化。比如另一种分阶段led芯片20焊接加固处理：
阶段一：溶液较多，浓度较低，led芯片20较容易自由运动。这个过程可以让led芯片20充分运动，在背板上尽量均匀排布；具体可以轻微晃动溶液(即扰动溶液)，一般地持续时间10s～600s，阶段一结束的标志：可以是led芯片20大致均匀分布。
阶段二：这时候led芯片20的排布已经基本上完成了，蒸发掉一些溶液，使得led芯片20不容易运动，然后再开始升温焊接；具体可以首先加热蒸发溶液，使得溶液的体积减少
为原先的0.1倍～0.5倍，然后进行升温焊接，一般地，温度为150℃～300℃，时间为2分钟～30分钟。以sn为例，优选的工艺温度在220℃到250℃之间，持续加热时间在15分钟～20分钟之间。
在另外的实施例中，上述实施例中对溶液的两个阶段的加热蒸发处理，可以是连续进行一次性完成，而无明显的第一二阶段分界。
上述问题的第四种解决方案：溶液中既不混入光刻胶，也不混入助焊剂，而是混入金属离子。金属离子可以是镍，金，铜，镉等金属离子(电镀单质电极)，也可以是它们的混合(电镀合金电极)，金属离子的浓度范围是10-2
由于像素结构中有第一、二、三基板电极11、12、13，可以让其中一个接电源正极，另外两个接电源负极，或一个接电源负极，另外两个接电源正极，使得不同类的基板电极之间存在电压差，电极通电后，使金属离子沉积在led芯片的两个芯片电极以及第一、二、三基板电极11、12、13表面，起到电镀的作用。或者以上述像素结构驱动方法向基板10上的电极施加电源以进行电镀工序。当电镀的时间足够长，第一、二、三基板电极11、12、13表面的金属与led芯片20的两个芯片电极会连成一片，如图33所示，得到键合后的led芯片。在转移完成后，不移动基板10的前提下，就可以完成金属层105的沉积，实现较好的电学接触和机械固定。
请参阅图33，在步骤s130加热以蒸发溶液的步骤中是对所述溶液进行预蒸发，以蒸发部分溶液，对溶液进行第一阶段蒸发处理使得溶液的体积减少为原先的0.1倍～0.5倍。其后，通过电镀使led芯片20的两个芯片电极覆盖有金属层；其后对溶液进行第二阶段蒸发处理，以蒸发剩余溶液。
在另外的实施例中，上述第二、四种解决方案沉积金属的电镀过程属于本解决方案的同一个构思下，实施步骤可以有灵活变化。比如，另一种分阶段上述电镀过程：
阶段一：溶液较多，浓度较低，led芯片20较容易自由运动。这个过程可以让led芯片20充分运动，在背板上尽量均匀排布；具体可以轻微晃动溶液(即扰动溶液)，一般地持续时间10s～600s，阶段一结束的标志：可以使led芯片20大致均匀分布。
阶段二，这时候led芯片20的排布已经基本上完成了，阶段二：首先加热蒸发溶液，使得溶液的体积减少为原先的0.1倍～0.5倍。然后再开始施加电镀电流进行电镀，电镀的金属离子优选为铜离子，时间优选为5min～30min。
另外，上述电镀过程中，电镀速率应当控制在0.4微米每分钟～0.6微米每分钟，时间通常不应当超过一个小时。如果像素结构是堆叠式，那么基板电极能够保护tft区域的驱动电路30在电镀过程中不受损伤。如果像素结构是电极单元与tft区域在基板10的上表面并列放置，那么应当在tft区域上方另外制作致密度较高的中间绝缘层102(该中间绝缘层102与堆叠结构的上绝缘层101、下绝缘层103相同工艺要求)，厚度不低于1微米，起到保护tft区域的作用。
采用电镀工艺制作电极加固连接的优点是，不需要进行光刻，不需要进行对齐，就能够自动在有基板电极的区域沉积上金属层105。并且，沉积的金属层105不容易爬上led芯片20没有金属的部分，避免由于金属层105挡光，这种工艺使得led芯片20的出光效率较高。
在一些实施例总，步骤s130之前，转移方法还包括：向第一、二、三基板电极11、12、13施加电源，以使若干个led芯片自动整列(即自组装，self-assembly)，从而使多个led芯
片20的两个芯片电极与至少两类基板电极中的任意两类基板电极均连接。向第一、二、三基板电极11、12、13施加电源与上述像素结构驱动方法向基板10上的电极施加电源的方式类同。此工序也可以在上述各实施例的转移方法中加入，以提高led芯片在转移的转移效率。
如果各个电极区域用被有选择性地放置在基板10上的方式分别在放入放置含有红色(r)，绿色(g)和蓝色(b)的led芯片20的溶液，并确保它们不互相渗透，通过上述实施例一，以及第一、二、三、四种解决芯片电极加固的方案中的任一种led芯片的键合方法将它们分别排列好，即能实现每个像素点具有三种颜色的出光，不在需要进行颜色转换。此方式，使用的led芯片20可以用上述a型的氮化镓基led芯片实现bg芯片，用a型的砷化镓基led芯片分别实现r芯片，也可以上述自带颜色包覆层7的b型led芯片。
若放入到各个电极区域的led芯片20与预设的发光颜色不匹配，则需要进行颜色转换。下面将以，每一区域对应一个电极单元为前提，提供几种颜色转换的方式。具体地，若每一区域对应一个电极单元，那么在步骤s110向基板放入混有若干led芯片的溶液则包括；分别向每个区域放入溶液，那么颜色转换方案说明如下：
第一种发光颜色转换方案：在分别向每个区域放入溶液中，溶液混有光刻胶以及光转换材料；加热以蒸发溶液，led芯片20外表面包裹有光刻胶及光转换材料。因此，请参阅图34，放入溶液后的基板10的上表面包裹有具有光转换材料的光刻胶层104。
具体地，本步骤中，溶液里面除了蓝色led芯片20(采用b型led芯片或氮化镓基led芯片)之外，也混入光转换材料和光刻胶，光转换材料可以采用量子点或荧光粉。溶液采用图23所示有选择性放入的方式被打印到特定的电极区域，并且r和g电极区域被打印上带有对应颜色的光转换材料的溶液，b电极区域的溶液不放置光转换材料，但可以有光刻胶，请参阅图40。
在步骤s130在加热以蒸发溶液之后，还包括：
首先，通过曝光的方式去除裹在所述led芯片20的两个芯片电极以及相邻的led芯片29之间光刻胶层104，以使得led芯片20的两个芯片电极和基板电极裸露。
具体地，请参阅图35，在这个例子中，被照射的区域光刻胶固化。固化区域为基板电极之间间隙区域，或者比基板电极间隙区域略大，以增加色转换和出光效率。接下来，去除未被照射的区域的具有光转换材料的光刻胶层104，效果如图36所示。其中，光转换材料与溶液的质量比范围是0.01到0.1之间，光刻胶应当选择固化之后变成透明的材料，即光刻胶在经过固化之后是透明的，不会对光线进行遮挡。
其后，通过金属沉积的方式在led芯片20的两个芯片电极与所在电极区域的基板电极之间形成金属层105。请参照图37，该示例中的金属层105厚度大于led芯片20的直径；请参照图38，该示例中的金属层105厚度小于led芯片20的直径。两种设定的具体原理和作用请参照前述图29、图30相关实施例的说明。
第二种发光颜色转换方案：与第一种发光颜色转换方案不同的是，在分别向每个区域放入溶液之前先向区域(电极单元)打印光转换材料。
那么，在分别向每个区域放入溶液，溶液混有光刻胶。溶液可以采用图23所示有选择性放入的方式被打印到特定的电极区域，也可以采用图24所示的无差异地放入的方式使得基板10浸泡在溶液中。
而在步骤s130中加热以蒸发溶液之后，请参阅图39，led芯片20外表面包裹具有光
转换材料的光刻胶层104。
在一个可选的实施例中，区域包括r电极区域、g电极区域及b电极区域，那么先向区域打印光转换材料包括：
分别向r电极区域及g电极区域打印光转换材料；
而在步骤s130中，加热以蒸发溶液后，r及g电极区域的led芯片外表面包裹有光刻胶及光转换材料形成的r色转换层107、g色转换层108，b电极区域的led芯片外表面包裹有光刻胶形成的光刻胶层104，请参阅图40。
最后在步骤130之后，还包括：
请参阅图35、36，通过曝光的方式去除led芯片20的芯片主体的上表面之外的区域的光刻胶；
请参阅图37、38，通过金属沉积的方式在led芯片的两个芯片电极与所在电极区域的基板电极之间形成金属层105。
第三种发光颜色转换方案：在步骤s110向基板放入混有led芯片的溶液中，溶液包括第一溶液、第二溶液及第三溶液，第一溶液还混有第一光转换材料(红色)、光刻胶、金属离子，第二溶液混有第二光转换材料(绿色)、光刻胶、金属离子，第三溶液还混有光刻胶、金属离子，区域包括r电极区域、g电极区域及b电极区域，在步骤s110向基板放入混有led芯片的溶液，包括：向r电极区域放入第一溶液；向g电极区域放入第二溶液；向b电极区域放入第三溶液。需要说明的是，r电极区域可以是为连接发出红光的led芯片而准备，b电极区域可以是为连接发出蓝光的led芯片而准备，g电极区域可以是为发出绿光的led芯片而准备。另外，所述第一溶液、第二溶液及第三溶液均可以分别是去离子水，甲苯，二甲苯，甲醇，乙醇，异丙醇等之一或至少之一，此处对此不作限制。
在一个示例中，在第一溶液中加入作为第一光转换材料的红色量子点(或荧光粉)，在第二溶液中加入作为第二光转换材料的绿色量子点(或荧光粉)。
具体地，在步骤s130的加热以蒸发溶液的步骤包括：先对放入基板10的溶液进行第一阶段的预蒸发，蒸发部分溶液；其后，请参照图33，与上述电极加固连接的第四种解决方案类似的：在对溶液进行第一阶段蒸发处理之后，向至少两类基板电极中的基板电极施加电源以进行电镀工序，以使led芯片20的两个芯片电极和基板电极覆盖有金属层105，以使led芯片20的两个芯片电极与第一、二、三基板电极11、12、13之间形成较为固定的电连接。其中，预蒸发是蒸发掉一部分溶液，使得led芯片20不易脱离基板、但是溶液的量又足够实施电镀。在第一、二、三基板电极11、12、13上，用之前描述的第四种解决键合方案的方法进行电镀(因为溶液中含有金属离子)，镀上的金属层105包覆在led芯片20的芯片电极上。加热蒸发剩余的溶液后，图40所示为一个像素点的区域的效果示意图。
另外，在需要用到电镀工艺时，需要注意的是应适当增加光转换材料的浓度，因为金属沉积过程可能会在基板电极上混入光转换材料，导致光转换材料浓度下降。由于基板电极并不透明，这种混合对屏幕性能没有影响，但是应当适当提高色光换材料的浓度以补偿电镀过程中浓度的下降。
第四种发光颜色转换方案：在每一个像素点的区域内，需要制作r，g和b三种颜色的发光单元。由于，本示例中在步骤s110放入的溶液里面是单色led芯片，比如蓝色；因此，需要对其中的两个电极区域(r电极区域、g电极区域)进行色转换。在一个示例中色转换包
第一阶段，在溶液中混入的光转换材料只有红色量子点(或荧光粉)，因此溶液蒸发后可以把整个基板10都覆盖成红色量子点构成的r色转换层107。第二阶段，可以用光刻的方式选择性地清除r色转换层107，仅保留r电极区域的r色转换层107。
第三阶段，用常规的量子点打印的方式将绿色光转换材料放置到g电极区域上，构成g色转换层108。这样，用本方案减少了一次色转换材料的制作过程，图40所示为一个像素点的区域的效果示意图。
第五种发光颜色转换方案：请参阅图41，也可以不用区分三种颜色的光转换材料，而是在所有像素点区域上都覆盖与混入的led芯片20发光颜色不同的另外两种色转换材料的混合物，比如混入的led芯片20是蓝光led芯片，混合物为rg色转换层110。这种方式这样可以简化工艺，色转换材料的组分和构成的色转换层的厚度应当使得转换和透射的光同时具有rgb分量。为了实现三种颜色，在各个电极区域的色转换层上方还需要设置与发光颜色对应的滤光膜，g电极区域上设置g滤光膜111，r电极区域上设置r滤光膜112，b电极区域上设置b滤光膜113。并且，为了防止相邻颜色之间的互相干扰，在不同发光(电极)区域之间应当制作遮光层115，对光线进行遮挡。
在步骤s110中向基板放入混有若干led芯片的溶液中，其溶液混入光刻胶以及光转换材料，基板10的上表面包裹有具有光转换材料的光刻胶；请参照图41，在步骤s130蒸发掉溶液之后，转移方法还包括：在各个极单元之间设置遮光层115；在各个电极单元上设置预定义颜色的滤光膜111～113。在其他实施方式中，在步骤s110中向基板10放入溶液中，还可以混入金属离子、助焊剂等，用于加固led芯片20和基板电极的连接强度。
在上述的实施例中，是以具有三类基板电极的基板10作为相关例子对整个各个制作工艺过程进行说明，可以理解的是，上述实施方式的各项工序对于具有两类基板电极，或四类以上基板电极的基板10同样适用，在此就不作赘述。另外，上述实施例中提到混入溶液的led芯片20多使用蓝光led芯片，对此，可以理解的是，混入溶液的led芯片20发光颜色是可以根据应用需求、成本等任意选择，在选定混入溶液的led芯片20的发光颜色后，需要进行颜色转换的发光区域可以根据情况而选择适配颜色的光转换材料，本领域技术人员可以根据需求搭配，这里不再赘述。
以上所述实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本技术的保护范围之内。