模数电学习，c语言和数据结构，DSP，32位和8位单片机，以及AD绘图，multisim仿真的笔记，记录在简书，方便以后查阅。
有电压的地方不一定有电流，但是有电流的地方一定有电压。
交流电负半周期的时候，电流从负极流向正极。
千伏高压用万用表测会被电死。
万用表的二极管挡位作用：测二极管的正向电压。
一般数字万用表都有一个测二极管的档位，它测量的是一个元器件在通过一定电流（一般数字万用表二极管档位的电流为1mA）时的电压值。测量二极管时就是二极管正向导通时的电压，测三极管时就是所测三极管中的一个结导通时的电压，测电阻时就是电阻在一定电流下的电压。用所测得的值可以粗略地判断二极管的材料、功率的大小等。
万用表标了hFE的是测三极管的放大倍数的。标F的是测电容大小的。
正温度系数热敏电阻（PTC）：电阻值随温度升高而变大。
负温度系数热敏电阻（NTC）：电阻值随温度升高而变小。
101,那就是说10后面还有1个零》》10 0 就是100欧姆
如果是123,那就是说12后面还有3个零》》12 000 就是12k欧姆
如果是510,那就是说51后面还有0个零》》51 就是51欧姆
A：一端接电源，一端接地，2个电阻中间产生分压
B：一端接电源，另一端没有接地，但是有电压差，也产生分压
采样电阻是对电流采样和对电压采样。对电流采样则串联一个阻值较小的电阻，对电压采样则并联一个阻值较大的电阻。
用万用表二极管挡位 可以给电容充电。用电容挡位，可以测电容容量和好坏。如果测到的容量和标识容量不符，则是坏的。
C串耐压值=C1耐压值+C2耐压值
一个脉冲信号经过一个电容后 波形前后对比：
X，Y电容都是安规电容 Y电容对地滤除零火线干扰 X电容直接滤除零火线干扰
220V降压可以用变压器和buck电路
阻容降压用在成本要求低的情况下，由于阻容降压没有隔离，所以后级电路比较危险，提供的电流小。
首先要确定后级电路需要多大的电流（一般小于100ma），根据电流计算出需要使用多大的电容。
电容降压，加了D1和D2做半波整流，半波整流的公式为：
上图进行了简化改进，加电阻R1，做释放电阻。把D2改为稳压二极管，即可以稳压，又可以做电容放电回路。
电容冲放电的频率由回路中阻抗所决定。回路中阻抗一定时，三角波的频率由电容大小决定。因此充放电的时间T=RC。
如上图N 电容和电阻的阻抗是向量相加
总线开关：74HC245 数字电路中使用
电源分：线性电源 开关电源
拓扑结构分：buck（降压型） boost（升压型） buck-boost（升降压型）
光电成像原理及技术 课后题答案(北理工)
第一章 5.光学成像系统与光电成像系统的成像过程各有什么特点？在光电成像系统性能评价方面通常从哪几方面考虑？ 答：a、两者都有光学元件并且其目的都是成像。而区别是光电成像系统中多了光电装换器。 b、灵敏度的限制，夜间无照明时人的视觉能力很差； 分辨力的限制，没有足够的视角和对比度就难以辨认； 时间上的限制，变化过去的影像无法存留在视觉上； 空间上的限制，隔开的空间人眼将无法观察；
光谱上的限制，人眼只对电磁波谱中很窄的可见光区感兴趣。 6．反映光电成像系统光电转换能力的参数有哪些？表达形式有哪些？ 答：转换系数：输入物理量与输出物理量之间的依从关系。 在直视型光电成像器件用于增强可见光图像时，被定义为电镀增益G1， 光电灵敏度： 或者： 8.怎样评价光电成像系统的光学性能？有哪些方法和描述方式？ 答，利用分辨力和光学传递函数来描述。
分辨力是以人眼作为接收器所判定的极限分辨力。通常用光电成像系统在一定距离内能够分辨的等宽黑白条纹来表示。 光学传递函数：输出图像频谱与输入图像频谱之比的函数。对于具有线性及时间、空间不变性成像条件的光电成像过程，完全可以用光学传递函数来定量描述其成像特性。 第二章 6.影响光电成像系统分辨景物细节的主要因素有哪些？ 答：景物细节的辐射亮度（或单位面积的辐射强度）；
景物细节对光电成像系统接受孔径的张角； 景物细节与背景之间的辐射对比度。 第三章 13.根据物体的辐射发射率可见物体分为哪几种类型？ 答：根据辐射发射率的不同一般将辐射体分为三类： 黑体，=1； 灰体，<1,与波长无关； 选择体，<1且随波长和温度而变化。 14.试简述黑体辐射的几个定律，并讨论其物理意义。 答：普朗克公式：
普朗克公式描述了黑体辐射的光谱分布规律，是黑体理论的基础。 斯蒂芬-波尔滋蔓公式： 表明黑体在单位面积上单位时间内辐射的总能量与黑体温度T的四次方成正比。 维恩位移定律： 他表示当黑体的温度升高时，其光谱辐射的峰值波长向短波方向移动。 最大辐射定律： 一定温度下，黑体最大辐射出射度与温度的五次方成正比。 第五章 像管的成像包括哪些物理过程？其相应的理论或实验依据是什么？
像管的成像过程包括3个过程 将接收的微弱的可见光图像或不可见的辐射图像转换成电子图像 使电子图像聚焦成像并获得能量增强或数量倍增 将获得增强后的电子图像转换成可见的光学图像 A过程：外广电效应、斯托列夫定律和爱因斯坦定律 B过程：利用的是电子在静电场或电磁复合场中运动规律来获得能量增强；或者利用微通道板中二次电子发射来增加电子流密度来进行图像增强
C过程：利用的是荧光屏上的发光材料可以将光电子动能转换成光能来显示光学图像 像管是怎么分代的？各代的技术改进特点是什么？ （1）A、零代微光像增强器技术 B、一代级联式像增强器技术 C、采用微通道板（MCP）的二代像增强器 D、采用负电子亲和势光阴极的三代像增强器 E、超二代像增强器 F、超三代像增强器 G、第四代像增强器
（2）①一代和零代的区别在于一代像增强其采用了光学纤维面板将多级耦合起来，形成级联式的像增强器，一般为得到正像，耦合级数多取奇数，通常微三级 ②二代和一代的根本区别在于：它不是采用多级级联实现光电子图像倍增，而是采用在单级像增强器中设置MCP来实现光电子图像倍增。
③三代和二代近贴式像管类似，其根本区别在于光阴极，但对MCP也提出了更高的性能要求。二代采用的是表面具有正电子亲和势的多晶薄膜结构的多碱光阴极，三代采用的则是负电子亲和势光阴极，因此三代具有高增益、低噪声的有点。 11、光电发射为什么会存在极限电流密度？试分析并导出连续工作条件下和脉冲工作条件下的极限电流密度表达式。
（1）在工作状态下，像管维持光电发射要依赖于光阴极的真空界面有向内的电场场强，这一电场是由电子光学系统提供的。光阴极的光电发射将产生空间电荷，此空间电荷所形成的附加电场与电子光学系统的电场方向相反。随着光电发射电流密度的增大，空间电荷的电场会增加到足以抵消电子光学系统所提供的电场。如果忽略光电子的初速度，当光阴极画的法向场强为零时，光电发射就要受到限制，这时像管的光电发射将呈饱和状态。这一电流密度称之为光电发射的极限电流密度。
（2）见P159~P160 18、什么样的透镜叫短透镜？导出短透镜的焦距公式并分析其成像性质。 答：（1）把对电子起有效作用的场——透镜的作用区间限于一个有限的空间范围内，称此空间位透镜空间，在此空间内，电子轨迹在场的作用下是连续变化的，而物与像则位于透镜场外，透
