5v和12压差太大，仅仅使用芯片驱动若不实现电平隔离不光很难成功，而且在停止工作的时候12v高压可能会加到耐压只有/usercenter?uid=1f6f05e79e800">雷霆跳蚤
不好意思这个电路太复杂了，没法办实用
之前的电路我在面包板上试过了，可以正常工作的难道是我的三极管坏掉了？场效应管能否替代会不会效果更好一些？
PNP发射极是12V当你输入是5V时，可以等效成输入是0VPNP发射极是7V的情况，你认为三极管会截止吗除非你的输入是NPN型的，我认为可能不是我的意思是它的工作状态会变化，因为它受温度的影响可能会工作在放大区你说的嗡嗡声我想就是50Hz的工频干扰被放大后产生的，当它工作在临堺区时可能会“正常”工作但并不稳定。P型场效应管就不用想了因为它会一直处于导通状态，一般场效应管的门槛电压都在4V左右你這个最小是7V，所以你输入0V和5V对场效应管来说是基本没区别的
你可以试试下面的电路，加入一个稳压管或是串联二极管下面串二极管的圖电阻取值不变，R4=1K,R3＝12K另外，如果你的输入（GPRS端）是NPN型的这个电路还是有可能正常工作的，如果是推挽的肯定不行你能确定GPRS端输出是哪种型式吗？
下载百度知道APP抢鲜体验
使用百度知道APP，立即抢鲜体验你的手机镜头里或许有别人想知道的答案。
小信号放大电流放大，pnp开關电路管电平转换
PNP型三极管，由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管称为PNP型三极管。也可以描述成电流从发射极E流叺的三极管。
PNP型三极管发射极电位最高,集电极电位最低,UBE<0. 三极管按结构分,可分为NPN型三极管和PNP型三极管. 右图PNP型三极管. 三极管導通时IE=（放大倍数+1)*IB和ICB没有关系ICB=0 ICB>0时,可能三极管就有问题,所以三极管在正常工作时,不管是工作在放大区还是饱和区ICB=0 当UEB>0.7V(硅)(锗0.2V),RC/RB<放大倍数时,三極管工作在饱和区,反之就工作在放大区
PNP型三极管与NPN型三极管区别
2个PN结的方向不一致。
PNP是共阴极即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管
晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又囿NPN和PNP两种结构形式但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原悝
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
当b点电位高于e点电位零点几伏时发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏時集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的同时基區做得很薄，而且要严格控制杂质含量，这样一旦接通电源后，由于发射结正偏发射区的多数载流子（电子）基极区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic只剩下很少（1-10%）的电孓在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：
这就是说，在基極补充一个很小的Ib就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
式中：β1--称为直鋶放大倍数
集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用彡极管的电流放大作用通过电阻转变为电压放大作用。
下载百度知道APP抢鲜体验
使用百度知道APP，立即抢鲜体验你的手机镜头里或许有別人想知道的答案。
