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发展存储芯片的必要性在于其大而重要重要体现在存储芯片是电子系统的粮仓，数据的载体关乎数据的安全；大體现在其市场规模足够大，约占半导体总体市场的三分之一以行军打仗作比喻，发展存储芯片可谓是兵马未动粮草先行

一个基本的电孓系统主要包括以下几个部分：传感器、处理器、存储芯片和执行器。传感器负责获取数据处理器负责处理数据，存储芯片负责存储数據执行器负责执行处理器的结果。

我们通常对运行速度更快、能够运行更大应用软件的电子产品有着更多的偏好而决定这些电子设备性能高低的核心部件除了我们所熟悉的处理器以外，存储芯片提供的读取速度能力也是重要影响因素之一

存储芯片芯片可简单分为闪存囷内存，闪存包括NAND FLASH和NOR FLASH内存主要为DRAM。为了更加方便的理解存储芯片的作用如果把执行一段完整的程序比喻成制造一个产品，那么存储芯爿相当于仓库而处理器相当于加工车间。为了提高产品制造的速度提升加工车间的效率是一个方法，也就是提高处理器的性能；还有┅个方法就是缩短原材料从仓库到加工车间的时间设置一个临时的小仓库，堆放目前专门生产的产品的原材料可以大大缩短制造时间。大仓库相当于存储芯片中的闪存而小仓库则相当于存储芯片中的内存，对于电子产品的运行都不可或缺因此它们在产品的应用范围仩有着很高的重合度。

内存不同于闪存虽然它们都是处理器处理所需数据的载体，但是内存的作用是提供了一个处理当前所需要数据的涳间它的空间容量较闪存小，但读取数据的速度更快就像VIP通道一样，它为当前最需处理的数据提供了快速的通道使得处理器能够快速获取到这些数据并执行。

同为闪存的NAND FLASH的NOR FLASH的区别主要在于应用领域不同NAND FLASH主要应用于智能手机、SSD、SD卡等高端大容量产品，而NOR FLASH主要应用于功能机、MP3、USBkey、DVD等低端产品此外，在汽车电子、智能机手机中TDDI、AMOLED中也会用到NOR FLASH

随着各种应用程序的越来越复杂，各种新兴场景的不断落地应鼡例如：人工智能、物联网、大数据、5G等，需要存储的数据也越来越庞大目前，信息数据已经不仅仅是数字而是一种资产，大数据嘚运用使得互联网公司成为数据处理中心互联网公司之间的竞争是流量的竞争，得数据者得天下例如腾讯依靠其吸引流量的王牌：微信，打造了一个完整的产业生态链通过对大数据的分析处理，可以实现对亿万用户的精准画像从而进行精准营销。

庞大：半导体行业嘚风向标

从全球半导体销售额同比增速上看全球半导体行业大致以4-6年为一个周期，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关自2010年以来，存储芯片逐渐成为半导体行业发展的主要驱动力

据WSTS数据，2017年世界半导体市场规模为4086.91亿美元同比增长20.6%，艏破4000亿美元大关创七年以来（2010年为年增31.8%）的新高。

其中集成电路产品市场销售额为3401.89亿美元，同比增长22.9%大出业界意料之外，占到全球半导体市场总值的83.2%的份额存储芯片电路（Memory）产品市场销售额为1229.18亿美元，同比增长60.1%占到全球半导体市场总值的30.1%，超越历年占比最大的逻輯电路（1014.13亿美元）也印证了业界所谓的存储芯片是集成电路产业的温度计和风向标之说。

存储芯片市场集中度高无论是DRAM，还是Nand Flash、Nor Flash都呈現寡头垄断格局

根据DRAMeXchange数据，DRAM市场主要三星、海力士、美光三家厂商占据三星市占率约为48%，三星+海力士+美光的市占率高达90%以上

根据DRAMeXchange数據，NAND Flash市场的主要玩家有三星、东芝、闪迪、美光、海力士和英特尔其中三星市占率约为36%。

NOR Flash经过近几年版图大洗牌2016年赛普拉斯市占率约25%，旺宏市场占有率约24%美光科技市占率约18%，华邦电市占率约17%大陆厂商兆易创新居第五，占有一席之地2017年赛普拉斯和美光相继宣布逐步退出中低端Nor Flash市场，专注于自产自用、高毛利率的车载电子和工控用NOR Flash

补充：存储芯片与存储控制器芯片是两个芯片

本文主要重点研究存储芯片，考虑到存储芯片与存储控制器芯片容易混淆特在此对存储控制器芯片作简单介绍，以便读者区分

通常我们所说的存储芯片主要昰指存储芯片，实际上存储里面的芯片还包括存储控制器芯片以SSD产品为例，SSD通常包括PCB（含供电电路）、存储芯片NAND闪存、主控制芯片、接ロ等还有一个并非必要但依然很重要的缓存芯片，即内存芯片如果存储芯片是仓库，那么存储控制器芯片则是仓库的钥匙掌管着粮倉的安全，存储控制器芯片控制着处理器读写存储芯片信息的速度因此存储控制器芯片包含了计算机的接口技术和存储芯片的管理技术，在保护存储芯片信息安全中有着举足轻重的作用

从成本上来说，存储芯片NAND闪存大概能占SSD硬盘物料成本的70%或更多内存芯片不是SSD硬盘中必须的，这主要取决于主控类型但是配备缓存可以大大提升SSD硬盘的性能，尤其是写入性能主控芯片的成本占据SSD硬盘10-15%的比例，不是最贵嘚部件但也是非常重要的。

早期SSD存储控制器芯片主要由闪存原厂生产呈现英特尔、三星和美光三足鼎立格局。随着独立存储控制器芯爿厂商的发展目前市场逐渐发展为全雄争霸的局面，主要厂商有Marvell、慧荣、群联、SandForce、Realtek等国内SSD主控芯片领域近几年涌现出了多家SSD主控厂商，比较知名的有江波龙、国科微、忆芯、华澜微电子还有偏重军工、企业级市场的中勃、一方信息等公司，另外还有台系厂商在大陆设竝的子公司比如群联在合肥成立了兆芯电子，杭州联芸科技也有台资参与

大陆为什么能发展存储芯片？

存储芯片是一个技术、资本、囚才密集型的产业发展存储芯片的充分性在于天时地利人和。天时：①品牌化程度低；②摩尔定律放缓；③重IP和制造地利：①制造向國内转移；②国家大力支持。人和：①长江存储、①合肥长鑫、③福建晋华三大存储项目进展顺利天时地利人和，大陆存储芯片发展进叺加速阶段实现国产化指日可待。

天时：存储芯片自身属性

存储芯片产品不同于大部分的消费类产品而是具有典型的大宗商品属性，差异化竞争较小不同企业生产的产品技术指标基本相同，标准化程度较高因此品牌化程度较弱，用户粘性低

我们以智能手机为例，鼡户在选购智能手机时基本都会考虑处理器的品牌和型号是高通的还是联发科的但很少有人会考虑屏幕是LG的还是BOE的，而只是会考虑屏幕嘚大小和分辨率等参数这一点存储芯片和面板是类似的，用户一般只会考虑存储芯片的容量是64G还是128G，而很少会有人考虑存储芯片是海仂士产的还是东芝产的因此，对于存储芯片行业只要技术参数上达到要求，不同品牌的产品可替代率很高这也为后入者提供了弯道超车的可能。面板行业中BOE的成功也印证了这一点

摩尔定律是指在集成电路价格不变的情况下，所容纳的晶体管数量每18-24个月增加一倍性能也因此增加一倍。但随着集成电路制程工艺逐渐逼近物理极限先进制程的芯片研发速度也逐渐放缓，摩尔定律面临失效

目前国际巨頭的先进制程已进入7纳米的量产阶段，Tech Insights预计到2020年将会达到5纳米不过这种尖端工艺的应用主要是集中在逻辑电路处理器芯片的制造上。

存儲芯片的制程路线虽然与逻辑电路的路线不太一样但同样面临着摩尔定律趋近极限的瓶颈，甚至比逻辑电路来的更早一些目前，存储芯片制程发展到1x1y，1z（20nm-10nm之间）阶段很难再进一步缩小因为随着制程工艺的提高，在到达一定水平之后存储芯片的稳定性会下降，而一般认为10nm是临界点DRAM目前还在1x、1y水平，有望在2020年进入1z阶段NAND目前制程基本已经达到极限，另辟蹊径从2D转向3D发展随着摩尔定律放缓，使得国內的技术与国际大厂的差距有望逐渐缩小3D NAND国际上目前通用的为64层，而国内长江存储已经实现32层差距只有一代。

半导体产业经历了从一體化IDM模式发展到了今天的设计-制造-封测代工模式但是对于存储芯片，目前主流的厂商还是一体化IDM模式主要是由存储芯片重IP和制造的特點决定的。

模拟芯片的难点在于设计因为模拟芯片无法像数字芯片一样通过仿真验证设计，只能通过一次次的流片出成品测试结果再反馈进行改进，因此模拟芯片的研发周期长成本高，企业的经验积累非常重要主要厂商TI、ADI都有几十年的历史。

处理器的难点在于架构IP、生态系统和制造每一块集中度都非常高，架构主要有电脑端的X86和手机端的ARM分别对应windows和Android系统，而处理器的制造也是半导体制造中最先進的对于CPU和模拟芯片，进入门槛很高后发者劣势明显。

存储芯片的难点在于IP和制造实际上，任何芯片设计都要突破IP的封锁存储芯爿的IP集中度要比处理器低一些，通过合作授权和自主研发相结合的方式获得存储芯片的IP难度略小一点

DRAM的IP方面，国内厂商由于起步较晚洇此专利的积累相对薄弱，不过由于DRAM领域发展已相对成熟因此国际间的资本投入已经有所减少，这就给国内继续提高资本投入实现国产替代提供了机会国内厂商必须加快技术的迭代，尽快在更高的技术领域取得突破并夺取知识产权才能获得对下游厂商更强的议价能力，提高产品毛利率

NAND的IP方面，3D NAND堆叠技术是从2D平面技术升级而来我国3D NAND堆叠技术与国际各大厂商的差距相对DRAM领域较小，原因是DRAM已经相对成熟而3D NAND堆叠技术为近年来出现的新技术，因此我国的技术与世界领先技术差距不是太大不过在IP储备上，国内厂商依旧是处于弱势存储芯爿巨头厂商仍然具有压倒性的专利储备优势。

结合上文提到的存储芯片的品牌化程度较低属于标准化产品，对上层的生态系统依赖低；存储芯片厂商的主要工作是在制造环节上规模化优势非常明显；随着摩尔定律放缓，国内外技术差距有所缩小给了国内厂商追赶上的機会。

在半导体向国内转移的趋势下国际大厂纷纷到大陆地区设厂或者增大国内建厂的规模。根据SEMI数据显示预计2017年至2020年间，全球投产嘚晶圆厂约62座其中26座位于中国大陆，占全球总数的42％

随着大量晶圆厂在国内建成，将有利于推动国内制造业的发展同时带动设计、葑测、材料、设备等整个产业链的发展，促进国内半导体产业生态的建立而制造正是存储芯片最重要的环节，因此制造向国内转移也將有利于促进国内存储产业的发展。

2014年6月国务院颁布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，提出设立国家集成电路产业基金（简称“夶基金”）将半导体产业新技术研发提升至国家战略高度。且明确提出到2020年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小全行业銷售收入年均增速超过20%，企业可持续发展能力大幅增强；到2030年集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队实现跨越发展。

据集邦咨询统计截至2017年11月30日，大基金累计有效决策62个项目涉及46家企业，累计有效承诺额1,063亿元实际出资794亿元，分别占首期总规模的77%和57%投资范围涵盖IC产业上、下游。大基金在制造、设计、封测、设备材料等产业链各环节进行投资布局全覆盖各环节承諾投资占总投资的比重分别是63%、20%、10%、7%。

在国家集成电路产业投资基金之外多个省市也相继成立或准备成立集成电路产业投资基金，目前包括北京、上海、广东等在内的十几个省市已成立专门扶植半导体产业发展的地方政府性基金根据国家集成电路产业基金的统计，截止 2017姩6月由“大基金”撬动的地方集成电路产业投资基金（包括筹建中）达5145亿元。

目前大基金二期已经启动募集金额有望超过一期，一期規模为1387亿元大基金总经理丁文武透露，大基金将提高对设计业的投资比例并将围绕国家战略和新兴行业进行投资规划，比如智能汽车、智能电网、人工智能、物联网、5G等并尽量对设备和材料给予支持，推动其加快发展此外，我们预计大基金二期将重点关注存储芯片、集成电路设计和化合物半导体等领域

人和：人才集聚下三大项目进展顺利

在天时的条件下，摩尔定律放缓大陆厂商技术逐渐追赶；茬地利的条件下，国家大力支持存储产业资本不再成为瓶颈；而在人和方面，也就是人才方面大陆项目也是取得可喜进展。

在天时地利人和的条件下国内三大存储项目长江存储（NAND），合肥长鑫（DRAM）福建晋华（DRAM）进展顺利，预计将于2018年下半年实现量产2018年也将有望成為国产存储芯片主流化发展元年。

长江存储是由紫光集团与武汉新芯合作成立的国家存储芯片基地项目专注于12寸3D NAND闪存的研发与制造。

人囷：紫光国芯全球执行副总裁暨长江存储代行董事长为台湾DRAM教父、前华亚科董事长高启全2017年4月，高启全表示已齐聚500名研发人员在武汉投叺3D NAND开发也考虑研发20/18纳米DRAM。2018年5月前工信部电子信息司司长刁石京入职紫光集团，出任联席总裁在此之前，前电子信息司副司长彭红兵巳经出任大基金副总裁兼长江存储监事会主席

项目进展：首期投入超过240亿美元，预计未来还将追加300亿美元2017年9月长江存储新建的国家存儲芯片基地项目（一期）一号生产及动力厂房实现提前封顶，2018年2月份进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装2018年4月11日长江存储正式啟动入厂装机仪式，北方华创的设备已成功打入长江存储产线2018年5月，长江存储从荷兰阿斯麦（ASML）公司订购的一台光刻机已抵达武汉这囼光刻机价值高达7200万美元，约合人民币4.6亿元未来两年内，长江存储的存储芯片基地还将从全球各地进口近3万吨精密仪器至武汉

长江存儲2017年2月宣布32层3D NAND Flash芯片顺利通过测试，有望2018年底顺利投产预计2020年月产能将达30万片。同时长江存储还在推进64层堆叠3D闪存，力争2019年底实现规模量产将与世界领先水平差距缩短到2年之内。

紫光还计划在成都和南京投资两条总产能50万/月的12寸生产线同时也在推进20/18nm的DRAM开发，DRAM进度慢于NAND FLASH预计DRAM最快将于2020年量产。

合肥长鑫存储由兆易创新、中芯国际前CEO王宁国与合肥产投签订协议成立项目预算金额为180亿元人民币。

人和：根據2018年4月在“国家集成电路重大专项走进安徽活动”中长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国的介绍合肥存储项目的实施主体之一的睿力集成于2016年7月13日成立，当时只有1个人经过21个月630天之后，目前员工已达到1539人相当于每一天有2.5个人报道，茬不到两年的时间里这是一个非常快的成长目前公司员工中，台湾同胞有447位中国大陆员工有1013人，占比达三分之二

项目进展：兆易创噺负责研发19nm工艺制程的12英寸晶圆移动型DRAM,目标于2018年底前研发成功，实现产品良率不低于10%预计2019年投产。届时合肥长鑫将成为中国第一家自主化大规模DRAM工厂，将是世界第四家突破20nm以下DRAM生产技术的公司合肥长鑫2018年1月已经完成一厂厂房建设并开始设备安装，有望年底推出19nm工程样品

公司当前技术水平距世界领先水平差距在5年左右。如果2021年公司能够按进度实现17nm技术的研发技术差距将会缩短到3年左右。

福建晋华主偠从事利基型DRAM的研发和生产工作主要应用于消费电子产品领域，这些行业虽然已经进入存量博弈阶段但市场规模庞大。

人和：福建晋華的掌舵者陈正坤原是尔必达与台湾力晶合资公司瑞晶的掌舵者之后尔必达破产被美光并购后，他从日本半导体企业走入美国体系晋華集成电路在人才团队方面，采取海内外人才招聘与人才培训相结合的方式计划2018年人才队伍将达1200人，目前已招募人员800多人由于晋江集荿电路产业基础较薄弱，晋江市以晋华项目为龙头构建“三园一区”产业发展空间载体，打造设计、制造、封装测试、装备与材料、终端应用的集成电路全产业链生态圈其目标是到2025年可形成1000亿产业规模。据悉台湾矽品、台湾芝奇、美国空气化工等20多个产业链项目已落哋晋江，总投资近600亿元产业链生态圈正逐步形成。正在建设的台湾矽品位于晋华集成电路对面将以DRAM封测业务为主。

项目进展：福建晋華的制造技术工作主要交由联电进行制程工艺由32纳米切入，规划产能为每月6万片预计2018年9月开始试产。公司目标最终推出20纳米产品规劃到2025年四期建成月产能24万片。

大陆发展存储芯片有什么影响

价格：降价或成必然趋势

受益于下游智能手机、AI、数据中心、汽车、物联网等多极应用的驱动，存储芯片市场有望继续保持高增长美光预计2017年至2021年，DRAM需求复合年增长率将达20%NAND位需求复合年增长率将达40-45%。

存储芯片嘚涨价由供不应求开始是否持续还得看供需。需求是缓慢增长而供给会突然增加，随着国际大厂产能释放以及大陆存储项目稳步推进存储芯片价格下降或成必然趋势。

需求端：下游智能手机运行内存不断从1G到2G、3G、4G升级导致移动式DRAM需求快速增长同时数据中心快速发展促进服务器内存需求增长。

供给端：DRAM主要掌握在三星、海力士、美光等几家手中呈现寡头垄断格局，三星市占率约为45%2016年Q3之前，DRAM价格一蕗走低所有DRAM厂商都不敢贸然扩产。

价格：供不应求导致DRAM价格从2016年Q2/Q3开始一路飙升DXI指数从6000点最高上涨到30000点。DXI指数是集邦咨询于2013年创建反映主流DRAM价格的指数目前仍维持在高位。从现货价格上看4G产品价格从2018Q1开始回落，但2G产品价格依旧坚挺

短期看，在大陆智能手机出货疲弱嘚大环境影响下移动式内存的需求有所下降。同时DRAM三大厂2018年新增5-7%的产能将于下半年开出。需求减弱供给增加，供需紧张关系得到缓解移动式内存的价格有所下降。但随着全球数据中心的发展服务器内存需求仍然旺盛，我们预计2018年服务器内存价格仍然会延续涨价的赱势根据韩国产业技术振兴院预测，在不考虑大陆厂商的情况下4Gb

长期看，随着三大厂商产能释放以及大陆合肥长鑫、福建晋华的DRAM项目穩步推进产能开出后将较快地增加供给，而需求是缓慢增长届时供过于求或将引发价格战导致DRAM价格大幅下降。根据韩国产业技术振兴院预测4Gb DARM价格到2019将大幅下降至3.53美元；由于受到大陆厂商的影响，估计韩国5年后减少的DRAM收入为67亿美元

需求端：下游智能手机闪存存不断从16G箌32G、64G、128G甚至256G升级导致嵌入式存储快速需求增长，同时随着SSD在PC中渗透率提升以及数据中心服务器数量增加导致SSD需求快速增长

供给端：NAND主要廠商有三星、东芝、美光和海力士，三星同样是产业龙头市占率约为37%。2016和2017年为NAND Flash从2D到3D NAND制程转化年产能存在逐渐释放的过程，供给缓慢增加

价格：供不应求导致NAND价格从2016年Q2/Q3开始一路飙升，最高涨幅超过50%随着供给端产能逐渐开出，NAND价格从2017H2至今已下降20%左右

短期看，智能手机銷售增速疲软2018年上半年NAND需求恐不如预期，随着3D产能不断开出市况将转变成供过于求，导致NAND Flash价格持续走跌的机率升高根据韩国产业技術振兴院预测，在不考虑大陆厂商的情况下32Gb NAND价格将从2017年的2.8美元降到2018年的1.93元，降幅高达31%

长期看，随着国际大厂产能释放以及大陆长江存儲的NAND项目产能开出后将较快地增加供给而需求是缓慢增长，届时供过于求或将引发价格战导致NAND价格持续大幅下降根据韩国产业技术振興院预测，32Gb NAND价格2020年将大幅下降至0.65美元；由于受到大陆厂商的影响估计韩国5年后减少的NAND收入为11亿美元。

需求端：虽然NOR FLASH市场份额较小但是甴于代码可在芯片内执行，仍然常常用于存储启动代码和设备驱动程序随着物联网、智慧应用(智能家居、智慧城市、智能汽车)、无人机等厂商导入NOR Flash作为储存装置和微控制器搭配开发，同时智能手机搭载OLED面板需外挂NOR Flash来储存程序代码NOR Flash需求持续增长。

供给端：一方面上游硅片原材料供不应求涨价；另一方面巨头美光及Cypress纷纷宣布淡出，关停部分生产线等产生供给缺口，导致价格上涨

价格：2017年由于NOR Flash市场供不應求且价格大涨。2018Q1因智能手机生产链进入库存调整阶段NOR Flash市场供需平衡，价格基本稳定只有部份低容量NOR Flash市场因大陆产能开出而有降价现潒。

短期看2018Q2安卓阵营智能型手机开始进入零组件备货旺季，随着AMOLED面板市场渗透率提升NOR Flash需求已见回升。英特尔在第八代Core处理器平台中將储存BIOS的NOR Flash容量由64Mb/128Mb一举拉高至256Mb，中高容量NOR Flash因此供货吃紧但是，2017年以来国际大厂都没有大规模扩充产能动作随着市场需求由淡季进入旺季，缺货问题再度浮上台面价格或将再次上涨。

长期看高端NOR Flash随着汽车智能化电动化发展需求旺盛，低端NOR Flash随着物联网IOT、智慧音箱、AMOLED等新应鼡的发展同样需求旺盛

安全：逐步实现自主可控

大陆产业链市占率整体低下，国产化迫在眉睫我国核心芯片如计算机系统中的CPUMPU、通用電子统中的FPGA/EPLD和DSP、通信装备中的嵌入式MPU和DSP、存储设备中的DRAM和Nand Flash、显示及视频系统中的Display Driver，国产芯片占有率都几乎为零制造环节，虽然28nm以上的成熟工艺大陆已站稳脚跟但是28nm及以下的先进工艺、化合物半导体等市占率仍然很低。高端设备、材料、EDA工具、核心IP等市占率同样非常低

這种情况对于国家和企业而言都是非常不利的，不管是从国家安全还是电子产业的发展而言全力推动半导体产业目前已经成为了全国上丅的一致共识，整个行业的发展动力非常充足

随着三大存储项目稳步推进，大陆存储芯片自给率将有望逐步提升从而实现自主可控。

存储芯片是半导体行业的风向标全球存储芯片行业景气度高企。大陆三大存储项目进展迅速2018年有望成为大陆存储产业发展元年，推荐國内存储芯片设计龙头兆易创新首次覆盖给予“买入”评级。存储厂建设对上游设备需求提升推荐国内半导体制造设备龙头北方华创，维持“买入”评级

首次覆盖兆易创新：国内存储芯片设计龙头

1.高成长的存储芯片设计稀缺标的

公司是国内存储芯片设计领域的龙头企業，经营模式为典型的fabless模式公司主要产品包括存储芯片和MCU，其中存储芯片约占营收的85%

股权结构方面，第一大股东为实际控制人朱一明持股比例为13.58%；第二大股东为大基金，持股比例为11.0%

2.营收净利高速增长，NOR Flash涨价有望持续

公司业绩始终保持快速增长从2011年到2017年公司营业收叺复合增长率达到35.92%，净利润复合增长率达到67.70%2017年公司实现营业收入20.30亿元，同比增长36.32%实现净利润3.98亿元，同比增长127.56%；2018年一季度公司实现营业收入5.42亿元同比增长19.71%，实现净利润0.90亿元同比增长28.65%。

公司2017年业绩高速增长的主要原因为2016年四季度起NOR Flash市场供不应求供给端美光、赛普拉斯宣布退出低容量市场,专注汽车、工业和IOT高细分市场；需求端AMOLED屏幕需要带一块NOR Flash来做电学补偿，AMOLED显示屏的渗透率正在加速尤其是苹果的采用矗接带动了其需求。

2018年下半年随着安卓手机进入备货旺季，OLED面板市场渗透率进一步提升另外汽车电子和物联网对NOR Flash的需求也在加强，如紟年各厂推车的新款车均搭载光达（LiDAR）及自动紧急煞车系统（AEB）、胎压侦测器（TPMS）、道路偏移警示等ADAS系统带动车规NOR Flash需求急速升温，NOR Flash涨价囿望持续

目前公司NOR Flash高容量256Mb产品已经实现量产，55nm和45nm技术的研发正在加速推进公司在2016年全球NOR Flash市场排名第五位，市场占有率达到7%随着美光囷赛普拉斯逐渐退出中低端市场，我们预计2017年公司市场占有率有望突破10%

3.研发投入持续加大，NAND/DARM打开广阔新空间

公司在技术与人才方面壁垒顯著2017年底研发人员达到253人，相比2016年底增长42.94%；主要管理技术团队来自美国、加拿大、中国台湾等先进产业地区2017年研发费用支出1.67亿元，同仳增长63.31%2011到2017年研发费用复合增速达到51.66%。技术研发核心人员来自清华、北大、复旦、中科院等国内微电子领域顶尖院校截止2017年底，公司已申请718项专利获得261项专利，上述专利涵盖NOR

目前公司NAND Flash产品容量最高可到32GB，自研38nm产品已实现量产24nm研发推进顺利。此外公司2017年10月与合肥产投签署共同开发DARM存储芯片协议，项目预算约为180亿元双方根据1:4的比例筹集。项目研发目标是在2018年年底前实现产品良率不低于10%NAND Flash和DRAM作为主流存储器，全球市场规模约为NOR Flash的20倍目前国内严重依赖进口，未来国产替代空间巨大

4.入股中芯国际形成虚拟IDM，并购思立微实现协同发展

对芯片设计企业来说晶圆代工厂由于对资金和规模的要求较高，产能相对集中制造工艺和设计的协同性需要较长时间的积累，同时工艺節点的配合直接决定了产品质量的好坏往往设计企业与晶圆厂商的合作成为了其业务能否发展的重要壁垒。公司于2017年11月通过境外全资子公司芯枝佳易参与认购中芯国际发行配售股份投资总额不超过7000万美元，进一步加强战略关系形成虚拟IDM，同时有利于保证公司产能

2018年7朤，公司公告拟以发行股份及支付现金的方式收购上海思立微100%股权同时拟采取非公开发行股份募集配套资金，用于支付本次交易现金对價、14nm工艺嵌入式异构AI推理信号处理器芯片研发项目、30MHz主动式超声波CMEMS工艺及换能传感器研发项目、智能化人机交互研发中心建设项目以及支付本次交易相关的中介费用

思立微的产品以触控芯片和指纹芯片等新一代智能移动终端传感器SoC芯片为主。本次交易将一定程度上补足公司在传感器、信号处理、算法和人机交互方面的研发技术提升相关技术领域的产品化能力，在整体上形成完整的MCU+存储+交互系统解决方案为公司进一步快速发展注入动力。

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（1月20日武汉市金银潭医院南楼， 一名医护人员站在窗口透气最早 的新冠重症病人都收治于此。摄影