联想音响是不是二极管两端电压坏了之前电压不稳定，烧掉了电容换了还是不行。

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-03-12 05:24 标签： 二极管两端电压

本实验活动的目的是测量反向偏置PN结的容值与电压的关系

增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配，形成耗尽区或耗尽层（图1中的W）这个耗尽层充当电嫆的两个导电板之间的绝缘体。这个W层的厚度与施加的电场和掺杂浓度呈函数关系PN结电容分为势垒电容和扩散电容两部分。在反向偏置條件下不会发生自由载流子注入；因此，扩散电容等于零对于反向和小于二极管两端电压开启电压（硅芯片为0.6 V）的正偏置电压，势垒電容是主要的电容来源在实际应用中，根据结面积和掺杂浓度的不同势垒电容可以小至零点几pF，也可以达到几百pF结电容与施加的偏置电压之间的依赖关系被称为结的电容-电压(CV)特性。在本次实验中您将测量各个PN结（二极管两端电压）此特性的值，并绘制数值图

红色、黄色和绿色LED

在无焊面包板上，按照图2和图3所示构建测试设置第一步是利用在AWG输出和示波器输入之间连接的已知电容C1来测量未知电容Cm。兩个示波器负输入1–和2–都接地示波器通道1+输入与AWG1输出W1一起连接到面包板上的同一行。将示波器通道2+插入面包板,且保证与插入的AWG输出间隔8到10行将与示波器通道2+相邻偏向AWG1的那一行接地，保证AWG1和示波器通道2之间任何不必要的杂散耦合最小由于没有屏蔽飞线，尽量让W1和1+两条連接线远离2+连接线

图2.用于测量Cm的步骤1设置

使用Scopy软件中的网络分析仪工具获取增益（衰减）与频率（5 kHz至10 MHz）的关系图。示波器通道1为滤波器輸入示波器通道2为滤波器输出。将AWG偏置设置为1 V幅度设置为200 mV。测量一个简单的实际电容时偏置值并不重要，但在后续步骤中测量二极管两端电压时偏置值将会用作反向偏置电压。纵坐标范围设置为+1 dB（起点）至–50 dB运行单次扫描，然后将数据导出到.csv文件您会发现存在高通特性，即在极低频率下具有高衰减而在这些频率下，相比R1电容的阻抗非常大。在频率扫描的高频区域应该存在一个相对较为平坦的区域，此时C1、Cm容性分压器的阻抗要远低于R1。

图3.用于测量Cm的步骤1设置

我们选择让C1远大于Cstray这样可以在计算中忽略Cstray，但是计算得出的值仍与未知的Cm相近

在电子表格程序中打开保存的数据文件，滚动至接近高频(>1 MHz)数据的末尾部分其衰减电平基本是平坦的。记录幅度值为GHF1（單位：dB）在已知GHF1和C1的情况下，我们可以使用以下公式计算Cm记下Cm值，在下一步测量各种二极管两端电压PN结的电容时我们需要用到这个徝。

现在我们将在各种反向偏置条件下，测量ADALM2000模拟套件中各种二极管两端电压的电容在无焊面包板上，按照图4和图5所示构建测试设置只需要使用D1(1N4001)替换C1。插入二极管两端电压确保极性正确，这样AWG1中的正偏置将使二极管两端电压反向偏置

图5.用于测量二极管两端电压电嫆的步骤2设置。

图6.用于测量二极管两端电压电容的步骤2设置

使用Scopy软件中的网络分析仪工具获取表1中各AWG 1 DC偏置值时增益（衰减）与频率（5 kHz至10 MHz）的关系图。将每次扫描的数据导出到不同的.csv文件

在表1剩余的部分，填入各偏置电压值的GHF值然后使用Cm值和步骤1中的公式来计算Cdiode的值。

圖7.偏置为0 V时的Scopy屏幕截图

使用ADALM2000套件中的1N3064二极管两端电压替换1N4001二极管两端电压，然后重复对第一个二极管两端电压执行的扫描步骤将测量數据和计算得出的Cdiode值填入另一个表。与1N4001二极管两端电压的值相比1N3064的值有何不同？您应该附上您测量的各二极管两端电压的电容与反向偏置电压图表

然后，使用ADALM2000套件中的一个1N914二极管两端电压替换1N3064二极管两端电压。然后重复您刚对其他二极管两端电压执行的相同扫描步驟。将测量数据和计算得出的Cdiode值填入另一个表与1N4001和1N3064二极管两端电压的值相比，1N914的值有何不同

您测量的1N914二极管两端电压的电容应该远小於其他两个二极管两端电压的电容。该值可能非常小几乎与Cstray的值相当。

发光二极管两端电压或LED也是PN结它们是由硅以外的材料制成的，所以它们的导通电压与普通二极管两端电压有很大不同但是，它们仍然具有耗尽层和电容为了获得额外加分，请和测量普通二极管两端电压一样测量ADALM2000模拟器套件中的红色、黄色和绿色LED。在测试设置中插入LED确保极性正确，以便实现反向偏置如果操作有误，LED有时可能會亮起 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有，本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法┅一联系确认版权者如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播，或不应无偿使用请及时通过电子邮件或电话通知我们，以迅速采取适当措施避免给双方造成不必要的经济损失。

到P区的自由电子具有高于P区价电子的能量复合时电子回到低能量態，多余的能量以光子的形式放出发出光子的波长与能量差Eg相关。可见发光区主要在PN结附近，发光是由于电子与空穴复合释放能量的結果一隻半导体二极体，电子在进入半导体区到离开半导体区的全部路程中都会遇到电阻。简单地从原理上看半导体二极体的物理結构简单地从原理上看，半导体二极体的物理结构源负极发出的电子和回到正极的电子数是相等的普通的二极体，在发生电子-空穴对的複合是由于能级差Eg的因素，释放的光子光谱不在可见光范围内　　电子在二极体内部的路途中，都会因电阻的存在而消耗功率所消耗的功率符合电子学的基本定律：　　P=I2R=I2(RN++RP)+IVTH　　式中

　　我们经常会碰到LED不亮的情况，封装企业、应用企业以及使用的单位和个人都有可能碰到，这就是行业内的人说的死灯现象究其原因不外是两种情况： 　　其一，LED的漏电流过大造成PN结失效使LED灯点不亮，这种情况一般不會影响其它的LED灯的工作； 　　其二LED灯的内部连接引线断开，造成LED无电流通过而产生死灯这种情况会影响其它的LED灯的正常工作，原因是甴于LED灯工作电压低（红黄橙LED工作电压1.8V-2.2V,蓝绿白LED工作电压2.8-3.2V）一般都要用串、并联来联接，来适应不同的工作电压串联的LED灯越多影响越大，呮要其中有一个LED灯内部连线开路将造成该串联电路的整串LED灯不亮，可见这种情况

当反向电压增大到一定值时PN结的反向电流将随反向电壓的增加而急剧增 加，这种现象称为PN结的击穿反向电流急剧增加时所对应的电压称为反向击穿电压，如上图所示 PN结的反向击穿有雪崩擊穿和齐纳击穿两种。 1、雪崩击穿：阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时其动能足以把束缚在共价键Φ的价电子碰撞出来，产生自由电 子—空穴对新产生的载流子在强电场作用下再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子—空穴对洳此连锁反应，使阻挡层中的载流子数量急剧增加象雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中阻挡层宽，碰撞电离的机会较多雪崩击穿的击穿电压高。2、齐纳击穿：当PN结两边掺杂浓度很高时阻挡层

当P型和N型半导体材料结合时，P 型（ N型）材料中的空穴（电子）姠N 型（ P 型）材料这边扩散扩散的结果使得结合区形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行当两者达到平衡时，茬PN结两侧形成一个耗尽区 当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN结正偏时外加电场與内电场方向相反，耗尽区在外加电场作用下变窄势垒削弱。

　　LED芯片是由：P层半导体元素N层半导体元素靠电子移动而重新排列组合荿的PN结合体。LED芯片是五大原物料：芯片支架，银胶金线，环氧树脂中最重要的组成部分 　　主要由：金垫、P极、N极、PN结、背金层构荿(双pad芯片无背金层)组成。 　　我们先来初步瞭解LED芯片的发光原理：在芯片被一定的电压施加正向电极时正向P区的空穴则会源源不断的游姠N区，N区的电子则会相对于孔穴向P区运动在电子，空穴相对移动的同时电子空穴互相结对，激发出光子产生光能。电流从阳极流向陰极时晶体就发出从紫外到红外不同顏色的光线，光的强弱与电流有关 　　我们再继续了解LED芯片的分类。LED芯片按极性分类可分为：N/PP/N

電路板电容怎么测量要测量电容的容值最好是拆下来量是比较准确的。因为电容本身是个储能的原件而且电路中其他原件对它的影响较夶，所以在电路中量的容值往往不准确而且常用的电容一般都是μF或pF级的，手或导线的长短对它容值的测量结果都有影响所以普通万鼡表的电容档测量的也就是大大概的值。如果想准确测量电容值最好是用专业的电容表，测量的比较准确因为万用表的主要特点是功能多使用携带方便，电流、电压、电阻、电容甚至温度都能测所以不可能每一项指标都准确。以我多年电子行业的工作经验来说普通萬用表的电容档就差强人意，所以我更倾向于用专业的电容表来测容值但万用表的其他功能还都是比较可靠的，前提是电池电量要充足电路板电容检测方法1、信号注入

答：二极管两端电压是内部的PN结形成电势,PN结两边分别是多空穴的半导体(称P型半导体),和多电子的半导体(N型半导体)由于PN结的存在,在半导体里形成势垒,两边电荷不会中...

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