IC型号DS28E01-100,【第5版; 7/10????(R)????°?°部分VCCRPUPIOμCDS28E01-100温度范围-】,DS28E01-100 PDF资料,DS28E01-100经销商-51电子网
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第5版; 7/10????(R)????°?°部分VCCRPUPIOμCDS28E01-100温度范围-40 ° C至+ 85°C-40 ° C至+ 85°C-40 ° C至+ 85°C-40 ° C至+ 85°CPIN- PACKAGE6 TSOC6 TSOC2 SFN6 TDFN -EP *（ 2.5K PCS）DS28E01P-100+DS28E01P-100+TDS28E01G-100+T&RDS28E01Q-100+T&R+*GND________________________________________________________________Maxim Integrated Products版权所有1绝对最大额定值IO电压范围为GND .......................................- 0.5V至+ 6VIO灌电流............................................... .................... 20毫安工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C结温................................................ ...... + 150°C存储温度范围.............................- 55 ° C至+ 125°C焊接温度（ TSOC ， TDFN只;焊接， 10秒） ... + 300℃焊接温度（再溢流）TSOC ， TDFN ............................................... .................. + 260℃SFN .......请参考应用笔记4132 ：连接方法用于机电SFN封装。超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。电气特性(TA= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）参数IO引脚：通用数据1 - Wire上拉电压1 - Wire上拉电阻输入电容输入负载电流高到低开关阈值输入低电压低到高的开关阈值切换迟滞输出低电压恢复时间（注2,12 ）VPUPRPUPCIOILVTLVILVTHVHYVOL（注2 ）（注2,3）（注4,5）IO引脚在VPUP（注5 ， 6 ， 7 ）（注2,8 ）（注5，6， 9）（注5 ， 6 ， 10 ）在4毫安电流负载（注11 ）标准速度，RPUP= 2.2k高速模式下，RPUP= 2.2k高速模式下，前直接重置脉冲; ?PUP= 2.2k标准速度高速模式标准速度高速模式标准速度高速模式标准速度高速模式标准速度高速模式标准速度高速模式5250.565848048152608606640806062402475105.0μsμsμs1.00.210.050.462.80.35.252.210006.7VPUP-1.80.5VPUP-1.11.700.4VkpFμAVVVVV符号条件民典型值最大单位tREC上升沿保持关闭时间（注5 ， 13 ）时隙持续时间（注2，注14 ）tREHtSLOT不适用（0）IO引脚： 1 - Wire复位，在线检测周期复位低电平时间（注2 ）在线检测高电平时间在线检测低电平时间在线检测采样时间（注2，注15 ）tRSTLtPDHtPDLtMSPμsμsμsμs2_______________________________________________________________________________________电气特性（续）(TA= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）参数IO引脚： 1 - Wire写标准速度写0低电平时间（注2 ， 16 ， 17 ）写1低电平时间（注2，注17 ）IO引脚： 1 - Wire读读低时间（注2，注18 ）阅读采样时间（注2，注18 ）EEPROM编程电流编程时间写/擦除周期（耐力）（注21 ， 22 ）数据保留（注23 ， 24 ， 25 ）SHA- 1引擎计算电流计算时间（注5 ， 26 ）ILCSHAtCSHAmAIPROGtPROGNCYtDR（注5 ， 19 ）（注20 ）AT + 25°C在+ 85°C （最坏情况）在+ 85°C （最坏情况）200k50k40岁月0.810mAmstRLtMSR标准速度高速模式标准速度高速模式51tRL+tRL+15 -2-152μsμstW0L高速模式下，VPUP＆ GT ; 4.5V高速模式tW1L标准速度高速模式60561112015.515.5152μsμs符号条件民典型值最大单位请参阅完整的数据资料。ms注1 ：注2 ：注3 ：注4 ：注5 ：注6 ：注7 ：注8 ：注9 ：注10 ：注11 ：注12 ：注13 ：注14 ：注15 ：注16 ：规格在TA= -40°C通过设计保证，而不是只生产测试。系统要求。最大可允许上拉电阻是在系统1-Wire器件和1 -Wire恢复的次数的函数。这里提供的数值适用于系统只有一个设备，并具有最小的1-Wire恢复时间。欲了解更多重负载系统，有源上拉，如在在DS2482 -X00发现， DS2480B或DS2490可能需要。最大值代表的内部寄生电容当VPUP首先应用。如果2.2kΩ上拉电阻时，寄生电容不影响V后的正常通信2.5μSPUP得到了应用。通过设计，表征，和/或仅仿真保证。未经生产测试。VTL, VTH和VHY是内部电源电压的函数，这是作为V的函数PUP, RPUP， 1-Wire时序，并容性负载的IO 。低VPUP，较高的RPUP，短吨REC和较重的容性负载的所有引线，以降低的值VTL, VTH和VHY.电压低于此，对IO的下降沿时，逻辑0被检测到。IO电压必须小于或等于VILMAX在任何时候船长驾驶IO为逻辑0电平。电压高于此，在对IO的上升沿，逻辑1被检测到。经过VTH在对IO的上升沿被超越，在IO电压必须至少V降HY以被检测为逻辑0 。IV特性是线性的电压小于1V 。适用于连接到一个1-Wire总线的单个设备。一个下降沿最早承认有可能在tREH经过VTH已经就前面的上升沿。定义了最大可能的位速率。等于TW0LMIN+ tRECMIN.吨区间后，RSTL在此期间，一个总线主控器可以保证采样逻辑0上的IO ，如果有一个DS28E01-100本。下限为tPDHMAX;最高限额为tPDHMIN+ tPDLMIN.在数字胆大是不按照传统的1线的产品标准。见比较表。_______________________________________________________________________________________3电气特性（续）(TA= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）注17 ：ε在图12中表示需要上拉电路的时间从V拉IO电压上升IL到VTH。实际拉为低电平最长期限为主控为tW1LMAX+ tF-ε和TW0LMAX+ tF-ε,分别。注18 ：δ在图12中表示需要上拉电路的时间从V拉IO电压上升IL到输入 - 高门槛总线主控的。实际的最长期限为师傅线拉低为tRLMAX+ tF.注19 ：从IO EEPROM的编程时间间隔或SHA - 1计算过程中汲取的电流。注20 ：参考完整数据资料这一点。注21 ：注22 ：注23 ：注24 ：写周期耐力下降为TA增加。不是100 ％生产测试;通过可靠性监视器采样保证。数据保留被降解为TA增加。由100％的产量试验在升高的温度下进行更短的时间保证;该生产测试，以等价在工作温度范围内的数据表限制了可靠性测试确定。注25 ：EEPROM的写入可以成为无功能的数据保留时间超过后。长期存放在高温温peratures不推荐;该设备可10年后，在+ 125°C失去其写入能力或40年，在+ 85°C 。注26 ：参考完整数据资料这一点。LEGACY VALUES参数标准速度(μs)民tSLOT（包括TREC)tRSTLtPDHtPDLtW0L61480156060最大（未定义）（未定义）60240120高速模式(μs)民748286最大（未定义）8062416DS28E01-100 VALUES标准速度(μs)民65*480156060最大（未定义）64060240120高速模式(μs)民8*48286最大（未定义）8062415.5*4_______________________________________________________________________________________TSOC123, 4, 5, 6—TDFN -EP321, 4, 5, 6EPSFN21——GNDIO北卡罗来纳州EP_______________________________________________________________________________________5数据资料缩写DS28E01-1001K位保护的1-Wire EEPROM，带有SHA- 1引擎www.概述该DS28E01-100将1024位EEPROM与质询 - 响应认证安全与ISO / IEC 10118-3安全散列实施算法（SHA -1）。 1024位EEPROM阵列被配置为具有64位的四页的256位暂存器以执行写操作。所有的记忆页面可以进行写保护，一个页面可以是进入EPROM仿真模式，其中位只能可以从1变化为0的状态。每个DS28E01-100有自己唯一的64位ROM注册号，由工厂光刻成芯片。 DS28E01-100通过的单触点1-Wire(R)总线。通信遵循Dallas Semiconductor标准的1-Wire协议与注册号作为节点解决在多装置1 -Wire网络的情况下。特点1024位EEPROM存储器，分为中256位四页内置512位SHA- 1引擎，用于计算160位消息认证码（ MAC）和生成的秘密写访问需要知道的秘密与计算机和发射能力160位MAC ，以鉴别真伪用户可编程的页面写保护第0页，第3页或所有四页一起用户可编程OTP EPROM仿真模式第1页（ &write到0& ）与主机通信，单个数字信号在15.3k比特每秒125K位的使用1 -Wire协议切换点滞回和滤波优化在噪声背景下的性能读，写操作的宽电压范围2.8V至5.25V范围为-40 ° C至+ 85°C6引脚TSOC ， 2引脚SFN或焊料凸点芯片级表面贴装封装应用打印机墨盒配置和监控医疗传感器验证和校准系统知识产权保护订购信息部分DS28E01P-100DS28E01P-100/T&RDS28E01P-100+DS28E01P-100+T&RTEMP RANGE PIN- PACKAGE6引脚TSOC-40 ° C至85°C-40 ° C至85°? TSOC胶带&卷轴6引脚TSOC-40 ° C至85°C-40 ° C至85°? TSOC胶带&卷轴2引脚SFN胶带&DS28E01G - 100 + T&R -40 ° C至85°CREEL典型工作电路VCCRPUPuCIO+表示无铅达标。订购信息和引脚配置继续在数据表的末尾。GNDDS28E01申请数据资料全文在：www./fullds/DS28E01-100引脚配置指令，寄存器和模式资本化清晰度。1 - Wire是Dallas半导体公司的注册商标。GND 1IO 2NC 36 NC5 NC4 NCTSOC 150万顶视图注意：该器件的一些修订可能偏离称为勘误表公布的规格。任何器件的多个版本可能同时获得通过不同的销售渠道。欲了解器件勘误表的信息，请点击这里：www./errata 。1 16REV ： 071207数据资料缩写DS28E01-100绝对最大额定值IO电压至GNDIO灌电流工作温度范围结温存储温度范围焊接温度-0.5V, +6V20mA-40 ° C至+ 85°C+150°C-55 ° C至+ 125°C见IPC / JEDEC J- STD- 020A超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。电气特性(TA= -40 ° C至+ 85°C ;见注1 ）参数IO引脚通用数据1 - Wire上拉电压1 - Wire上拉电阻输入电容输入负载电流高到低开关门槛输入低电压低到高的开关门槛切换迟滞输出低电压符号条件民典型值最大单位VPUPRPUPCIOILVTLVILVTHVHYVOL（注2 ）（注2,3）（注4,5）IO引脚在VPUP（注5 ， 6 ， 7 ）（注2,8 ）（注5，6， 9）2.80.30.050.461.00.215250.5（注5 ， 6 ， 10 ）在4毫安电流负载（注11 ）标准速度，RPUP= 2.2kΩ恢复时间高速模式下，RPUP= 2.2kΩtREC（注2，注12 ）高速模式下，前直接重置脉冲; ?PUP= 2.2kΩ上升沿保持关闭时间标准速度tREH（注5 ， 13 ）高速模式时隙持续时间标准速度tSLOT（注2 ， 14 ）高速模式IO引脚， 1 - Wire复位，存在检测周期标准速度复位低电平时间（注2 ）tRSTL高速模式设备检测高标准速度tPDH时间高速模式设备检测低标准速度tPDL时间高速模式设备检测样品标准速度tMSP时间（注2，注15 ）高速模式IO引脚， 1 - Wire写标准速度写0低电平时间tW0L高速模式下，VPUP＆ GT ; 4.5V（注2 ， 16 ， 17 ）高速模式写1低电平时间标准速度tW1L（注2，注17 ）高速模式IO引脚， 1 - Wire读标准速度读低时间tRL（注2，注18 ）高速模式标准速度阅读采样时间tMSR（注2，注18 ）高速模式5.252.210006.7VPUP-1.8V0.5VPUP-1.1V1.700.4VkΩpFuAVVVVVus5.0不适用（0）usus6584804815260860660561151tRL+δtRL+δ6408060624024751012015.515.515215 -δ2-δ152usususususususus2 16数据资料缩写参数EEPROM编程电流编程时间写/擦除周期（恩科蒙） （注21 ， 22 ）数据保留（注23 ， 24 ， 25 ）SHA- 1引擎SHA计算电流（注5 ， 19 ）SHA计算时间（注5 ）注1 ：注2 ：注3 ：DS28E01-100民典型值最大单位符号条件IPROGtPROGNCYtDR（注5 ， 19 ）（注20 ）在25℃下在85℃ （最坏情况）在85℃ （最坏情况）0.810200k50k40mAms---岁月ILCSHAtCSHA查看完整版本数据资料。查看完整版本数据资料。mAms注4 ：注5 ：注6 ：注7 ：注8 ：注9 ：注10 ：注11 ：注12 ：注13 ：注14 ：注15 ：注16 ：注17 ：注18 ：注19 ：注20 ：注21 ：注22 ：注23 ：注24 ：注25 ：规格在TA= -40°C通过设计保证，而不是只生产测试。系统要求。最大可允许上拉电阻是在系统1-Wire器件和1 -Wire恢复的次数的函数。该指定的值在这里适用的系统只用一个设备和具有最小的1-Wire恢复时间。欲了解更多重加载系统，有源上拉，如在在DS2482 -X00发现， DS2480B或DS2490可能需要。最大值代表的内部寄生电容当VPUP首先应用。若RPUP经过V =采用2.2kΩ ， 2.5μSPUP已施加的寄生电容不会影响正常的通信。在设计中，只有定性和/或模拟的保证。未经生产测试。VTL, VTH和VHY是内部电源电压的函数，它本身就是作为V的函数PUP, RPUP， 1-Wire时序和电容装上IO 。低VPUP，较高的RPUP，短吨REC和更大的容性负载都会导致降低V的值TL, VTH和VHY.电压低于此，对IO的下降沿时，逻辑0被检测到。IO电压必须小于或等于V白细胞介素（最大）在任何时候船长驾驶IO为逻辑0电平。电压高于此，在对IO的上升沿，逻辑1被检测到。经过VTH在对IO的上升沿被超越，在IO上的电压具有至少V下降HY以被检测为逻辑“0” 。IV特性是线性的电压小于1V 。适用于连接到一个1-Wire总线的单个设备。一个下降沿最早承认有可能在tREH经过VTH已经就前面的上升沿。定义了最大可能的位速率。等于TW0L(min)+ tREC （分钟）.吨区间后，RSTL在此期间，一个总线主控器可以保证采样逻辑0上的IO ，如果有一个DS28E01-100本。下限为tPDH （最大）;最高限额为tPDH （分钟）+ tPDL （分钟）.高亮显示的数字不符合与传统的1-Wire产品标准。请参阅下面的对照表。ε在图12中表示需要上拉电路的时间从V拉IO电压上升IL到VTH。实际最高持续时间的主人线拉低为tW1Lmax+ tF-ε和TW0Lmax+ tF-ε分别。δ在图12中表示需要上拉电路的时间从V拉IO电压上升IL在输入高门槛的总线主控。实际的最长期限为师傅线拉低为tRLMAX+ tF.从IO在EEPROM编程或SHA-1计算间隔电流消耗。查看完整版本数据资料。写周期耐力下降为TA增加。不是100 ％生产测试;通过可靠性监视器采样保证。数据保留被降解为TA增加。由100％的产量试验在升高的温度下进行更短的时间保证;该生产测试数据表等价限制在操作温度范围下的可靠性试验确定。EEPROM的写操作可能会变得不起作用的数据保留时间被超过之后。在高温长时间存放温度不推荐;后在125℃ 10年或40年，在85 ℃下的设备可能会失去它的写能力。3 16数据资料缩写LEGACY VALUES标准速度高速模式民最大民最大61us（民主）。7us（民主）。480us（民主）。48us80us15us60us2us6us60us240us8us24us60us120us6us16usDS28E01-100DS28E01-100 VALUES标准速度高速模式民最大民最大1)1)65us（民主）。8us（民主）。480us640us48us80us15us60us2us6us60us240us8us24us60us120us6us15.5us参数tSLOT（含吨REC)tRSTLtPDHtPDLtW0L1)有意变化，较长的恢复时间要求，由于修改的1 -Wire前端。引脚说明名字IOGNDNC功能1 - Wire总线接口。开漏输出，需要外部上拉电阻。接地参考没有连接描述该DS28E01-100将1024位EEPROM为4个256位的网页，一个64位密钥，一个寄存器页， 512位SHA - 1引擎，在单芯片64位ROM注册号。数据串行传输通过1- Wire协议，只需要一根数据线和返回地线。该DS28E01-100有额外的内存区域，称为写入内存，寄存器页时充当缓冲暂存器，安装新密钥时，或。数据首先被存入暂存器，并可从这里读回。的数据后得到了验证，复制暂存器命令将数据传送到最终的存储位置，前提是DS28E01-100接收到了匹配的160位MAC 。 MAC的计算涉及到的密钥和附加存储在DS28E01-100包括设备的注册号的数据。只有新的秘密可装无需提供MAC 。在执行时， SHA - 1引擎也被激活，用于计算160位MAC验证读取内存页，并计算新的秘密的时候，而不是加载它。在DS28E01-100了解后，唯一的命令&Refresh Scratchpad.&正确使用刷新序列复制暂存器操作减少，如果该设备采用的是触摸的环境的弱位失败的次数（见书面核查部分） 。刷新序列还提供了在一个恢复功能的装置器件处于弱势状态位。该器件的64位ROM注册码保证唯一的标识，用于解决设备一个多点的1 -Wire网络环境中，多台设备驻留在一个公共的1- Wire总线和操作彼此独立的。在DS28E01-100的应用包括打印机墨盒配置和监测，医学传感器验证和校准，并且系统的知识产权保护。概观在图1中的框图显示了主要的控制部分和存储单元之间的关系DS28E01-100 。该DS28E01-100有六个主要数据部件： 1 ） 64位光刻ROM ， 2 ） 64位暂存器， 3 ）4 256位页的EEPROM， 4）寄存器页，5）的64位密钥存储器，以及6）一个512位SHA -1（安全散列算法）引擎。 1- Wire协议的层次结构如图2所示，主机必须首先提供七条ROM功能命令中的一个：1）读ROM ， 2 ）匹配ROM ， 3）搜索ROM ， 4 ）跳过ROM ，5 ）恢复通信， 6 ）高速模式跳过ROM ，或7 ）的高速模式匹配ROM 。一旦超速完成以标准速度执行ROM命令，器件进入高速模式，所有后续通信讯时以较高的速度。所需的这些ROM功能命令的协议如图描述10.在成功执行ROM功能命令，存储器和SHA - 1的功能变得访问和主可以提供9可用功能命令中的任何一个。功能协议中所描述图8*.所有数据都读入和写出最显著位。*对于图8中看到完整版的数据资料。4 16数据资料缩写DS28E01-100图1.框图寄生电源1 -Wire网络1-Wire功能控制64-bit光刻ROM内存和SHA功能控制单元512-bit安全散列算法发动机CRC16发电机64-bit暂存器数据存储器的4页256位每个注册页面记忆的秘密64位图2.等级结构1 -Wire协议DS28E01-100命令级别：可用的命令：读取ROM匹配ROM搜索ROM跳过ROM简历的Overdrive Skip高速模式匹配数据字段影响：64位REG 。 ＃ ， RC- FLAG64位REG 。 ＃ ， RC- FLAG64位REG 。 ＃ ， RC- FLAGRC-标志RC-标志RC-标志， OD-标志64位REG 。 ＃ ， RC- FLAG ， OD- FLAG1 - Wire ROM功能命令（参见图10）特定于设备的记忆功能命令（参见图8）有关详细信息，请参阅完整版本的数据资料。5 16数据资料缩写启： 2/091Kb，保护的1-Wire EEPROM与SHA-1引擎概述该DS28E01-100将1024位EEPROM与质询 - 响应认证安全imple-mented与ISO / IEC 10118-3安全散列算法（SHA -1）。 1024位EEPROM阵列所配置想通与64位四页，每页256位刮擦垫进行写操作。都可以存储网页被写保护，和一个页面可以放在EPROM仿真模式，其中位只能是从1变为0状态。每个DS28E01-100有它自己唯一的64位ROM注册码num-误码率，由工厂光刻写入芯片。该DS28E01-100通过单触点的1-Wire(R)总线。通信采用了标准的1 -Wire协议与登记号码作为节点地址在一个多设备的1-Wire网络的情况下。特点?1024位EEPROM存储器，分为中256位四页?片SHA- 1的512位引擎，用于计算160-位消息认证码（MACS ），并生成的秘密?写访问需要知道的秘密与计算机和发射能力160位MAC ，以鉴别真伪?用户可编程页写保护第0页，第3页，或者4个分页在一起?用户可编程OTP EPROM仿真模式第1页（ “写入0 ” ）?与主机通信的单一数字信号在15.3kbps或125kbps速率应用的1-Wire协议?切换点滞回和滤波优化在噪声背景下的性能?读，写操作在2.8V至5.25V的电压范围从-40 ° C至+ 85°C?6引脚TSOC和TDFN封装或2引脚SFN封装DS28E01-100应用打印机墨盒配置和监控医疗传感器验证和校准系统知识产权保护典型工作电路VCC订购信息部分RPUPIOμCDS28E01-100温度范围-40 ° C至+ 85°C-40 ° C至+ 85°C-40 ° C至+ 85°C-40 ° C至+ 85°CPIN- PACKAGE6 TSOC6 TSOC2 SFN6 TDFN -EP *（ 2.5K PCS）DS28E01P-100+DS28E01P-100+T&RDS28E01G-100+T&RDS28E01Q-100+T&RGND+表示一个铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。T&R =卷带包装。* EP=裸焊盘。引脚配置在数据资料的最后。请注意，以飨读者：这份文件是完整的数据资料的删节版。请完整的数据资料，请访问www./DS28E01并点击申请数据资料全文。的1-Wire是Maxim Integrated Products ，Inc.的注册商标。________________________________________________________________Maxim Integrated Products版权所有1对于定价，交付和订购信息，请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www. 。数据资料缩写1Kb，保护的1-Wire EEPROM与SHA-1引擎DS28E01-100绝对最大额定值IO电压范围为GND .......................................- 0.5V至+ 6VIO灌电流............................................... .................... 20毫安工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C结温................................................ ...... + 150°C存储温度范围.............................- 55 ° C至+ 125°C焊接温度...........................请参考IPC / JEDECJ- STD- 020规范。超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。电气特性(TA= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）参数IO引脚：通用数据1 - Wire上拉电压1 - Wire上拉电阻输入电容输入负载电流高到低开关阈值输入低电压低到高的开关阈值切换迟滞输出低电压恢复时间（注2,12 ）VPUPRPUPCIOILVTLVILVTHVHYVOL（注2 ）（注2,3）（注4,5）IO引脚在VPUP（注5 ， 6 ， 7 ）（注2,8 ）（注5，6， 9）（注5 ， 6 ， 10 ）在4毫安电流负载（注11 ）标准速度，RPUP= 2.2ktREC高速模式下，RPUP= 2.2k高速模式下，前直接重置脉冲; ?PUP= 2.2k标准速度高速模式标准速度高速模式标准速度高速模式标准速度高速模式标准速度高速模式标准速度高速模式5250.565848048152608606640806062402475105.0μsμsμs1.00.210.050.462.80.35.252.210006.7VPUP-1.80.5VPUP-1.11.700.4VkpFμAVVVVV符号条件民典型值最大单位上升沿保持关闭时间（注5 ， 13 ）时隙持续时间（注2，注14 ）tREHtSLOT不适用（0）IO引脚： 1 - Wire复位，在线检测周期复位低电平时间（注2 ）在线检测高电平时间在线检测低电平时间在线检测采样时间（注2，注15 ）tRSTLtPDHtPDLtMSPμsμsμsμs2_______________________________________________________________________________________数据资料缩写1Kb，保护的1-Wire EEPROM与SHA-1引擎电气特性（续）(TA= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）参数IO引脚： 1 - Wire写标准速度写0低电平时间（注2 ， 16 ， 17 ）写1低电平时间（注2，注17 ）IO引脚： 1 - Wire读读低时间（注2，注18 ）阅读采样时间（注2，注18 ）EEPROM编程电流编程时间写/擦除周期（耐力）（注21 ， 22 ）数据保留（注23 ， 24 ， 25 ）SHA- 1引擎计算电流计算时间（注5 ， 26 ）ILCSHAtCSHAmAIPROGtPROGNCYtDR（注5 ， 19 ）（注20 ）AT + 25°C在+ 85°C （最坏情况）在+ 85°C （最坏情况）200k50k40岁月0.810mAmstRLtMSR标准速度高速模式标准速度高速模式51tRL+tRL+15 -2-152μsμstW0L高速模式下，VPUP＆ GT ; 4.5V高速模式tW1L标准速度高速模式60561112015.515.5152μsμs符号条件民典型值最大单位DS28E01-100请参阅完整的数据资料。ms注1 ：注2 ：注3 ：注4 ：注5 ：注6 ：注7 ：注8 ：注9 ：注10 ：注11 ：注12 ：注13 ：注14 ：注15 ：注16 ：规格在TA= -40°C通过设计保证，而不是只生产测试。系统要求。最大可允许上拉电阻是在系统1-Wire器件和1 -Wire恢复的次数的函数。这里提供的数值适用于系统只有一个设备，并具有最小的1-Wire恢复时间。欲了解更多重负载系统，有源上拉，如在在DS2482 -X00发现， DS2480B或DS2490可能需要。最大值代表的内部寄生电容当VPUP首先应用。如果2.2kΩ上拉电阻时，寄生电容不影响V后的正常通信2.5μSPUP得到了应用。通过设计，表征，和/或仅仿真保证。未经生产测试。VTL, VTH和VHY是内部电源电压的函数，这是作为V的函数PUP, RPUP， 1-Wire时序，并容性负载的IO 。低VPUP，较高的RPUP，短吨REC和较重的容性负载的所有引线，以降低的值VTL, VTH和VHY.电压低于此，对IO的下降沿时，逻辑0被检测到。IO电压必须小于或等于VILMAX在任何时候船长驾驶IO为逻辑0电平。电压高于此，在对IO的上升沿，逻辑1被检测到。经过VTH在对IO的上升沿被超越，在IO电压必须至少V降HY以被检测为逻辑0 。IV特性是线性的电压小于1V 。适用于连接到一个1-Wire总线的单个设备。一个下降沿最早承认有可能在tREH经过VTH已经就前面的上升沿。定义了最大可能的位速率。等于TW0LMIN+ tRECMIN.吨区间后，RSTL在此期间，一个总线主控器可以保证采样逻辑0上的IO ，如果有一个DS28E01-100本。下限为tPDHMAX;最高限额为tPDHMIN+ tPDLMIN.在数字胆大是不按照传统的1线的产品标准。见比较表。_______________________________________________________________________________________3数据资料缩写1Kb，保护的1-Wire EEPROM与SHA-1引擎DS28E01-100电气特性（续）(TA= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）注17 ：ε在图12中表示需要上拉电路的时间从V拉IO电压上升IL到VTH。实际拉为低电平最长期限为主控为tW1LMAX+ tF-ε和TW0LMAX+ tF-ε,分别。注18 ：δ在图12中表示需要上拉电路的时间从V拉IO电压上升IL到输入 - 高门槛总线主控的。实际的最长期限为师傅线拉低为tRLMAX+ tF.注19 ：从IO EEPROM的编程时间间隔或SHA - 1计算过程中汲取的电流。注20 ：参考完整数据资料这一点。注21 ：注22 ：注23 ：注24 ：写周期耐力下降为TA增加。不是100 ％生产测试;通过可靠性监视器采样保证。数据保留被降解为TA增加。由100％的产量试验在升高的温度下进行更短的时间保证;该生产测试，以等价在工作温度范围内的数据表限制了可靠性测试确定。注25 ：EEPROM的写入可以成为无功能的数据保留时间超过后。长期存放在高温温peratures不推荐;该设备可10年后，在+ 125°C失去其写入能力或40年，在+ 85°C 。注26 ：参考完整数据资料这一点。比较表LEGACY VALUES参数标准速度(μs)民tSLOT（包括TREC)tRSTLtPDHtPDLtW0L61480156060最大（未定义）（未定义）60240120高速模式(μs)民748286最大（未定义）8062416DS28E01-100 VALUES标准速度(μs)民65*480156060最大（未定义）64060240120高速模式(μs)民8*48286最大（未定义）8062415.5*意向改变;较长的恢复时间要求，由于修改的1 - Wire前端。注意：在数字胆大是不按照传统的1线的产品标准。4_______________________________________________________________________________________数据资料缩写1Kb，保护的1-Wire EEPROM与SHA-1引擎引脚说明针TSOC123, 4, 5, 6—TDFN -EP321, 4, 5, 6EPSFN21——名字GNDIO北卡罗来纳州EP接地参考1 - Wire总线接口。这需要一个漏极开路信号外部上拉电阻。没有连接裸露焊盘。均匀地焊接到电路板的接地层正确的操作。请参考应用笔记3273 ：裸露垫：简介了解更多信息。功能DS28E01-100详细说明该DS28E01-100将1024位EEPROM为4个256位的网页，一个64位密钥，一个稳压存器页， 512位SHA - 1引擎和64位ROM在单个芯片中的注册号。数据传送连续通过1- Wire协议，只要求一根数据线和返回地线。该DS28E01-100有一个叫防刮额外的内存区垫写入内存时充当缓冲器，注册页面，安装一个新的秘密时，或。数据首先被存入暂存器，并可从这里可以读回。后的数据已经证实，一个复印暂存器命令将数据传送到其最终存储器位置，只要DS28E01-100接收到了匹配的160位MAC 。的计算该MAC涉及到存储的密钥和附加数据在DS28E01-100包括设备的注册号。只有新的秘密可以不亲装人们提供一个MAC 。在SHA - 1引擎也被激活以执行authenti-时，计算160位MACcated读取内存页和计算时，新的秘密，而不是加载它。该DS28E01-100明白了独特的命令“刷新暂存器。 ”副本之后正确使用的刷新顺序暂存器工作降低了弱位的数量故障，如果该装置用于在触摸环境（见书面核查部分） 。刷新序列还提供了用来恢复functionali-的装置TY与处于弱势状态位的设备。该器件的64位ROM注册码瓜拉尼开杆独特标识，并用于处理设备多点的1-Wire网络环境，在多个设备驻留在一个公共的1- Wire总线彼此独立地运行。应用程序在DS28E01-100包括打印机墨盒的配置化和监控，医疗传感器和认证校准和系统知识产权保护。概观图1中的框图表示的关系的主控制器和存储单元之间DS28E01-100 。该DS28E01-100有六个主要数据组成： 64位光刻ROM ， 64位暂存器，4 256位EEPROM页面中，注册页面， 64位秘密的内存和一个512位SHA- 1引擎。图2显示1 -Wire协议的层次结构。总线主机必须首先提供七个ROM之一功能命令：读ROM ， ROM匹配，搜索ROM ，跳过ROM ，恢复通信， Overdrive-跳过ROM或Overdrive - Match ROM命令。完成后在高速模式跳过ROM或高速模式匹配的ROM命令以标准速度运行，该装置进入高速模式，所有后续通信阳离子发生在更高的速度。所需的协议这些ROM功能命令中说明图10.一个ROM功能命令后， success-完全执行，存储器和SHA - 1的功能成为方便和主机可以提供任何一个9可用功能的命令。该功能协议是在图8中说明。所有数据被读出而先写最显著位。_______________________________________________________________________________________5数据资料缩写DS28E01-1001Kb，保护的1-Wire EEPROM与SHA-1引擎概述该DS28E01-100将1024位EEPROM与质询 - 响应认证安全imple-mented与ISO / IEC 10118-3安全散列算法（SHA -1）。 1024位EEPROM阵列所配置想通与64位四页，每页256位刮擦垫进行写操作。都可以存储网页被写保护，和一个页面可以放在EPROM仿真模式，其中位只能是从1变为0状态。每个DS28E01-100有它自己唯一的64位ROM注册码num-误码率，由工厂光刻写入芯片。该DS28E01-100通过单触点的1-Wire(R)总线。通信采用了标准的1 -Wire协议与登记号码作为节点地址在一个多设备的1-Wire网络的情况下。特点?1024位EEPROM存储器，分为中256位四页?片SHA- 1的512位引擎，用于计算160-位消息认证码（MACS ），并生成的秘密?写访问需要知道的秘密与计算机和发射能力160位MAC ，以鉴别真伪?用户可编程页写保护第0页，第3页，或者4个分页在一起?用户可编程OTP EPROM仿真模式第1页（ “写入0 ” ）?与主机通信的单一数字信号在15.3kbps或90.9kbps利用1-Wire协议?切换点滞回和滤波优化在噪声背景下的性能?读，写操作在2.8V至5.25V的电压范围从-40 ° C至+ 85°C?6引脚TSOC和TDFN封装或2引脚TO -92和单频网套餐应用打印机墨盒配置和监控医疗传感器验证和校准系统知识产权保护典型工作电路VCCRPUPIOμCDS28E01-100订购信息部分DS28E01-100+DS28E01P-100+DS28E01P-100+TGND温度范围-40 ° C至+ 85°C-40 ° C至+ 85°C-40 ° C至+ 85°C-40 ° C至+ 85°C-40 ° C至+ 85°CPIN- PACKAGE2 TO- 926 TSOC6 TSOC2 SFN6 TDFN -EP *（ 2.5K PCS）DS28E01G-100+T&RDS28E01Q-100+T&R引脚配置在数据资料的最后。+表示一个铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。T和T&R =卷带包装。* EP=裸焊盘。请注意，以飨读者：这份文件是完整的数据资料的删节版。请完整的数据资料，请访问/DS28E01并点击申请数据资料全文。的1-Wire是Maxim Integrated Products ，Inc.的注册商标。对于定价，交付和订购信息，请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站 。219-0007 ;转8 ; 9/12数据资料缩写DS28E01-1001Kb，保护的1-Wire EEPROM与SHA-1引擎绝对最大额定值IO电压范围为GND .......................................- 0.5V至+ 6VIO灌电流............................................... .................... 20毫安工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C结温................................................ ...... + 150°C存储温度范围.............................- 55 ° C至+ 125°C焊接温度（ TSOC ， TO- 92 ， TDFN只;焊接， 10秒） .............................................. ................ + 300℃焊接温度（再溢流）TSOC ， TDFN ............................................... .................. + 260℃TO- 92 ............................................... ............................. + 250℃SFN .......请参考应用笔记4132 ：连接方法用于机电SFN封装。超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。电气特性(TA= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）参数IO引脚：通用数据1 - Wire上拉电压1 - Wire上拉电阻输入电容输入负载电流高到低开关阈值输入低电压低到高的开关阈值切换迟滞输出低电压恢复时间（注2,12 ）上升沿保持关闭时间（注5 ， 13 ）时隙持续时间（注2，注14 ）VPUPRPUPCIOILVTLVILVTHVHYVOLtRECtREHtSLOT（注2 ）（注2,3）（注4,5）IO引脚在VPUP（注5 ， 6 ， 7 ）（注2,8 ）（注5，6， 9）（注5 ， 6 ， 10 ）在4毫安电流负载（注11 ）标准速度，RPUP= 2.2k高速模式下，RPUP= 2.2k标准速度高速模式标准速度高速模式标准速度高速模式标准速度高速模式标准速度高速模式标准速度高速模式550.5651148048152608606640806062402475105.0不适用（0）1.00.210.050.462.80.35.252.210006.7VPUP-1.80.5VPUP-1.11.700.4VkpFμAVVVVVμsμsμs符号条件民典型值最大单位IO引脚： 1 - Wire复位，在线检测周期复位低电平时间（注2 ）在线检测高电平时间在线检测低电平时间在线检测采样时间（注2，注15 ）tRSTLtPDHtPDLtMSPμsμsμsμs2MAXIM INTEGRATED数据资料缩写DS28E01-1001Kb，保护的1-Wire EEPROM与SHA-1引擎电气特性（续）(TA= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）参数IO引脚： 1 - Wire写标准速度写0低电平时间（注2 ， 16 ， 17 ）写1低电平时间（注2，注17 ）IO引脚： 1 - Wire读读低时间（注2，注18 ）阅读采样时间（注2，注18 ）EEPROM编程电流编程时间写/擦除周期（耐力）（注21 ， 22 ）数据保留（注23 ， 24 ， 25 ）SHA- 1引擎计算电流计算时间（注5 ， 26 ）ILCSHAtCSHAmAIPROGtPROGNCYtDR（注5 ， 19 ）（注20 ）AT + 25°C在+ 85°C （最坏情况）在+ 85°C （最坏情况）200k50k40岁月0.810mAmstRLtMSR标准速度高速模式标准速度高速模式51tRL+tRL+15 -2-152μsμstW0L高速模式下，VPUP＆ GT ; 4.5V高速模式标准速度高速模式60561112015.515.5152μsμs符号条件民典型值最大单位tW1L请参阅完整的数据资料。ms注1 ：注2 ：注3 ：注4 ：注5 ：注6 ：注7 ：注8 ：注9 ：注10 ：注11 ：注12 ：注13 ：注14 ：注15 ：注16 ：限制是100 ％的生产在T测试A= + 25 ° C和/或TA= + 85°C 。限制在工作温度范围内，并有关电源电压范围是通过设计和特性保证。典型值是无法保证的。系统要求。最大可允许上拉电阻是在系统1-Wire器件和1 -Wire恢复的次数的函数。这里提供的数值适用于系统只有一个设备，并具有最小的1-Wire恢复时间。欲了解更多重负载系统，有源上拉，如在在DS2482 -X00发现， DS2480B或DS2490可能需要。最大值代表的内部寄生电容当VPUP首先应用。一旦该寄生电容是充电时，它不会影响正常的通信。通过设计，表征，和/或仅仿真保证。未经生产测试。VTL, VTH和VHY是内部电源电压的函数，这是作为V的函数PUP, RPUP， 1-Wire时序，并容性负载的IO 。低VPUP，较高的RPUP，短吨REC和较重的容性负载的所有引线，以降低的值VTL, VTH和VHY.电压低于此，对IO的下降沿时，逻辑0被检测到。IO电压必须小于或等于VILMAX在任何时候船长驾驶IO为逻辑0电平。电压高于此，在对IO的上升沿，逻辑1被检测到。经过VTH在对IO的上升沿被超越，在IO电压必须至少V降HY以被检测为逻辑0 。IV特性是线性的电压小于1V 。适用于连接到一个1-Wire总线的单个设备。一个下降沿最早承认有可能在tREH经过VTH已经就前面的上升沿。定义了最大可能的位速率。等于1 /（吨W0LMIN+ tRECMIN).吨区间后，RSTL在此期间，总线主机可以读取IO逻辑0 ，如果有一个DS28E01-100存在。第一次出现脉冲电后可能会超出此范围，但会在上电后2毫秒内完成。在数字胆大是不按照传统的1线的产品标准。见比较表。MAXIM INTEGRATED3数据资料缩写DS28E01-1001Kb，保护的1-Wire EEPROM与SHA-1引擎电气特性（续）(TA= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）注17 ：ε在图12中表示需要上拉电路的时间从V拉IO电压上升IL到VTH。实际拉为低电平最长期限为主控为tW1LMAX+ tF-ε和TW0LMAX+ tF-ε,分别。注18 ：δ在图12中表示需要上拉电路的时间从V拉IO电压上升IL到输入 - 高门槛总线主控的。实际的最长期限为师傅线拉低为tRLMAX+ tF.注19 ：从IO EEPROM的编程时间间隔或SHA - 1计算过程中汲取的电流。注20 ：参考完整数据资料这一点。注21 ：注22 ：注23 ：注24 ：写周期耐力下降为TA增加。不是100 ％生产测试;通过可靠性监视器采样保证。数据保留被降解为TA增加。由100％的产量试验在升高的温度下进行更短的时间保证;该生产测试，以等价在工作温度范围内的数据表限制了可靠性测试确定。注25 ：EEPROM的写入可以成为无功能的数据保留时间超过后。长期存放在高温温peratures不推荐;该设备可10年后，在+ 125°C失去其写入能力或40年，在+ 85°C 。注26 ：参考完整数据资料这一点。比较表LEGACY VALUES参数标准速度(μs)民tSLOT（包括TREC)tRSTLtPDHtPDLtW0L61480156060最大（未定义）（未定义）60240120高速模式(μs)民748286最大（未定义）8062416DS28E01-100 VALUES标准速度(μs)民65*480156060最大（未定义）64060240120高速模式(μs)民11*48286最大（未定义）8062415.5*意向改变;较长的恢复时间要求，由于修改的1 - Wire前端。注意：在数字胆大是不按照传统的1线的产品标准。4MAXIM INTEGRATED数据资料缩写DS28E01-1001Kb，保护的1-Wire EEPROM与SHA-1引擎引脚说明针TSOC123, 4, 5, 6—TDFN -EP321, 4, 5, 6—SFN21——TO-92132—名字GNDIO北卡罗来纳州EP接地参考1 - Wire总线接口。这需要一个外部漏极开路信号上拉电阻。没有连接裸露焊盘（ TDFN只） 。均匀地焊接到电路板的地飞机正常运行。请参考应用笔记3273 ：裸焊盘：简介了解更多信息。功能详细说明该DS28E01-100将1024位EEPROM为4个256位的网页，一个64位密钥，一个稳压存器页， 512位SHA - 1引擎和64位ROM在单个芯片中的注册号。数据传送连续通过1- Wire协议，只要求一根数据线和返回地线。该DS28E01-100有一个叫防刮额外的内存区垫写入内存时充当缓冲器，注册页面，安装一个新的秘密时，或。数据首先被存入暂存器，并可从这里可以读回。后的数据已经证实，一个复印暂存器命令将数据传送到其最终存储器位置，只要DS28E01-100接收到了匹配的160位MAC 。的计算该MAC涉及到存储的密钥和附加数据在DS28E01-100包括设备的注册号。只有新的秘密可以不亲装人们提供一个MAC 。在SHA - 1引擎也被激活以执行authenti-时，计算160位MACcated读取内存页和计算时，新的秘密，而不是加载它。该DS28E01-100明白了独特的命令“刷新暂存器。 ”副本之后正确使用的刷新顺序暂存器工作降低了弱位的数量故障，如果该装置用于在触摸环境（见书面核查部分） 。刷新序列还提供了用来恢复functionali-的装置TY与处于弱势状态位的设备。该器件的64位ROM注册码瓜拉尼开杆独特标识，并用于处理设备多点的1-Wire网络环境，在多个设备驻留在一个公共的1- Wire总线彼此独立地运行。应用程序在DS28E01-100包括打印机墨盒的配置化和监控，医疗传感器和认证校准和系统知识产权保护。概观图1中的框图表示的关系的主控制器和存储单元之间DS28E01-100 。该DS28E01-100有六个主要数据组成： 64位光刻ROM ， 64位暂存器，4 256位EEPROM页面中，注册页面， 64位秘密的内存和一个512位SHA- 1引擎。图2显示1 -Wire协议的层次结构。总线主机必须首先提供七个ROM之一功能命令：读ROM ， ROM匹配，搜索ROM ，跳过ROM ，恢复通信， Overdrive-跳过ROM或Overdrive - Match ROM命令。完成后在高速模式跳过ROM或高速模式匹配的ROM命令以标准速度运行，该装置进入高速模式，所有后续通信阳离子发生在更高的速度。所需的协议这些ROM功能命令中说明图10.一个ROM功能命令后， success-完全执行，存储器和SHA - 1的功能成为方便和主机可以提供任何一个9可用功能的命令。该功能协议是在图8中说明。所有数据被读出而先写最显著位。MAXIM INTEGRATED5
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联系人：朱丽梅
地址：深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座608B
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联系人：朱丽梅
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电话：9/65
联系人：江华
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋五楼515
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