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题名/责任者:
/南&#x4电子器件研究所主办
出版发行项:
南&#x4:《&#x56体电子学研究与&#x8展》编辑部,1981-
ISSN及定价:
1000-3819
统一书刊号:
32-1110
载体形态项:
 vol.;30cm
V.1,no.1(1981,9)- = 总1-
并列正题名:
团体责任者:
主办
-研究-期刊
-研究-期刊
非控制主题词:
中图法分类号:
中图法分类号:
中图法分类号:
根据1981, no.2 著录
著录信息附注:
V.8,no.4(1988)为第一届全&#x56&#x5电子学研究生学术研讨会&#x8文专辑。
出版发行附注:
V.7,no.1(1987)&#x51版者改为《&#x56体电子学研究与&#x8展》编辑部。
载体形态附注:
2003年前尺寸为26cm
相关题名附注:
V.1,no.2(1981)封面英文并列题名改为：Research & progress of solid state electronics。
责任者附注:
主编&#x66为：林金&#x5
责任者附注:
V.8,no.1(1988)版权页题：南&#x4电子器件研究所主办。
V.8(1988)起&#x6卷最后一期附该卷总&#x76录。
出版周期附注:
&#x53月刊 2011-
出版周期附注:
季刊 1981-2010
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《固体电子学研究与进展》(双月刊)创刊于1981年，由南京电子器件研究所主办。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。主要刊登无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEMS)、纳米技术、固体光电和电光转
　　《固体电子学研究与进展》(双月刊)创刊于1981年，由南京电子器件研究所主办。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。主要刊登无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统(MEMS)、纳米技术、固体光电和电光转换等内容。
　　固体电子学研究与进展 2016年 第6期目录：
　　一种LGA封装的LTE三模手机功率放大器朱彦青;郑远;吴健;陈新宇;杨磊 (446)
　　基于0.13&m CMOS工艺2GHz高速并行结构DDFS的设计万书芹;于宗光;季惠才;张涛;陈珍海 (452)
　　锁相环频率合成器最优环路带宽的选取孙家星;孙越强;杜起飞 (457)
　　高灵敏度大动态范围EAS射频接收前端设计范盟佳;刘太君;张永波;杨东旭;叶焱;胡挺;李治 (460)
　　一种小型化LTCC高通滤波器的设计李永彬;张魁;曹常胜;戴雷 (464)
　　基于LTCC改进型超宽带带通滤波器设计孙超;戴永胜 (468)
　　基于双层SIW结构的二阶混合耦合滤波器钱颖;张凤娟;靳静 (472)
　　一种紧凑型MIMO超宽带缝隙天线设计陈显明;刘正元;刘书焕 (477)
　　硅微电子学
　　硅双极器件ELDRS效应机理的研究进展张修瑜;代刚;宋宇 (481)
　　0.13&m部分耗尽薄膜SOI MOSFETs击穿特性研究刘张李 (489)
　　多相BUCK相数自动调整模块的设计与实现
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&来稿要求和注意事项：
& & 1、来稿要求主题突出，论据充分，内容新颖、创新、实用。来稿采用A4幅面，双栏排列，5号字体，每页40行，每行大约39个汉字，来稿控制在6页以内。建议作者同时介绍一下论文的工作背景、原创性、先进性与指导意义。本刊接收中、英文稿件。投稿方式：本刊尚未开通在线投稿系统，也未与任何网站及提供论文发表服务的中介合作征稿，作者请直接发送电子稿至。
2、标题（中、英文对照）：中文标题控制在20个汉字以内；英文标题最多为400个字符。
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4、作者单位（中、英文对照）：作者单位需给出所有作者的工作单位全称、所在省、市及邮政编码，英文部分还应在邮编之后加上国别代码“CHN”。
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is reported，Extensive investigotion shows that
…”词句。
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学位授予单位，编号或缩微制品序号，年份
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[1]韩军，柴长春，杨银堂，等.
存在界面陷阱的n沟6H-SiC MOSFET
温度特性研究[J]. 固体电子学研究与进展， ):
&&& [2] Wang
Sanwu , Dhar S , Wang Shurui, et al. Bonding at the SiC-SiO2
Interface and Effects of Nitrogen and Hydrogen[J]. Physics Review
Letters, 6101): 1-4.
Afanas＇ev& V V, Bassler M, Pensl G,
et al. Intrinsic SiO2/SiC interface states[J]. Physica Status
Solidi(a), : 321-337.
&&& [4]Guillermo
Gonzalez.微波晶体管放大器分析与设计[M].清华大学出版社，2003：338-361.
&&& [5] Tosic
N，Pesic B，Stojaclinovic N，
Reliability testing of& power VDMOS
transistors [C].Proc 21st& International
Conference on
Microelectronics，1997：667-670.
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提出一种p型半导体量子阱中二维空穴气的有效计算方法。它使用半轴向近似把Luttinger哈密顿简约成3＊3矩阵，而仍保留价带的扭曲性和重空穴、轻空穴和自旋一轨道耦合带间的能带混合。使用这种方法和简化的有限差分算出了p型半导体量子阱的价带结构和二维空穴气。研究了量子阱中的价带混合、能带扭曲和阱间空穴气的耦合。该方法计算量少，计算结果满足价带特性，适用于p型异质结器件的优化设计。
考虑碳纳米管尺寸及端帽形状，计算得到了比较精确的金属型纳米管表面电荷密度相对分布曲线。与先前的理论结果作比较，消除了曲线上的波动，曲线相对抬高，尖端附近电荷量所占比例减小。进一步研究了长度、半径和长径比对电荷密度相对分布曲线的影响，表明长度主要影响管身电荷密度相对分布，半径主要影响尖端电荷密度相对分布。在忽略其他条件影响下，长径比相同的碳纳米管，电荷密度相对分布曲线趋势完全相同。
在激光灼蚀（PLD）系统中，采用流动的N2作为环境气体成功制备了尺寸从2纳米到几纳米之间的纳米硅，并在1．60～1．75eV之间观测到了较强的光致发光谱：结合Raman散射和光致发光谱的分析，推断强光致发光来源于纳米硅的量子效应。
用Raman谱和AES能谱分析了用RTP／VLP—CVD方法生长在Si衬底上的SiGeC合金外延薄膜的应变。结果表明：用RTP／VLP—CVD方法生长的SiGeC合金中掺入的C呈间隙原子或替位原子的形式分布，其中大部分为间隙原子，少量为替位C原子，但是替位C原子的存在有效地调节了SiGeC合金层的应变；另外由于采用乙烯做C源，生长温度较高也使SiGeC合金层的应变部分被弛豫。由于C的掺入，Si基上生长SiGeC合金的应变和相同Ge含量的SiGe合金相比较大大减小，临界厚度大大增加，有利于在Si衬底上生长出达到一定厚度的更高质量的IV族元素合金半导体材料。
在理论分析的基础上，结合铁电材料特性及实验数据，提出了Ag／Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管转换（ID—V6）特性的双曲模型并进行了数值模拟。该模型不但与阈值电压、沟道饱和电流等器件参数相关而且充分反映了剩余极化、矫顽电压等铁电栅介质极化特性对器件，ID—VG特性的影响。结果表明：模拟曲线与实验曲线基本一致，能较好地模拟和描述铁电场效应晶体管的ID-VG特性。
文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点，论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展。概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算。重点介绍了电子通过半导体双势垒结构产生隧穿现象的研究进展，即电子通过双势垒结构横纵波矢的耦合行为与共振准能级及共振准能级寿命的解析计算。
设计并研制了共振隧穿二极管（RTD）与异质结双极晶体管（HBT）单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程，得到了较好的负阻特性，其开启电压1V左右，峰谷比大于2：1。同时建立了负阻逻辑单元的模型，通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。
针对南京电子器件研究所的PHEMT器件的特点，对Angelov模型进行了修正，并用ICCAP编写了模型的抽取程序，以南京电子器件研究所的400μm栅宽、0．5μm栅长的PHEMT器件为例，给出了直流及S参数的拟合结果。
将新型算法一退火遗传算法用于GaAsFET大信号等效电路模型参数的提取，给出了具体流程并提取了器件的模型，结果表明该算法快速可靠，文中为提取大信号模型提供了新的方法，并扩展了遗传算法的应用。
讨论了针对GaAs基改性高电子迁移率晶体管（MHEMT）的异质层结构参数的设计优化方法，详细给出了有关的设计步骤与公式。在数值分析与比较的基础上，并综合考虑材料生长与器件工艺的简便性，得到一组优化的MHEMT异质层结构设计参数。模拟所得的器件DC与RF特性充分显示其在功率与低噪声应用上的巨大潜力。验证性的1μm×200μm MHEMT取得的fT=30GHz、fmax=170GHz的结果佐证了理论分析的正确性。
对约50例微波器件失效分析结果进行了汇总和分析，阐述了微波器件在使用中失效的主要原因、分类及其分布。汇总情况表明，由于器件本身质量和可靠性导致的失效约占80％，其余20％是使用不当造成的。在器件本身的质量和可靠性问题方面，具体失效机理有引线键合不良、芯片缺陷（包括沾污、裂片、工艺结构缺陷等）、芯片粘结、管壳缺陷、胶使用不当等；在使用不当方面，主要是静电放电（ESD）损伤和过电损伤（EOS），EOS损伤中包括输出端失配、加电顺序等操作不当引入的过电应力等。
在对构成推-推振荡器的基本振荡单元进行常规奇偶模分析的基础上，采用添加辅助信号源的方法，对合成后的频率调谐特性、输出功率及基波抑制特性进行了仿真模拟。并利用负载牵引法对二次谐波匹配网络进行了优化。根据仿真结果设计的X波段推一推压控振荡器，采用封装硅晶体管及砷化镓变容管，在1GHz调谐带宽内，输出功率2～8dBm。
对掺杂浓度为10^17～10^19cm^-3的GaN：Si样品进行高精度X射线衍射和拉曼散射光谱的研究发现：随着Si掺杂浓度的增加，GaN晶粒尺寸逐渐减小，引发更多的螺位错和混合位错致使摇摆曲线的半高宽有所增加，同时薄膜中的剩余应力也逐渐减小。当掺杂浓度高于2．74×10^18cm^-3时，薄膜从压力状态转变为张力状态。
用LPCVD在si（111）上异质外延了n型3C-SiC，并在所外延的3C-SiC上蒸发Au／Ti，通过不同温度下的RTA（快速热退火）形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti／3C-SiC欧姆接触的ρc（比接触电阻率）进行测量，在750℃退火后Ti／3C-SiC的ρc达到了最低值为3．68×10^-5Ω·cm^2这满足了应用的要求。AES分析结果还表明由于Ti的氧化，更高温度下的退火会使ρc增大。
介绍了利用0．18μmCMOS工艺实现了应用于光纤传输系统SDHSTM-64级别的时钟和数据恢复电路。采用了电荷泵锁相环（CPPLL）结构，CPPLL中的鉴相器能够鉴测相位产生超前滞后逻辑，采样数据具有1：2分接的功能。振荡器采用全集成LC压控振荡器，鉴相器采用半速率的结构。对应于10Gb／s的PRBS数据（2^31-1），恢复出的5GHz时钟的相位噪声为-112dBc／Hz@1MHz，同时10Gb／s的PRBS数据分接出两路5Gb／s数据。芯片面积仅为1．00mm×0．8mm，电源电压1．8V时功耗为158mW。
对隧道再生多有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器（VCSEL）材料特性进行了实验研究，得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、DBR反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息。如果谐振腔谐振波长比增益谱峰值波长长20nm以上，阈值条件很难得到满足，器件很难实现激射。符合模拟参数生长的双有源区隧道再生VCSEL实现了室温激射。氧化孔径8．3μm器件，在11mA注入电流下，获得5mW的输出功率，斜率效率0．702mW／mA，激射波长970nm。
用热氧化与脉冲激光沉积（PLD）两种方法在Si（111）上制备了ZnO薄膜。对两种方法制备的薄膜的形貌、结构和室温下的荧光光谱作了比较，并对ZnO薄膜紫外光（UV）的发射机理作了初步的分析，发现与PLD方法相比，热氧化法制备的ZnO薄膜所产生的紫外光发射强度（17816任意相对强度单位a．u．）、半高宽（10nm）和紫外光与可见光的强度比（大约200：1），都非常优异，认为热氧化法制备的ZnO薄膜的树枝状微晶界面及其方向的随机性有利于紫外光的发射和观测，而PLD方法制备的ZnO薄膜是垂直于衬底的六角柱状结构，紫外光最强的方向在垂直于侧面的方向上。
介绍了一种采用0．6μm标准CMOS工艺实现的阵列式细胞电生理信号传感芯片。该芯片集成了6×6单元有源传感阵列、模拟多路选择器、输出缓冲器、参考源和数字控制电路，实现了传感电路和后端信号处理电路的单片化集成。传感单元面积为60μm×60μm，包含15μm×15μm的传感电极和有源预处理电路，线性放大幅值范围100μV～25mV的微小信号，电压增益为40dB。同时单元电路采用相关二次采样工作模式，采样信号可经后续差分电路除去固定模式噪声，提高传感器的精度。在标准CMOS工艺基础上，应用lift-off工艺对电极进行后续加工，提高其生物测量适应性。并通过封装技术的改进，使芯片适合在电解液环境下工作。在溶液中的模拟生物电学测试验证了芯片的功能。
采用微机电系统（MEMS）技术制作了磁芯螺线管微电感，该技术包括UV—LIGA、干法刻蚀技术、抛光和电镀技术等。研制的微电感大小为1500μm×900μm×100μm，线圈匝数为41匝，宽度为20μm，线圈之间的间隙为20μm，高深宽比为5：1。测试结果表明：在1～10MHz频率下，其电感量为0．408-0．326μH，Q值为1．6～4．2。
介绍一种新的CMOS功率放大电路，该电路既有开关型放大器的高效率的特点，同时又具备线性功率放大电路能输出可变包络的特点，而且可以根据实际需要对输出功率进行调节。电路在0．6μm工艺线上流片。经测试验证电路能在-20℃～80℃的温度范围内工作，工作电压范围为2．5V～5．5V，输出功率可在很大范围内进行调节，在5V条件下，最大输出功率可达6．25W。
借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系，通过对各参数的模拟设计，最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N—LDMOS的最佳结构、工艺参数，通过I—V特性曲线可知该高压N—LDMOS器件的关态和开态击穿电压都达到500V以上，开启电压为1．5V，而且制备工艺简单，可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。
触发器是构成时序逻辑电路的存储单元和核心部件。利用开关级设计的CMOS传输函数理论和信号流图，讨论了CMOS主从D触发器的工作原理；提出了CMOS触发器的一种传输函数分析法，并给出了应用实例。可以看出，这种方法对于CMOS触发器电路分析和设计是有效且方便的。
分析了CMOS带隙基准电压值的误差，给出了定量的数学表达式和相应的改进方法。在此理论指导下，用0．25μmCMOS工艺设计了一个带隙基准源，并制出芯片。基准电压的设计值为1．2V，实测结果表明，在不使用修正技术的情况下，基准电压值的均方差达3mV，温度系数（从-40℃～100℃）为20ppm／℃，电源抑制比（从2～3．3V）80μV／V，验证了理论分析的正确性。
为了实现结构简单、便于集成的三输入单输出电流模式滤波器，提出了三输入单输出电流模式滤波器的信号流图。用CCⅡ（第二代电流传输器）及多端输出的电流镜实现了该信号流图，得到一个由CCⅡ及电流镜共同构成的电流模式滤波器。该滤波器由2个CCⅡ、1个三端输出的电流镜及4个RC元件构成，能方便地实现5种滤波器输出。该滤波器可用于通信、电子测量与仪器仪表中的信号处理。硬件实验结果表明提出的电路是正确的。
用频率响应最小均方误差的方法设计了一种用于数字电视QAM解调的插值滤波器，并提出了通过I／Q复用和部分模块的共用来实现插值滤波器的简化结构，节省了硬件资源。用Matlab对滤波器的性能进行了仿真，结果表明其对镜像信号的抑制达到-39dB，与其他类型的插值滤波器相比较，其对镜像信号的抑制性能更好。
在表面强反射膜-多晶硅上进行亚微米光刻时，采用有机BARC（Bottom Anti—Reflective Coating）工艺，降低了晶片表面的台阶高度，并有效地抑制了驻波效应，获得良好的光刻图形，从而使产品良率提高了6％～7％。
利用Sol-Gel的方法制备了多孔二氧化硅薄膜。通过优化薄膜制备工艺，实现了多孔二氧化硅薄膜厚度在450nm～3000nm范围内可控，薄膜孔率为59％。用FTIR光谱分析了不同热处理温度下多孔二氧化硅薄膜的化学结构。研究了多孔二氧化硅薄膜的介电常数、介电损耗、漏电流等电学性能，结果表明多孔二氧化硅薄膜本征的介电常数为1．8左右，是典型的低介电常数材料。并通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了表征。
研究了薄膜沉积条件之一——氮气和氩气流量比对超薄（10nm）W—Si—N薄膜作为铜扩散阻挡层的阻挡特性的影响。用薄层电阻、俄歇电子能谱（AES）、X射线衍射谱（XRD）、电容-电压（C-V）等方法系统研究了氮氩比对W—Si—N、Cu／W—Si—N／Si以及Cu／W—Si—N／SiO2／Si结构的热稳定性、电学稳定性的影响。实验发现，W—Si—N薄膜中氮含量对材料的阻挡特性起重要作用，高的氮氩比使薄膜中氮含量增高，薄膜对Cu的扩散阻挡特性增强。
采用经验紧束缚近似方法计算P（2×2）重构硅（100）表面单层台阶及纽结处的平衡结构并模拟单个硅原子在其上的沉积行为。根据计算绘制出SA台阶、成键SB台阶、未成键SB台阶，以及SB台阶中的纽结等结构附近的等沉积能量图，确定沉积束缚点和一些可能的扩散路径。研究分析表明附加原子难于沉积于SA台阶边壁，但容易穿越SB台阶并生长于台阶边壁或沉积在SB台阶的纽结处以形成晶体生长。这些研究结果对于今后的理论及实验进一步研究原子尺度的半导体工艺制造有较大意义的指导。
塑封VLSI由于其固有的弱点，在应用过程中封装失效成为其重要的失效模式之一。通过大量的塑封VLSI失效分析实践，针对VLSI塑料封装失效，进行了快速定位技术的研究，总结出一套简化的失效分析程序。同时从引起塑封VLSI封装失效的根本原因入手，探讨了避免塑封VLSI封装失效的控制方法。
在0．M．Paul等研究的范德堡热导率测试结构的基础上，提出了一种改进结构，利用一组测试结构来测得多晶硅薄膜的热导率。在十字型结构中一个含有多晶硅薄膜，而另一个不含有多晶硅薄膜，根据建立的热学模型，可以获取多晶硅薄膜的热导率。用有限元分析软件ANSYS进行了模拟分析，分析表明模拟值与实验值能较好地吻合，且辐射散热是基本可以忽略的，从而验证了模型建立的正确性，说明该方法能够实现对多晶硅薄膜的测量，且具有较高的测试精确度。
该中心从事专业微波、毫米波器件封装有40多年历史，研制开发出多种封装类型、数十个系列产品。包括从厘米波段到毫米波段二端器件：S、C、X、K波段GaAs功率FET；P，L、S、C波段硅功率晶体管；GaAs微波毫米波单片集成电路和多芯片模块；
[器件物理](薛舫时)
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(邓咏桢 孔月婵 江宁 郑有炓 朱顺民 韩平 施毅 张荣)
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(王洪梅 刘丕均 张亚非)
[射频与微波](胡海蓉 牛萍娟 刘宏伟 郭维廉 许丹 于欣 王文新 尚勋忠 吴曙东)
(李辉 洪伟 张斌 施江伟 铁宏安)
(应子罡 吕昕 高本庆 李拂晓)
(吴旭 陈效建 李拂晓)
(来萍 李萍 张晓明 李少平 徐爱斌 施明哲 牛付林 郑廷珪)
(齐宁华 徐鸿飞)
[宽禁带半导体](冯倩 郝跃 王峰祥)
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(渠红伟 郭霞 邓军 董立闽 廉鹏 邹德恕 沈光地)
(王兆阳 赵杰 胡礼中 王志俊 张贺秋)
[微电子机械系统与传感器](朱婷 朱大中 施朝霞)
(高孝裕 周勇 雷冲 陈吉安 倪智平 毛海平 王志民)
[硅微电子](陈良生 洪志良 李联)
(陆生礼 孙伟锋 易扬波 伍玉萍)
(姜文彬 姜恩华)
(陈浩琼 高清运 秦世才)
(乔俊杰 吴建辉 张嗣忠)
[材料与工艺](顾志光 孙钧 郑国祥 龚大卫)
(李靓 姚熹 张良莹)
(屈新萍 陆华 茹国平 李炳宗)
(黄燕 朱晓焱)
(焦慧芳 贾新章 王群勇)
(戚丽娜 许高斌 黄庆安)
主管单位：工业和信息化部
主办单位：南京电子器件研究所
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