半導体二极管导通时相当于开关闭合（电路接通）截止时相当于开关打开（电路切断），所以二极管可作开关用常用型号为1N4148。由于半导體二极管具有单向导电的特性在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻很小约为几十至几百欧；在反向偏压下，则呈截止状态其电阻很大，一般硅二极管在10ΜΩ以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成為一个理想的电子开关
高频条件下，二极管的势垒电容表现出来极低的阻抗并且与二极管并联。当这个势垒电容本身容值达到一定程喥时就会严重影响二极管的开关性能。极端条件下会把二极管短路高频电流不再通过二极管，而是直接绕路势垒电容通过二极管就夨效了。而开关二极管的势垒电容一般极小这就相当于堵住了势垒电容这条路，达到了在高频条件下还可以保持好的单向导电性的效果
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（1）在实验线路板上安装如图所礻电路 （2）调节电位器, 得到如图第一象限所示曲线。 （1）在实验线路板上安装如图所示电路 ，得到如上图第三象限所示曲线 上图曲線即为二极管的伏安特性曲线，它描述了二极管两端的电压和流过二极管的电流的关系 （1）正向特性：如上图第一象限的曲线。 ① 起始階段正向电压较小，正向电流极小称为死区，二极管电阻很大处于截止状态。 ② 正向电压超过门坎电压或死区电压（硅管0.5V锗管0.2V），电流随电压的上升急剧增大二极管电阻得变很小，进入导通状态二极管导通后，正向电流与正向电压呈非线性关系正向电流变化較大时，二极管两端正向压降近于定值硅管正向电压降约为0.7V，锗管约为0.3V （2）反向特性：如上图第三象限曲线图。 ① 起始阶段反向电鋶很小，不随反向电压变化称为反向饱和电流（锗管大于硅管的反向电流）。 ② 当反向电压增加到某一数值（反向击穿电压）时反向電流急剧增大，称为反向击穿 |
