kangll
发表于 2020-2-24 16:10 光子幕布和传统幕布区别：适合自己的才是最好的
光子幕布一经问世，就受到众多智能投影仪玩家的关注，相信很多人都明白，智能投影仪搭配幕布会有一个较好的观影体验，那么在光子幕布和传统幕布中我们应该如何选择？有了传统幕布，我们还需要换光子幕布吗？在此，为大家整理了一下光子幕布和传统幕布的区别，希望能给大家选购幕布时，提供参考：区别一：材质方面光子幕布采用全新的PET材料，使得幕面更加光滑平整，近距离观影画面更加清晰，幕面防卷不易泛黄；传统幕布多以PVC或玻璃纤维编制合成，相比做工较为粗糙，且表面有纹路，幕面会柔软，平整度需要适时调整。区别二：增益方面光子幕布画面峰值增益可达2.3，且画面色彩更为鲜艳明亮；传统幕布多以1.1倍增益为主，相比较之下光子幕布的画质表现等都更为出色，极大程度提升观影体验。区别三：抗光能力光子幕布抗光能力强， 适用于各类环境，并在保证高亮度的同时，维持良好的可视角度和均匀性；传统幕布抗光能力相对较弱，需要根据具体环境调整。区别四：使用方式光子幕布仅支持水平侧投，不支持机器侧投使用；传统幕布适用于任何投射方式，使用方式范围较广。区别五：适用机型光子幕布适用机型局限，单以极米电动光子幕布为例，适用机型仅局限于极米H3、极米Z6X和极米RS Pro等智能投影仪；传统幕布则广泛适用于各类机型，使用上较为灵活。区别六：价格方面光子幕布价格较贵，基本为几百以上，极米电动光子幕布目前售价799元；传统幕布价格种类多样，少则几十，多则几百。以上，就为光子幕布和传统幕布区别的全部介绍，光子幕布画面表现力和抗光能力较强，但仅支持水平正投和适用机型方面均有所局限，相比较之下，虽然传统幕布在材质较为粗糙，抗光效果比较一般，但适用范围较广，且使用上会更加灵活。在幕布的选择上，不一定越贵越好，适合自己的才是最好的。
LAKE
发表于 2020-8-23 09:38
幕布质地很好，够档次
yaya1
发表于 2020-2-24 16:18
区别还是挺大的
282nsk
发表于 2020-2-24 16:17
传统幕布除了啥都能投之外就没什么了....
superman67
发表于 2020-2-24 16:13
至今还在用白墙的我
神神神豪一
发表于 2020-2-24 16:12
最近光子幕布的风很大啊
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EUV极紫外线光刻机这应该是目前世界上已知的最前沿的黑科技。 现在市面上很多半导体器件，如cpu、emmc、ufs，有时会标注工艺制程为14nm，28nm等等，这里的nm制程所指的是MOS管实际制造结束时的栅级沟道宽度（感谢 @你猜指出描述中的错误）。 宽度越小，在同等器件的面积上能容纳的MOS管就越多，也就能在不增加面积的情况下，使半导体器件的性能翻倍。而在半导体制造过程中，决定栅极沟道宽度的关键就是光刻机。由于《瓦森纳协定》的约束，此类制程的光刻机此前禁止向中国企业出口。(根据 @田叶新 的建议，已修改)-----------------------------光刻机_360百科：光刻机/紫外曝光机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时"复制"到硅片上的过程。----------------------------ASML在2017年4月19日公布的2017第一季财报。ASML第一季营收净额19.4亿欧元，毛利率为47.6%，EUV极紫外光微影系统的未出货订单则累积到21台，价值高达23亿欧元。预估2017第二季营收净额将落在19~20亿欧元之间，毛利率约为43~44%。荷兰光靠ASML，养活了大半个国家的相关产业。EUV不仅代表了下一代半导体技术，也是目前能够大规模商用化的最尖端技术。深度
半导体巨头押注的 EUV 光刻，真能拯救摩尔定律吗？（上）深度
半导体巨头押注的 EUV 光刻，真能拯救摩尔定律吗？（下）————————我只是搬运工，版权属于原作者以及雷锋网————————深度
半导体巨头押注的 EUV 光刻，真能拯救摩尔定律吗？（上）本文作者：奕欣2016-11-09 15:33导语：戈登·摩尔所提出的摩尔定律，一直环绕着伟大而悲惨的光环：它似乎总在触碰半导体工艺的极限，却又在即将衰亡时因黑科技的拯救而重获新生。编者按：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。戈登·摩尔所提出的摩尔定律，一直环绕着伟大而悲惨的光环：它似乎总在触碰半导体工艺的极限，却又在即将衰亡时因黑科技的拯救而重获新生。如果光刻技术要数现代集成电路上的第二大难题，那么绝对没有别的因素敢称第一。目前，193nm 液浸式光刻系统是最为成熟的技术，它在精确度及成本上达到了一个近乎完美的平衡，短时间内很难被取代。不过，一种名为极紫外光刻（EUV 光刻）的技术半路杀出，成为近年来英特尔、台积电等芯片公司追捧的新宠。有人认为 EUV 光刻能够拯救摩尔定律，但事实是否真的如此？本文分上下两篇，首发于 IEEE，作者 Rachel Courtland，雷锋网捣泥、何忞及奕欣编译，未经许可不得转载。EUV实地测试：在位于纽约阿尔伯尼的纽约州立大学理工学院里，这台EUV光刻机（型号ASML NXE: 3300B）被用来刻出芯片表面的容貌。从图中这台设备前方的靠底部位置，可产生用来曝光晶圆表面的EUV光。机器远端连接了一条导轨，可以给晶圆在曝光前覆上涂层，并处理曝光后的工作。 即使你穿了兔子套装一样的超净服并置身 Fab 8 其中，你还是很难想象它有多大。位于纽约阿尔伯尼北部山林中，价值 120 亿美元的 GlobalFoundries 制造中心，成行成列地摆放着高大的机器。如同倒挂的微型过山车一般，天花板上的轨道里，有装载晶圆的运输设备从头顶呼啸而过。如果时机凑巧，你就可以见证运输设备把晶圆装载到生产设备的过程。随之，产品就将迎来三个月的生产周期，设备会把盘子大小的裸硅晶圆加工成可用在智能手机、电脑和服务器里面的芯片。是的，如果在公历新年开始制作一个微处理器，可能要等到春天才能完成。ASML机器内部：EUV 的产生，需要把二氧化碳脉冲激光发射到管道中，并在管道中与微型的锡液滴碰撞，进而产生等离子体。这台位于 ASML 荷兰费尔德霍芬总部，经过特殊组装的EUV光刻机，是该公司最新的产品之一光刻是工厂的心跳在这种先进制造过程中，一块晶圆要经历至少 60 次这样的锤炼：表面被覆上光敏材料，随后进入一个密闭光照的光刻机。在其中，经过一道名为“光蚀刻”的工艺，激光会打在预制刻有线路的平板上，随后在晶圆表面投射出被缩小的线路。由此可以产生超级精密的线路，以便制成精密半导体和导线电路，成为最先进的处理器的内部构造。几乎没什么特点能把这些光刻机从其他无数自动设备的海洋中区别出开来，也不会有什么红色的标识牌闪亮着标明“此处为重要工序”。但 Fab 8 的总经理 Tom Caulfield 解释道，光刻“是工厂的心跳”。如果把这些光刻机当作是摩尔定律的前沿阵地，人们就会更容易意识到，在五十多年中，不断把集成电路的半导体密度翻倍，代表了多么惊人的工艺进步。数十年来，包含光蚀刻在内的一系列持续而显著的突破，使得芯片厂商可以不停地缩小芯片工艺、维持研发周期并相对经济地把更多晶体管放到芯片里。这些进步使得我们可以从上世纪七十年代，芯片有几千个晶体管的情况，发展到如今的几十亿个。但为了行业持续的良性发展，GlobalFoundries 和其他芯片界领军公司却不能只依赖以往的高端光蚀刻技术。为此，他们正冥思苦想，意图进行一次重大的也是最具挑战性的转变。从行业创立之初，半导体光蚀刻就是通过电磁波辐射，即光照，来实现的。但半导体企业现在看重的技术里，辐射变成了另外一种东西。它的名字叫极紫外光（EUV），但不要被这个名字所迷惑。与当前的光刻机不同，EUV 无法在空气中传播，也不能通过透镜或者传统镜面聚焦。EUV 的产生也很是困难。首要的一步，是将激光照向一束快速射出的熔融态锡液滴流。此举是为了让制造出的光刻机能使用 13.5nm 波长的光（这种波长是当前最先进机器所用波长的十分之一），进而光刻机可一次完成以往需要多次曝光的蚀刻，从而为半导体公司节省成本。ASML光刻机内部：为了实现 EUV 光刻，工程师们只能让透镜靠边边了。一系列反射镜可以把 EUV 辐射从光刻机的光源位置（右下方）传输到光掩模板上。掩模板上带有需要蚀刻的线路，并可将 EUV 传递到晶圆上。附加的导轨（左侧，未出现在图中），负责晶圆在光刻机的运入和运出。掩模板有自身独立的出入口。但是，创造一个亮度和可靠性足够，且能在工厂每天 24 小时、全年不间断运行的 EUV 系统是一个著名的工程难题。多年来，EUV 技术遇到了很多质疑和无数次的失败，但是如今，它离实现只有一步之遥了。EUV 光刻技术现在，科技的发展的确到了一个转折点。荷兰的光刻工具制造商 ASML Holding 生产的 EUV 光源即将开始商业化投产。作为技术领航人的 ASML 公司，目前已经开始发货 EUV 光源，预计在 2018 年可实现最新的微处理器和存储器的批量生产。世界最先进的芯片制造商正在筹备将这些机器应用到自己的生产线中。这样做的风险很高。摩尔定律正在面临巨大挑战，没有人能确定去年总产值为 3300 亿美元的半导体产业将如何引导 5 年或是 10 年内的发展，也无人知晓“后摩尔定律”时代的半导体行业未来会是什么样子，利润的下降也可能是无法避免的。但是如果摩尔定律能有效地避免半导体行业营业额下降，即使只有 15%，它的现金流仍然是整个美国游戏产业营业额的两倍。光蚀刻系统制造的精细程度取决于很多因素。但是实现跨越性进步的有效方法是降低使用光源的波长。几十年来，光刻机厂商们就是这么做的：他们将晶圆曝光工具从人眼可见的蓝光端开始逐渐减小波长，直到光谱上的紫外线端。图中是 ASML 公司产品上的曲线和折角。EUV 与现在使用的 193nm 光源的多重成像技术（左）相比，保证了产品有更加尖锐的形状（右）。图中线的最小宽度为 24nm。 。80年代后期，半导体行业开始用激光代替汞灯作为光源，将波长从365nm 降低到 248nm。但是一些研究者们已经开始计划一个更大的进步——向X射线范围挺近。当时就职于日本电信公司 NTT的 Hiroo Kinoshita 在 1986 年发表了使用 11nm 射线的结果。另外还有 AT&T 公司的贝尔实验室和 Lawrence Livermore 国家实验室也分别实践了这种技术。1989 年，一些相关研究学者在光蚀刻学术会上碰面并交换了研究思想。再后来，相关的研究开始得到国家和行业内的赞助。90年代后期，ASML 公司和其他一些合作伙伴开始研究后来广为人知的技术——EUV 光刻技术。也是这个时候，在 ASML 公司荷兰总部 Veldhoven 小镇长大的 Anton van Dijsseldonk ，成为了公司开展该项目的第一个全职雇员。van Dijsseldonk 回忆道：“摩尔定律的终点已经被大家所预见到了。半导体行业一直都在寻找方法来保持技术革新和进步。芯片制造商们也在努力改进套刻技术——将晶片从光刻机中加工取出后再放入其中，并在原来的位置精准地印刷出下一层图像。那时的人们都在寻找不同的方法，而 EUV 就是里面较为不同的一个。”但是从一开始，ASML 公司 EUV 项目的研究者们就坚信这个技术可以实现，并且这个技术会成为芯片制造商们最划算的选择。不到十年的时间，ASML 公司决定做出一个 EUV 光刻机样机，使其他研究者们可以测试这种方法。但是，EUV 技术是非常困难的。在使用波长近乎为X光的射线去蚀刻时，物理学知识并不能为工程师帮上多少忙。对于公司最终选择的 13.5nm 波长射线，这种光可以轻易地被很多材料吸收。van Dijsseldonk 补充道：“即使我们呼吸的空气也是完全的黑色，因为它也吸收了最后一点射线。”所以他和他的团队很早就意识到，EUV 光刻机只能在真空下运行，晶圆通过一个气闸进出光刻机。之后接踵而来的就是让射线弯曲的问题。EUV 也能被玻璃吸收，所以在机器中改变其走向，需要使用反射镜来代替透镜，而且还不能是普通的反射镜。普通打磨镜面的反射率还不够，所以他们必须使用布拉格反射器（Bragg reflector，一种多层镜面，可以将很多小的反射集中成一个单一而强大的反射）。————————深度
半导体巨头押注的 EUV 光刻，真能拯救摩尔定律吗？（下） 编者按：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。戈登·摩尔所提出的摩尔定律，一直环绕着伟大而悲惨的光环：它似乎总在触碰半导体工艺的极限，却又在即将衰亡时因黑科技的拯救而重获新生。如果光刻技术要数现代集成电路上的第二大难题，那么绝对没有别的因素敢称第一。目前，193nm 液浸式光刻系统是最为成熟的技术，它在精确度及成本上达到了一个近乎完美的平衡，短时间内很难被取代。不过，一种名为极紫外光刻（EUV 光刻）的技术半路杀出，成为近年来英特尔、台积电等芯片公司追捧的新宠。有人认为 EUV 光刻能够拯救摩尔定律，但事实是否真的如此？本文分上下两篇，首发于 IEEE，作者 Rachel Courtland，雷锋网捣泥、何忞及奕欣编译，未经许可不得转载。在上篇，雷锋网(公众号：雷锋网)主要介绍了光刻制造技术的发展历程，在接下来的文章里，雷锋网将为大家继续介绍 EUV 技术拯救摩尔定律的探索。EUV 的商业化之路如今，ASML 的EUV 机器里的镜面由 40 对交叠的硅片和其上覆盖的钼层组成，每一层只有几纳米厚。 Zeiss 公司是这些镜面的制造商，他们将这些非球面表面加工地非常精确。但是 van Dijsseldonk 说：“如果一切都做的非常完美，那么可以得到一个反射率 70%的镜面。这个反射率代表着，光源通过该系统中的每一对镜面时都会减半。光刻机在把 EUV 光线从光源照射到掩模板上的时候，很容易就会用到好几个镜面；而掩模板本身也是一个镜面，经过它光线才会照到晶圆上。所以，一个EUV 光束在经过长途跋涉后，只有不到 2%的光线能保留下来。到达晶圆的光线越少，晶圆在光刻机中停留曝光的时间就要越长。然而在工厂里，时间就是金钱。为了使EUV 能实现商业化投产，这个技术需要与已有的光刻技术比拼成本高低。所以，为了弥补镜面反射过程中的损耗，射线光源必须非常强。这一点在实践中也被证明，对于工程师来说是一个极大的挑战。在研究早期，EUV 研究者们使用了他们能想到的所有东西来生成 X 射线，包括激光器和粒子加速器。但是其中最有效且经济的得到足够亮度的方法，需要用到等离子体。使用正确的材料和足够强的激光器或电流，就可以将电子从其附着的原子中分离出来。由此产生的等离子体在从超热滴状态冷却到之前的稳定状态过程中，就会产生 EUV 辐射。等离子光源在反复使用过程中，需在中心焦点达到 250 瓦特的功率，这个中心焦点也是 EUV 光进出光刻机的位置。这种强度的光可以使机器每小时处理约 125 个晶片，其批量处理的效率仅有现今使用的高级 193nm 技术的一半。但是多年以来，这种技术的进展一直很缓慢，光照亮度的提升始终未能达到人们的预期。直到 2011 年，也就是 ASML 公司将它的第一台光刻机样机交付给两个客户后的第五年，总部在圣迭戈的世界领先的光源制造商 Cymer 才成功地制作出一个能持续提供 11 瓦特功率的光源。ASML 的EUV 产品市场负责人 Hans Meiling 说：“我们可能低估了它的难度。”最后为了加速发展，ASML 公司在 2013 年用 31 亿欧元收购了 Cymer。为了制作 EUV 光，Cymer 使用了一种叫做“激光等离子体”的方法，这种方法是在一个真空腔体中，用源自金属切割技术的放大器，产生强大的二氧化碳激光，通过腔体，照射一束每秒被发射出5万滴的超纯锡液滴。当激光脉冲照射到锡液滴时，液滴会被加热成等离子体并产生EUV射线。接着，一个反射镜收集器将该过程产生的光线反射到光刻机中。因为这种方法在产生 EUV 光时也产生了锡碎片，所以还要持续为反射镜收集器喷射氢气，以保证它不会被一层锡所覆盖。于2013年加入 ASML 公司 EUV 光源项目的成员 Alberto Pirati 承认说：“我第一次听到这种做法时，觉得他们一定是疯了。”但是，一点一点地，这个团队似乎慢慢实现了这个看起来不可能的想法。其中一个最大的突破来自于 Cymer 在被收购之前实践的一项技术。他们发现，如果在主激光器开启前先发射一次预脉冲激光，就能把锡液滴铺平，为主激光器创造更大的接触面积，从而生成更多的等离子体。这个改变使得激光到 EUV 的转化率从刚够 1%提高至 5%。今年上半年，因为预脉冲的方法和其他一些改进，ASML 公司报道说，他们在实验室中光源已经达到了 200瓦特的功率。另一个光源制造商 Gigaphoton 也声称有巨大进步。我们期待已久的250瓦特功率的目标看起来并不遥远了。但是 EUV 技术是否能够投入生产的真正考验，出现在 ASML 芯片厂客户的实验室、加工厂和报表上。没有人质疑 EUV 机器能实现的高精度。如果你参加一个半导体行业大会，你很可能会看到一些展示，将 EUV 技术制作的清晰微小线路，和目前传统技术做出的模糊线路进行比较。但是现在的问题是，EUV 在主流商业芯片的批量生产中会扮演怎样的角色？它什么时候才会真正登场？当然，采用 EUV 技术的成本高得吓人。发言人 Niclas Mika 表示，最新 EUV 机器的价格超过 1 亿欧元，是现有常规 193nm 光刻机价格的二倍多，并且机器的高度与宽度相当于一辆纽约的巴士，需要用多台 747飞机运输。客户评估书中标明，使用该机器进行大批量生产时会消耗 1.5 兆瓦的电力，远超现有的 193nm机器。（组图）ASML液滴的进化：为了生成 EUV 光，熔融的锡液滴被激光脉冲击中后，变得扁平；之后被激光二次击中，变成可以辐射 EUV 射线的等离子体。但是，一个简单的规格比较并不能显示出全部的生产成本。现今高级的 193nm 光刻技术可以生产的芯片，工艺可以达到波长的一小点。这个技术的形成离不开两个主要的突破。第一个突破是浸液式光刻，即是将水放在晶圆和镜头之间。第二个突破是多重成像，即是将一层成像的过程分解成两步或多步。比如，要制作一组距离非常靠近的洞，一个晶片需要在光刻机中处理一次，加工成品的一半，接着再重复一次，少许错位后，加工另一半。因为晶圆的定位可以做到很高精度，所以工程师们可以完成比之前一步成像下间距更小的成像。从原理上说，成像步数越多，成像越精密。但是每增加一步，就会使芯片制造成本变得更加高昂，程序更加复杂。GlobalFoundries 在制作 14nm 级别芯片的时候，使用的是 Fab8 里面最先进的三重蚀刻法。也就是说，针对某些关键的芯片内层，芯片要经受光刻机和其他设备的两次额外蚀刻。据该公司在阿尔伯尼纽约州立大学理工学院，负责评估多重光刻技术的 George Gomba 以及其他 IBM 的同事透露，他们正计划在下一代 7nm 产品上，使用四重光刻法。截至目前，GlobalFoundries 计划在 2018 年推出 7nm 芯片的时候暂不使用EUV，但是在该项技术成熟的时候，依旧保留其应用到生产的可能性。对于 Gomba 和他的同事而言，EUV技术是否使用的关键点，就是它能否和多重光刻在成本上打个平手。这个问题很难回答，因为实际的成本取决于太多因素，比如EUV光源亮度可以到达何种程度、EUV 光刻系统正常运行时间（机器实际可工作时间比）有多少。Mark Montgomery/ ASML锡动力：为了生成EUV，ASML 的光源需要用脉冲激光，照射快速射出的锡液滴流。这个过程始于加工车间的地下，在里面可以生成两组激光脉冲。每个锡液滴先被一束预脉冲照射，变平；然后再由主脉冲照射，被加热后生成等离子体。装置里有一面收集反射镜，负责将生成的射线导入到光刻机中。巨头入局在 EUV上面烧钱的不只是 GlobalFoundries 和 IBM 两家。2012 年，英特尔、三星和台积电（TSMC）为 ASML 的下一代光蚀刻技术募集了 13.8 亿欧元的研发经费，同一项合约中，ASML也用无投票权的股份换取了 38.5 亿欧元。ASML 的 Meiling 估计，公司里大约有 4000 名专注 EUV 项目的员工，这还不算其他半导体公司和自身有 EUV 项目的研究机构里的人数。对 EUV 技术下了如此大手笔，不仅是因为技术本身的难度，更是因为半导体厂商愈发坚信，在不久的将来，他们很可能会因为没有 EUV 技术而止步不前。如果你去问台积电负责 EUV 光蚀刻开发的 Anthony Yen，EUV 对于摩尔定律的重要性时，他一定会非常肯定地强调：“肯定重要。百分之一百重要。非常非常重要。”台积电希望自家的 5nm 工艺芯片产线能在五年后使用上EUV技术。至于现在，EUV 还存在一些工程上的挑战。Yen 面对的首要问题就是保护掩模板（像模板一样的平板，上面有待印刷的图案）。如同EUV光刻机里面的其他元件一样，掩模版也是带有反射性的。于是，棘手的反射系数又成了问题。在 193nm 的浸蚀机中，掩模版由一层被称为护膜的薄膜保护着。这层薄膜距离掩模版有一点悬空的距离，像保鲜膜一样紧绷在上方。在当前的工艺尺寸下，一个肉眼看不见的小灰尘，仍然可以影响几百个晶体管的曝光。多亏了光学技术的发展，如果有一粒灰尘落到了保护膜上，保护膜就会因为无法聚焦而不能在晶圆上形成图案。不过 193nm 的护膜并不是为 13.5nm 的光所设计的；因为在这种波段下透明度不够高，EUV 很快就会损坏护膜。ASML 原计划制造不带护膜的光刻机，但是芯片厂商还是担忧可能带来的问题。“如果一粒灰尘落到了掩模版上”，Yen 解释道，“晶圆上面的每一块晶片都会被损坏，最终良品率可能为零。”日积月累后，取决于生产的晶圆数量，可能损失掉价值几万甚至几十万美元的芯片。于是，ASML 便开始了持续的研究，意图制造出能够抵抗 EUV 破坏的护膜。这种护膜的透光度必须尽可能地高，这样光源在到达掩模版的时候就可以几乎不发生损耗。这种情况下难度几乎翻了一倍：因为 EUV 的掩模版反射系数比透射系数要高，所以光必须穿过护膜两次：一次进入，一次反射出。在潜在客户接纳 EUV 技术之前，这项技术还有一些其他的挑战需要解决。其中一个就是制作无错的 EUV掩模版，并用高效的方式验证这块掩模版是完美无暇的。另一个问题是光刻胶，它是一种光敏材料，被覆在晶圆表面，接收掩模版的图案。现在使用的光刻胶，即化学放大光刻胶，由分子链聚合而成，可以增强入射光子的效果。但是 EUV 光刻胶创业公司 Inpria 的 CEO Andrew Grenville 解释道，这些材料对 EUV 的吸收效果并不好。此外，由于入射光引起的放大反应在材料内部散射，光刻胶形成的图像会有轻微模糊。为了能实现比当前技术更精细的线路图案，Grenville说，“你必须有尺寸小得多而且更可靠的制造模块”。Inspria 正在努力研发一种新型光刻胶，它由更小的锡氧化物组成，吸收 EUV 的效果是之前的五倍，而且线路图案也不会受放大影响。这些技术还来得及让摩尔定律永久或者短期地存续下去吗？光蚀刻专家 Chris Mack 对于这些技术在 2018 年能被半导体厂商采用，深表怀疑。新一代芯片的生产计划往往提前好几年就会开始。他评论到，在短短几年内就承诺能用上 EUV，“风险太高”。Mack 是著名的 EUV 技术批判者，还曾用他的莲花跑车同这项技术打赌。不过他也承认 EUV 技术还有“一丁点希望”。半导体厂商在步履艰难地减小线路尺寸的同时维持成本；每一代芯片成功流片的时间拉的更长；芯片工艺尺寸的减小也不像以往那样激进。这些困难可能会给 EUV 一个机会，他说：“摩尔定律的变缓可能真的会给 EUV 足够的时间迎头赶上。”足够的时间，也就是在摩尔定律被成本折磨到止步之前。Mack 说，EUV 当然可能会走到它被广泛接受而且能降低生产成本的那一天。但他也说，到了那个时候，下一代的先进芯片的制造成本可能过高，而所带来的性能优势不够明显，以致于半导体厂商不会选择这种技术。Mack 还表示，现在已经出现了上一代芯片制造工艺存活时间更久的情况，“我觉得我们可能看到市场的分化，许多公司在从事不同的业务。” 如同过去一样，摩尔定律的命运不仅取决于芯片工艺的尺寸，也取决于物理学家和工程师，对生产出的晶体管和电路可以改善到何种程度。即使从一束快速激射出的锡等离子体上发出的亮光，也不能明示，世间最伟大的技术蝉联取胜会到何时终止。但它可能会为前路照亮一点光。