相对介电常数()是物质集中静电通量线的程度的衡量;是设计电容器必需的基本信息。一个溶剂的相对电容率是对于其极性的一个相对性度量。不同材料不同温度下的相对介电常数不同,利用这一特性可以制成不同性能规格的电容器或有关元件。
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在外加时会产生感应而削弱电场,原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介电常数(permittivity),又称诱电率。如果有高介电常数的材料放在电场中,场的强度会在电介质内有可观的下降。常用电介质的介电常数(,,,等)见于 电介质经常是绝缘体。其例子包括瓷器(陶器),云母,玻璃,塑料,和各种金属氧化物。有些和可以作为好的电介质材料。干空气是良好的电介质,并被用在可变电容器以及某些类型的传输线。蒸馏水如果保持没有杂质的话是好的电介质,其相对介电常数约为80。
BST薄膜介电常数的温度特性
一个电容板中充入介电常数为ε的物质后电容变大ε倍。
电介质有使空间比起实际尺寸变得更大或更小的属性。例如,当一个电介质材料放在两个电荷之间,它会减少作用在它们之间的力,就像它们被移远了一样。
当穿过,的速度被减小,有更短的。
相对介电常数εr可以用静电场用如下方式测量:首先在其两块极板之间为空气的时候测试电容器的电容C0。然后,用同样的电容极板间距离但在极板间加入电介质后侧得电容Cx。然后相对介电常数可以用下式计算
对于时变电磁场,物质的介电常数和频率相关,通常称为介。
介电常数又叫介质常数,介电系数或,它是表示绝缘能力特性的一个系数,以字母ε表示,单位为法/米
15%水湿砂(金刚石) |
介电常数与频率变化的关系
"介电常数" 在学术文献中的解释低介电常数薄膜机械性质量测结果
近十年来,半导体工业界对低介电常数材料的研究日益增多,材料的种类也五花八门。然而这些低介电常数能够在集成电路生产工艺中应用的速度却远没有人们想象的那么快。其主要原因是许多低介电常数材料并不能满足集成电路工艺应用的要求。图2是不同时期半导体工业界预计低介电常数材料在集成电路工艺中应用的前景预测。
早在1997年,人们就认为在2003年,集成电路工艺中将使用的绝缘材料的介电常数()将达到1.5。然而随着时间的推移,这种乐观的估计被不断更新。到2003年,国际技术规划(ITRS 2003[7])给出低介电常数材料在未来几年的应用,其介电常数范围已经变成2.7~3.1。
expansion)以及与化学机械抛光工艺的兼容性(compatibility with CMP process)等等。能够满足上述特性的完美的低介电常数材料并不容易获得。例如,薄膜的介电常数与热传导系数往往就呈反比关系。因此,低介电常数材料本身的特性就直接影响到工艺集成的难易度。
目前在超大规模集成电路制造商中,TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等许多公司为了开发90nm及其以下技术的研究,先后选用了应用材料公司(Applied Materials)的Black Diamond 作为低介电常数材料。该材料采用PE-CVD技术[8] ,与现有集成电路生产工艺完全融合,并且引入BLOk薄膜作为低介电常数材料与金属间的隔离层,很好的解决了上述提及的诸多问题,是目前已经用于集成电路商业化生产为数不多的低介电常数材料之一。