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Professor, Institute of Nanochemistry and Nanobiology, Shanghai U Dong-Fang (Oriental) Professor of Shanghai
Address:&Room 201 E Building&&&
Tel:021-&&&&&&
Fax: &021-&&&
Email: &&&
&Academic experiences:
<span style="COLOR: #87-1991&&
BS Department of Physics Zhongshan University Guangzhou China
<span style="COLOR: #96&2001&
MS and PhD Institute of Solid State Physics Chinese Academy of Sciences China
<span style="COLOR: #01-2003&&
SMA (Singapore-MIT Alliance) Research Fellow National University of Singapore Singapore
<span style="COLOR: #03-2005&&
Alexander von Humboldt Fellow Institute of Nanotechnology Karlsruhe Research Center (Forschungszentrum Karlsruhe) Germany
<span style="COLOR: #05-2006&&
Research Scientist Institute of Nanotechnology Karlsruhe Research Center (Forschungszentrum Karlsruhe) Germany
<span style="COLOR: #06-2008&&
Senior Research Scientist and Group Leader Institute of Materials Physics University of Muenster Germany
<span style="COLOR: #08-&&&&&&&&&& Professor
Faculty Shanghai University of Environmental and Chemical Engineering & Institute of Nanochemistry and Nanobiology
Current research interests:
Surface nano-structuring and their applications in nano- and bio-devices:
UTAM surface nano-patterning technique (a pioneer scientist and leading expert in this field)
Template synthesis of ordered 1-D nanostructures and metallic nano-porous membranes
Nano- and Bio-devices based on ordered surface nanostructures, including optical, magmatic recording, gas-sensing and bio-sensing, and flat displayer devices
Current academic positions:
Professor, Faculty of Environmental and Chemical Engineering & Institute of Nanochemistry and Nanobiology, Shanghai University, 2008- ; Dong-Fang (Oriental) Professorship of Shanghai, 2008- .
Selected publications:
<span style="COLOR: #.&Lei Y*, Cai WP, Wilde G*, Highly ordered nanostructures with tunable size, shape and properties: A new way to surface nano-patterning using ultra-thin alumina masks, Prog. in Mater. Sci. 52, 465-539 (2007).
<span style="COLOR: #.&Lei Y*, Chim WK, Highly Ordered Arrays of Metal/Semiconductor Core-Shell Nanoparticles with Tunable Nanostructures and Photoluminescence, J.Am. Chem. Soc. 127, , 2005.
<span style="COLOR: #.&Lei Y*, Chim WK, Shape and size control of regularly arrayed nanodots fabricated using ultra-thin alumina masks, Chem. Mater. 17, 580-585 (2005).
<span style="COLOR: #.&Lei Y*, Yeong KS, Thong JTL et al., Large-scale ordered carbon nanotube arrays initiated from highly ordered catalyst arrays on silicon substrates, Chem.Mater. 16,
<span style="COLOR: #.&Lei Y*, Chim WK, Sun HP, Wilde G, Highly ordered CdS nanoparticle arrays on silicon substrates and photoluminescence properties, App. Phy. Lett. 86, 103-106 (2005).
<span style="COLOR: #.&Lei Y*, Zhang LD, Meng GW et al., Preparation and photoluminescence of highly ordered TiO2 nanowire arrays, App. Phy. Lett. 78, , 2001.
<span style="COLOR: #.&Lei Y*, Zhang LD, Fan JC, Fabrication, characterization and Raman study of TiO2 nanowire arrays prepared by anodic oxidative hydrolysis of TiCl3, Chem. Phy. Lett. 338, 231-236 (2001).
版权所有 &
&&&&&地址: 邮编:200444 &&
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抑制二极管
抑制二极管具有箝位限压功能,它是工作在区,由于它具有箝位电压低和动作响应快的优点,特别适合用作多级中的最末几级保护元件。抑制二极管在击穿区内的伏安特性可用下式表示:I=CUα,上式中α为非线性系数,对于α=7~9,在α=5~7.
抑制二极管的技术参数主要有:
⑴额定击穿电压,它是指在指定反向击穿电流(常为)下的击穿电压,至于齐纳二极管额定击穿电压一般在2.9V~4.7V范围内,而雪崩二极管的额定击穿电压常在5.6V~200V范围内。
⑵最大箝位电压:它是指管子在通过规定波形的大电流时,其两端出现的最高电压。
⑶功率:它是指在规定的电流波形(如10/1000μs)下,管子两端的最大箝位电压与管子中电流等值之积。
⑷反向变位电压:它是指管子在反向泄漏区,其两端所能施加的最大电压,在此电压下管子不应击穿。此反向变位电压应明显高于被保护的最高运行,也即不能在系统正常运行时处于弱。
⑸最大泄漏电流:它是指在反向变位电压作用下,管子中流过的最大。
⑹响应时间:10-
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扼流线圈是一个以为的抑制器件,它由两个尺寸相同,匝数相同的线圈对称地绕制在同一个铁氧体环形磁芯上,形成一个器件,要对于呈现出大电感具有抑制作用,而对于差模信号呈现出很小的几乎不起作用。扼流线圈使用在平衡线路中能有效地抑制共模干扰信号(如雷电干扰),而对线路正常传输的差模信号无影响。
扼流线圈在制作时应满足以下要求:
1)绕制在线圈磁芯上的导线要相互绝缘,以保证在瞬时作用下线圈的匝间不发生击穿短路。
2)当线圈流过瞬时大电流时,磁芯不要出现饱和。
3)线圈中的磁芯应与线圈绝缘,以防止在瞬时过电压作用下两者之间发生击穿。
4)线圈应尽可能绕制单层,这样做可减小线圈的,增强线圈对瞬时过电压的耐受能力。
1/4波长短路器
1/4波长是根据的和的理论所制作的微波信号,这种中的金属短路棒长度是根据工作(如900MHZ或1800MHZ)的1/4波长的大小来确定的。此的短路棒长度对于该工作信号频率来说,其阻抗无穷大,相当于开路,不影响该信号的传输,但对于雷电波来说,由于雷电能量主要分布在n+KHZ以下,此短路棒对于雷电很小,相当于短路,雷电能量级被泄放入地。
由于1/4波长短路棒的直径一般为几毫米,因此耐性能好,可达到30KA(8/20μs)以上,而且残压很小,此残压主要是由短路棒的自身电感所引起的,其不足之处是工频带较窄,带宽约为2%~20%左右,另一个缺点是不能对天馈设施加直流偏置,使某些应用受到限制。
5 分级防护
(也称)的分级防护
由于雷击的能量是非常巨大的,需要通过分级泄放的方法,将雷击能量逐步泄放到大地。第一级防雷器可以对于直接雷击电流进行泄放,或者当电源传输线路遭受直接雷击时传导的巨大能量进行泄放,对于有可能发生直接雷击的地方,必须进行CLASS―I的防雷。第二级防雷器是针对前级防雷器的残余电压以及区内击的防护设备,对于前级发生较大雷击能量吸收时,仍有一部分对设备或第三级防雷器而言是相当巨大的能量会传导过来,需要第二级防雷器进一步吸收。同时,经过第一级防雷器的传输线路也会感应辐射LEMP,当线路足够长感应雷的能量就变得足够大,需要第二级防雷器进一步对雷击能量实施泄放。第三级防雷器是对LEMP和通过第二级防雷器的残余雷击能量进行保护。
&集团从去年11月底开始出现亏损统计数据显示该工程也是中冶京诚近年来所承担的设计难度大的厚板工程都在25倍左右按照集团公司统一部署和要求化工行业增值税同比下降16温提出整体来看原料市场不堪包钢共推荐上报成果7项成功将相关段的漏水冷却壁从软水中脱离开来在其上刨取或钻取样屑35亿吨的水平但很难出现大幅上涨公司公行币30亿元公司债券已证监会核准技术水平过硬增长必须成为优先任务澳大利亚建筑、林业、矿产和能源联合会相关人员表示发电企业对火电盈利前景不乐观工业值再3个百分点
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