通常情况下,如果提高开关电源 频率的工作频率,以下哪些正确?

本文主要是讲开关电源 频率工作技巧的一些问题开关模式电源(简称SMPS),又称交换式电源、开关变换器是一种高频化电能转换装置,是电源供应器的一种其功能是將一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流开关电源 频率的输入多半是交流电源(例如市电)或是直流電源,而输出多半是需要直流电源的设备例如个人电脑,而开关电源 频率就进行两者之间电压及电流的转换

开关电源 频率不同于线性電源,开关电源 频率利用的切换晶体管多半是在全开模式(饱和区)及全闭模式(截止区)之间切换这两个模式都有低耗散的特点,切換之间的转换会有较高的耗散但时间很短,因此比较节省能源产生废热较少。理想上开关电源 频率本身是不会消耗电能的。电压稳壓是透过调整晶体管导通及断路的时间来达到相反的,线性电源在产生输出电压的过程中晶体管工作在放大区,本身也会消耗电能開关电源 频率的高转换效率是其一大优点,而且因为开关电源 频率工作频率高可以使用小尺寸、轻重量的变压器,因此开关电源 频率也會比线性电源的尺寸要小重量也会比较轻。

若电源的高效率、体积及重量是考虑重点时开关电源 频率比线性电源要好。不过开关电源 頻率比较复杂内部晶体管会频繁切换,若切换电流尚加以处理可能会产生噪声及电磁干扰影响其他设备,而且若开关电源 频率没有特別设计其电源功率因数可能不高。

1. 变压器图纸、PCB、原理图这三者的变压器飞线位号需一致

理由:安规认证要求这是很多工程师在申请咹规认证提交资料时会犯的一个毛病。

2.X电容的泄放电阻需放两组

理由:UL62368、CCC认证要求断开一组电阻再测试X电容的残留电压。很多新手会犯嘚一个错误修正的办法只能重新改PCBLayout,浪费自己和采购打样的时间

3.变压器飞线的PCB孔径需考虑到最大飞线直径,必要是预留两组一大一小嘚PCB孔

理由:避免组装困难或过炉空焊问题。因为安规申请认证通常会有一个系列比如说24W申请一个系列,其中包含4.2V-36V电压段输出低压4.2V大電流和高压36V小电流的飞线线径是不一样的。多根飞线直径计算参考如下表格:

4.输出的DC线材的PCB孔径需考虑到最大线材直径

理由:避免组装困难因为你的PCB可能会用在不同电流段上,比如5V/8A和20V/2A,两者使用的线材是不一样的参考如下表格:

5.电路调试OCP限流电阻多个并联的阻值要设計成一样。

理由:阻值越大的那颗电阻承受的功率越大

6.电路设计,散热片引脚的孔做成长方形椭圆形(经验值:2*1mm)

理由:避免组装困难椭圓形的孔方便散热器有个移动的空间,这对组装和过炉是非常有利的

理由:安规要求这个新手比较容易忽略,所以申请认证的产品一定偠做OVP测试抓输出瞬间波形。

8.电路设计电解电容的防爆孔距离大于2mm,卧式弯脚留1.5mm

理由:品质提升一般正规公司都有这个要求,防爆孔嘚问题日本比较重视特殊情况除外。

9.电路调试输出有LC滤波的电路需要老化确认纹波,如果纹波异常请调整环路

理由:验证产品稳定性这个很重要,我之前经常碰到这个问题产线老化后测试纹波会变高,现象是环路震荡

10.电路调试,二极管并联时,应该测试一颗二极管故障开路时,产生的异常(包括TO-220里的两颗二极管)

理由:品质提升小公司一般都不会做这个动作的,一款优秀的产品是要经得起任何考验的

11.電路设计,如果PCB空间充裕请设计成通杀所有安规标准。

理由:减少PCB修改次数如果你某一产品是符合UL60335标准,哪天客户希望满足UL1310这时你叒得改PCBLayout拿去安规报备了,如果你画的板符合各类标准后面的工作会轻松很多。

12.电路设计关于ESD请设计成接触±8KV/空气±15KV标准。

理由:减少後续整改次数像飞利浦这样的客户都要求ESD非常严的,听说富士康的还需要达到±20KV哪天有这种客户要求,你又得忙一段时间了

13.电路设計,设计变压器时VCC电压在轻载电压要大于IC的欠压关断电压值。判断空载VCC电压需大于芯片关断电压的5V左右同时确认满载时不能大于芯片過压保护值。

14.电路设计设计共用变压器需考虑到使用最大输出电压时的VCC电压,低温时VCC有稍微NOSIE会碰触OVP动作如果你的产品9V-15V是共用一个变压器,请确认VCC电压和功率管耐压

15.电路调试,Rcs与Ccs值不能过大否则会造成VDS超过最大耐压炸机。LEB前沿消隐时间设短了比尖峰脉冲的时间还短,那就没有效果了还是会误判;

如果设长了真正的过流来了起不到保护的作用。Rcs与Ccs的RC值不可超过1NS的Delay否则输出短路时,Vds会比满载时还高超过MOSFET最大耐压就可能造成炸机。经验值1nS的Delay约等于1K对100PF也等于100R对102PF。

16.画小板时在小板引脚的90度拐角处增加一个圆形钻孔。

理由:方便组装如图:

这样做可以使小板与PCB大板之间紧密贴合,不会有浮高现象

17.电路设计,肖特基的散热片可以接到输出正极线路这样铁封的肖特基就不用绝缘垫和绝缘粒。

18.电路调试15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007,因为1N4007速度慢300uS压降也大1.3V,老化过程中温度很高容易失效造成炸机。

19.电路調试输出滤波电容的耐压致少需符合1.2倍余量,避勉量产有损坏现象之前是犯了这个很低级的错误,14.5V输出用16V耐压电容量产有1%的电容失效不良。

20.电路设计大电容或其它电容做成卧式时,底部如有跳线需放在负极电位这样跳线可以不用穿套管,这个可以节省成本

开关電源 频率产品广泛应用于工业自动化控制、军工设备、科研设备、LED照明、工控设备、通讯设备、电力设备、仪器仪表、医疗设备、半导体淛冷制热、空气净化器,电子冰箱液晶显示器,LED灯具通讯设备,视听产品安防监控,LED灯带电脑机箱,数码产品和仪器类等领域

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估计很多新手工程师在设计开关电源 频率计算时发现,把电源的开关频率提高后变压器磁芯更加不容易饱和或者说可以用更小嘚磁性做出同样功率的电源,甚至在想把开关频率无限制提高来无限制缩小变压器的体积

但实际上一般开关电源 频率的频率都不会特别高,也不可能使频率无限提高其中到底有哪些原因?请看下文!

器件限制、损耗、、布局难度提升等问题都是制约开关频率无限提升的洇素下面稍微展开来讲一下!

对于一个开关管来说,在实际应用中不是给个驱动就开,驱动撤掉就关了它有开通延迟时间(tdon),上升时间(tr)关断延迟时间(tdoff),下降时间tf对应的波形如下:

通俗的讲,开关管开通关断不是瞬间完成的需要一定的时间,开关管本身的开关时间就限制了开关频率的提升

曾经笔者在delta用在3kW的逆变器上的一款600V的coolmos为例。看看这些具体的开关时间是多少

那么对于这个mos管来说它的极限开关频率(在这种极限情况下,mos管刚开通就关断)fs=1/(16+12+83+5)ns=8.6MHz当然,在实际应用中由于要调节占空比,不可能让开关管一开通就关断所鉯实际的极限频率是远低于8.6MHz的,所以器件本身的开关速度是限制开关频率的一个因素

当然,随着器件的进步开关管开关的速度越来越赽,尤其是在低压小功率场合如果仅考虑器件本身的开关速度,开关频率可以run得非常高但实际并没有,限制就在开关损耗上面

下面給出开关管实际开通的时候对应的波形图

可以看到,开关管每开通一次开关管DS的电压(Vds)和流过开关管的电流(Id)会存在交叠时间,从洏造成开通损耗关断亦然。假设每次开关管每开关一次产生的能量损耗是一定的记为Esw,那么开关管的开关损耗功率就为Psw=Esw*fs显然,开关頻率越高开关损耗越大。5M开关频率下开关损耗比500K要大10倍这对于重视效率的开关电源 频率来说,显然是不可接受的所以,开关损耗是限制开关频率的第二因素

开关损耗确实是限制因素之一,但是氮化镓器件的推出已经让开关损耗在1-3Mhz这个范围内变得可以接受我下面附┅张图片,这是三家公司推出的650V的GaN device可以看出最好的管子开通损耗已经4uJ,关断损耗在8uJ(测试条件在400V, 12A)甚至有家公司的650V的管子基本可以和Transphorm平齐。而同电压电流等级的硅器件很多管子都还在以mJ为单位

下面在贴出一张低压氮化镓和硅器件的比较,可以看出总体来说,驱动损耗也會变得很小

还有一点很重要,宽禁带半导体的工作结温很高以目前的工艺来说,Sic的结温可以工作到200°,氮化镓可以工作到150°。而硅器件呢,我觉得最多100°就不得了。结温高,意味着相同损耗下需要给宽禁带半导体设计的散热器表面积要小很多,何况宽禁带半导体的损耗本身还小

是开关频率的提高,往往只能使用QFN或者其他一些表贴器件减少封装寄生参数这给散热系统带来了极大的挑战,原来To封装可以加散热器减少到空气对流的热阻,而现在不行了所以如果想在高频下工作,第一问题就是解决散热把高开关损耗导出去,尤其是在kW级別散热系统非常重要。现在学界解决这个问题的手段偏向于把器件做成独立封装采用一种叫DCB的技术,用陶瓷基板散热器件从陶瓷上表面到下表面的热阻基本为0.4°C/W(有些人也用metal

半导体不断在发展,开关损耗也在显著下降而封装越来越小,现在来看我们要做的是怎么紦那些热量从那么小的表贴封装下散出去。

绕组的趋肤效应和临近效应在变压器的高频工作时,影响更加严重会引起较大的绕组涡流耗损,当然开关频率提高绕组的匝数会降低。相应的绕组交流阻抗变大了但是绕线长度减少了。问题貌似也不会很大谐振半桥应用,我们经常会选200KHZ的频率这样磁性元件的体积和耗损,是一个比较合适的范围

变压器的铁损主要由变压器涡流损耗产生,如下图所示給线圈加载时,在导体内和导体外产生了变化的磁场垂直于电流方向(图中1→2→3和4→5→6)根据电磁感应定律,变化的磁场会在导体内部产生感应电动势此电动势在导体内整个长度方向(L面和N面)产生涡流(a→b→c→a和d→e→f→d),则主电流和涡流在导体表面加强电流趋于表面,那么導线的有效交流截面积减少,导致导体交流电阻(涡流损耗系数)增大损耗加大。

如下图所示变压器铁损是和开关频率的kf次方成正比,又與磁性温度的限制有关所以随着开关频率的提高,在线圈中流通产生严重的高频效应从而降低了变压器的转换效率,导致变压器温升高从而限制开关频率提高。

题主提到了软开关没错,软开关确实是解决开关损耗的有力手段而在各种研究软开关的paper上,提出了无数種让人眼花缭乱的软开关方案似乎软开关能解决一切问题。但是实际工程应用和理论分析不同实际工程追求的是低成本,高效率高鈳靠性,那些需要添加一堆辅助电路或者要非常精确控制的软开关方案在实际工程中其实都是不太被看好的,所以即使到现在在工业堺最常应用软开关的拓扑也只要移相全桥和一些谐振的拓扑(比如LLC),至于题主提到的flyback,没错我也听说过有准谐振的flyback(但没研究过),但即使有类似的方案对于能不能真正工程应用,题主也需要从我上面提到的几个问题去考量一下

ps,对于小功率高频电源现在class E非常火,峩觉得它火的原因就是电路简单所以才能被工业界接受,题主有兴趣可以去研究下

5、高频化带来的一系列问题

假设上面的一系列问题嘟解决了,真正做到高频化还需要解决一系列工程上的问题比如在高频下,电路的寄生参数往往会严重影响电源的性能(如变压器原副邊的寄生电容变压器的漏感,PCB布线之间的寄生电感和寄生电容等等)造成一系列电压电流波形震荡和EMI的问题,如何消除寄生参数的影響甚至进一步地,如何利用寄生参数为电路服务都是有待研究的问题。

ps对于高频化应用的实际工程应用的问题,还有很重要的一块昰高频驱动电路的设计

当然,随着新器件(SiC, GaN)的兴起开关电源 频率高频化的研究方兴未艾,开关电源 频率的高频化一定是趋势而且囿望给电力电子带来又一次革命。让我们拭目以待

6、EMI和干扰,PCB布局难度增大

在我接触EMI前很多老工程师以他们有丰富的EMI调试经验来鄙视峩们这些菜鸟,搞的我一直以为EMI是门玄学也有很多人动不动就拿EMI出来吓人。我想说EMI确实很难理解很难有精确的纸面设计,但是通过研究我们还是能知道大概趋势指导设计而不是一些工程嘴里完全靠trial and error的流程。我先给出结论EMI确实和开关频率不成线性关系,某些开关频率丅的转折频率较高,但是总体趋势而言是开关频率越高,EMI体积越小!

我知道很多人可能开始喷我了怎么可能,di/dt和dv/dt都大了怎么可能EMI濾波体积还小了。我想说一句共模和差模滤波器的没有区别,相同的截止频率下高频的衰减更大!就算你高频下共模噪声越大,但是伱的记住这个频率下LC滤波器的衰减更大,想想幅频曲线吧为了说明这个结论,我给出一些定量分析结果这些EMI分析均基于AC/DC三相整流,拓扑为整流我分别给出了1Mhz和500Khz的共模噪声,可以看出500khz共模滤波器需要的截止频率为19.2kHz,1MHz为31.2kHz

这张图给出了不同频率下共模和差模滤波器转折频率的关系,可以看出一些低频点EMI滤波器体现出了非常好的特性。例如70Khz140Khz。而这两个开关频率是工业界常用的两个开关频率非常讨巧,因为EMI噪声测试是150KHz到30MHz不过这个也与拓扑有关。

假设上述的功率器件损耗解决了真正做到高频还需要解决一系列工程问题,因为在高頻下电感已经不是我们熟悉的电感,电容也不是我们已知的电容了所有的寄生参数都会产生相应的寄生效应,严重影响电源的性能洳变压器原副边的寄生电容、变压器漏感,布线间的寄生电感和寄生电容会造成一系列电压电流波形振荡和EMI问题,同时对开关管的电压應力也是一个考验

不是开关频率越高,功率密度就越高目前这个阶段来说真正阻碍功率密度提高的是散热系统和电磁设计(包括和变壓器)和功率集成技术。

慎重选择开关频率开关频率会极大的影响整个变化器的功率密度,而且针对不同器件拓扑,最佳的开关频率昰变化的

高频确实产生很多很难解决的干扰问题,往往要找到干扰回路然后采取一些措施。

为了继续维持电力电子变换器功率密度的增长趋势高频肯定是趋势。只是针对高频设计的电力电子技术很不成熟相关配套没有达到要求,一些高频的电磁设计理论不完善和精確使用有限元软件分析将大大增加开发周期。

要提高开关电源 频率产品的功率密度首先考虑的是提高其开关频率,能有效减小、滤波電感、电容的体积但面临的是由开关频率引起的损耗,而导致温升散热设计难频率的提高也会导致驱动、等一系列工程问题。

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